公开(公告)号：KR1019940016976A

公开(公告)日：1994-07-25

申请号：KR1019920026597

申请日：1992-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이성국 ,  마동준

IPC: H01L33/00

Abstract: 본 발명은 KPT 제조방법에 관해 기술한다.
본 발명은 KPT를 제조함에 있어서, 기본원료로 K
2 CO
3 , P
2 O
5 , TiO
2 를 사용한다. 본 발명에 의하면, OH
- 기가 결정중에 전무하게 되기 때문에, 광흡수율이 매우 적은 KPT를 제조할 수 있게 된다. 더우기 제조중, KPT 혼합물의 용융시 H
2 O의 휘발로 인한 프로스현상을 방지할 수 있다. 그리고, 용액중의 불순물의 함량이 크게 저하됨으로써 결정성장시 불순물에 의한 결정이 크랙(Craok)을 방지하여 제품의 수율이 높아진다.

公开(公告)号：KR101496149B1

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：KR1020080124288

申请日：2008-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  마동준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532

Abstract: 플라즈마를 이용한 결정질 실리콘 제조 방법이 개시되어 있다. 개시된 결정질 실리콘 제조 방법에 따르면, 기판 상에 초기부터 결정질 형태의 실리콘이 형성되도록 플라즈마를 이용한 실리콘 증착 공정과 환원 공정을 순환적으로 진행한다.

公开(公告)号：KR1020110047861A

公开(公告)日：2011-05-09

申请号：KR1020090104649

申请日：2009-10-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 이정현 ,  이창수 ,  마동준

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/06

CPC classification number: H01L31/1868 ,  H01L31/02167 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: PURPOSE: A solar cell and a manufacturing method thereof are provided to improve the efficiency of the solar cell by improving an interface property between a semiconductor layer and a dielectric layer. CONSTITUTION: A semiconductor layer(110) includes a p type layer and an n type layer. A dielectric layer(130) is located on one side of the semiconductor layer and includes silicate. A first electrode is connected to the p type layer of the semiconductor layer. A second electrode is connected to the n type layer of the semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供太阳能电池及其制造方法，以通过改善半导体层和电介质层之间的界面性能来提高太阳能电池的效率。 构成：半导体层（110）包括p型层和n型层。 电介质层（130）位于半导体层的一侧并且包括硅酸盐。 第一电极连接到半导体层的p型层。 第二电极连接到半导体层的n型层。

公开(公告)号：KR1020100130008A

公开(公告)日：2010-12-10

申请号：KR1020090048651

申请日：2009-06-02

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  삼성에스디아이 주식회사

Inventor： 이정현 ,  마동준

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/075 ,  H01L31/022466 ,  Y02E10/548

Abstract: PURPOSE: A solar cell structure is provided to improve the efficiency of a solar cell by improving the mobility of an electron and a hole. CONSTITUTION: A N type semiconductor layer(12) is formed on a first transparent conductive layer. An I type semiconductor layer(13) is formed on the N type semiconductor layer. A P type semiconductor layer(14) is formed on the I type semiconductor layer. A second transparent conductive layer(15) is formed on the P type semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供太阳能电池结构，通过提高电子和空穴的迁移率来提高太阳能电池的效率。 构成：在第一透明导电层上形成N型半导体层（12）。 在N型半导体层上形成有I型半导体层（13）。 在I型半导体层上形成P型半导体层（14）。 在P型半导体层上形成第二透明导电层（15）。

公开(公告)号：KR1020100080705A

公开(公告)日：2010-07-12

申请号：KR1020090000116

申请日：2009-01-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 선우문욱 ,  마동준 ,  김연희 ,  이정현 ,  정석재

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654

Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing a single grain silicon and a thin film transistor are provided to secure single-crystal silicon by the lateral growth by forming a barrier rip on a sidewall after heat treatment. CONSTITUTION: Silicon is formed on the sub-structure(10). The silicon is pattern to form a silicon layer(11). A side wall(12) is formed at both sides of the silicon layer. A barrier(13) is formed on the silicon layer and the sidewall. A metal layer(14) is formed on the barrier. The silicon layer is mono-crystallized and grown by performing an eximer laser annealing.

Abstract translation: 目的：提供制造单晶硅和薄膜晶体管的方法，通过在热处理后在侧壁上形成阻挡层，通过横向生长来固定单晶硅。 构成：在子结构（10）上形成硅。 硅被图案化以形成硅层（11）。 在硅层的两侧形成侧壁（12）。 在硅层和侧壁上形成阻挡层（13）。 在屏障上形成金属层（14）。 通过进行准分子激光退火，将硅层单晶化并生长。

公开(公告)号：KR1020100065777A

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：KR1020080124288

申请日：2008-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  마동준

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/0262 ,  C30B25/105 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02532

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a crystalline silicon is provided to form a crystalline silicon at beginning by progressing a deposition process and a reduction process in circulation through plasma. CONSTITUTION: A method for manufacturing a crystalline silicon processes deposition process and a reduction process in circulation through plasma to form the crystalline silicon on a substrate(30) at beginning. The reduction process is performed by increasing the more ration of reduction gas and a silicon material than the silicon deposition process. The reduction process is performed under a gas including at least one of H2, D2 and N2.

Abstract translation: 目的：提供一种制造晶体硅的方法，以便通过进行沉积工艺和通过等离子体循环的还原工艺开始形成晶体硅。 构成：用于制造晶体硅工艺沉积工艺的方法和通过等离子体循环的还原工艺，以在开始时在衬底（30）上形成晶体硅。 通过增加还原气体和硅材料比硅沉积工艺的更多比例来进行还原处理。 还原过程在包括H 2，D 2和N 2中的至少一种的气体下进行。

公开(公告)号：KR100917463B1

公开(公告)日：2009-09-14

申请号：KR1020030002731

申请日：2003-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 나발라세르기야고블레비키 ,  톨마체프유리 ,  마동준 ,  김태완

IPC: H01J37/317

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: 마그네트론 캐소드 및 이를 채용하는 스퍼터링 장치가 개시된다. 개시된 마그네트론 캐소드는, 세 개 이상의 자극부를 가지고 자극부 중 일 자극부는 타 자극부의 내부에 위치하며, 인접하는 상이한 자극부는 상이한 극성을 가지고 동일 자극부는 동방향으로 동일 극성이 배열되는 마그네트를 포함한다. 자기장의 분포를 균일하게 형성하여 타겟의 식각 프로파일을 넓고 균일하게 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050092880A

公开(公告)日：2005-09-23

申请号：KR1020040017998

申请日：2004-03-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전상훈 ,  김정우 ,  마동준 ,  최성규

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31616 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/56 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 소노스 타입 메모리 소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 반도체 기판과, 상기 반도체 기판 상에 소정의 도전성 불순물이 주입된 것으로, 소정 간격으로 이격 되어 있고, 그 사이에 채널이 형성되어 있는 제1 및 제2 불순물 영역과, 상기 제1 및 제2 불순물 영역 사이의 반도체 기판 상에 형성된 데이터 저장형 적층물을 구비한다. 상기 데이터 저장형 적층물은, 터널링 산화막, 데이터가 저장되는 메모리 노드층, 블로킹 산화막 및 전극층으로 순차적으로 형성된다. 상기 메모리 노드층의 유전상수가 상기 터널링 산화막 및 상기 블로킹 산화막의 유전상수 보다 크며, 상기 터널링 산화막 및 상기 블로킹 산화막은 고유전체 절연막이다.

公开(公告)号：KR1020040065648A

公开(公告)日：2004-07-23

申请号：KR1020030002731

申请日：2003-01-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 나발라세르기야고블레비키 ,  톨마체프유리 ,  마동준 ,  김태완

IPC: H01J37/317

CPC classification number: C23C14/35 ,  H01J37/3408

Abstract: PURPOSE: A magnetron cathode and a magnetron sputtering apparatus having therefore are provided to improve a film uniformity and a deposition rate by etching uniformly a target. CONSTITUTION: A magnetron cathode(35) comprises a first electrode installing a plate(37), a target(31) opposed about the plate and formed with a material deposited at the plate, a second electrode located at a rear surface of the target, and a magnet located at a back side of the second electrode and having a more than three magnetic pole part(35a,35b,35c). One magnetic pole part among the magnetic pole part is located inside of other magnetic pole part, and an adjacent different magnetic pole part has a different polarity and a same magnetic pole part is arranged at the same polarity with a same direction. The more than three magnetic pole parts have a coaxial cable and are an axis of symmetry. A magnetic pole part located at the most inner side among the magnetic pole part has a cavity inside. A magnetron sputtering apparatus comprises a supporting part(47) for supporting the magnetron cathode.

Abstract translation: 目的：提供一种磁控管阴极和磁控溅射装置，以通过均匀地蚀刻靶来提高膜的均匀性和沉积速率。 构成：磁控管阴极（35）包括安装板（37）的第一电极，围绕板对置并形成有沉积在板上的材料的靶（31），位于靶的后表面的第二电极， 位于第二电极的后侧的磁铁，具有三个以上的磁极部（35a，35b，35c）。 磁极部中的一个磁极部分位于其他磁极部分的内部，相邻的不同的磁极部分具有不同的极性，并且相同磁极部分以相同的方向以相同的极性排列。 超过三个磁极部件具有同轴电缆并且是对称轴。 位于磁极部分最内侧的磁极部分内部具有空腔。 磁控溅射装置包括用于支撑磁控管阴极的支撑部分（47）。

公开(公告)号：KR100421223B1

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：KR1020010078887

申请日：2001-12-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  마동준 ,  민요셉 ,  윤혜영 ,  조영진

IPC: C23C16/455

Abstract: PURPOSE: A showerhead for chemical vapor reactor in which a source is uniformly emitted from an outlet of the showerhead is provided. CONSTITUTION: The showerhead(100) for chemical vapor reactor is characterized in that first, second and third circular plates(110,120,150) are sequentially laid up and formed in such a way that the side surface of the first, second and third circular plates is sealed, at least two of 'n' source injection holes(114) arranged on a concentric circle separated from the central axis in a certain distance with the 'n' source injection holes being spaced apart from each other in an equal gap, and a reaction gas injection hole(112) penetrating the first circular plate are formed on the first circular plate, a reaction gas passing hole(122) corresponding to the reaction gas injection hole, and 'n' sectors uniformly split centering around the source injection holes are formed on the second circular plate, first groove(126) formed with respectively spaced apart from the central axis and outer circumference in a certain distance at a line extended to the source injection holes from the central axis, a plurality of second grooves(128) formed with extended from the first groove to a position that is spaced apart from a boundary line of the sectors in a certain distance, and a plurality of source dispersion holes(130) at the lower part of the second grooves are formed in the sectors, and a source passing hole(152) formed correspondingly to the source dispersion holes so that a source passing the source dispersion holes passes through the third circular plate, third groove(154) separated from the source passing hole in a certain distance and opened to the reaction gas injection hole so that the third groove becomes a diffusion path of the reaction gas, and a plurality of reaction gas injection holes at the lower part of the third groove are formed on the third circular plate.

Abstract translation: 目的：提供化学蒸汽反应器的喷头，其中源头从喷头出口均匀排出。 组成：用于化学蒸气反应器的喷头（100）的特征在于，第一，第二和第三圆形板（110,120,150）顺序地铺设并形成为使得第一，第二和第三圆形板的侧表面被密封 ，'n'个源喷射孔（114）中的至少两个布置在与中心轴隔开一定距离的同心圆上，同时'n'个源喷射孔以相等的间隙彼此间隔开，并且反应 在第一圆板上形成穿透第一圆板的气体注入孔（112），形成与反应气体注入孔对应的反应气体通过孔（122），以及以源注入孔为中心均匀分开的“n”个区段 在所述第二圆板上形成有第一凹槽（126），所述第一凹槽（126）在从所述中心轴线延伸到所述源注入孔的线上以一定距离分别与所述中心轴线和外圆周间隔开地形成， s，多个第二沟槽（128）以及多个源极分散孔（130），所述多个第二沟槽（128）从所述第一沟槽延伸到与所述扇区的边界线隔开一定距离的位置，所述多个源极分散孔（130） 的第二凹槽形成在扇区中;以及源通孔（152），对应于源极扩散孔形成，使得通过源扩散孔的源通过第三圆板，第三凹槽（154）与源极 使第三槽成为反应气体的扩散路径，并且在第三槽的下部形成多个反应气体喷射孔 盘子。