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公开(公告)号：KR101123787B1
公开(公告)日：2012-03-12
申请号：KR1020050090099
申请日：2005-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H1/54
Abstract: 디커플링 장치를 포함하는 플라즈마 가속기가 개시된다. 본 발명에 따른 플라즈마 가속기는, 상부가 막히고 하부가 개방되며, 옆면이 외벽으로 둘러싸인 챔버부, 챔버부의 상부면 상에 위치하며 챔버부의 중심축으로부터 반지름이 증가하도록 소정 방향으로 감긴 탑 코일부, 챔버부의 외벽을 감싸는 제1 코일, 챔버부의 외벽을 감싸며 제1 코일과 소정 거리 이격된 제2 코일, 및 제1 코일 및 제2 코일 간의 상호 인덕턴스를 감쇄시키는 디커플링부를 포함한다. 이에 의해 플라즈마 가속기의 구동회로에서 유도되는 상호 인덕턴스를 보상할 수 있다.
플라즈마 가속기, 전자기 가속기, 디커플러, 상호 인덕턴스-
公开(公告)号：KR1020070035353A
公开(公告)日：2007-03-30
申请号：KR1020050090099
申请日：2005-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H1/54
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32183 , H01J37/32458 , H05H1/46 , H05H2001/4652 , H05H2001/4682
Abstract: 디커플링 장치를 포함하는 플라즈마 가속기가 개시된다. 본 발명에 따른 플라즈마 가속기는, 상부가 막히고 하부가 개방되며, 옆면이 외벽으로 둘러싸인 챔버부, 챔버부의 상부면 상에 위치하며 챔버부의 중심축으로부터 반지름이 증가하도록 소정 방향으로 감긴 탑 코일부, 챔버부의 외벽을 감싸는 제1 코일, 챔버부의 외벽을 감싸며 제1 코일과 소정 거리 이격된 제2 코일, 및 제1 코일 및 제2 코일 간의 상호 인덕턴스를 감쇄시키는 디커플링부를 포함한다. 이에 의해 플라즈마 가속기의 구동회로에서 유도되는 상호 인덕턴스를 보상할 수 있다.
플라즈마 가속기, 전자기 가속기, 디커플러, 상호 인덕턴스-
公开(公告)号：KR1020030049175A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010079314
申请日：2001-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/32357
Abstract: PURPOSE: An inductively coupled plasma system is provided to be capable of improving the uniformity of the radial dispersion of the gas flowed from plasma source and preventing the backflow of gas product to an inductor by using a gas dispersing panel and a shutter. CONSTITUTION: A susceptor is installed in a lower process chamber(2) for loading a substrate. An upper plasma source chamber(1) is installed on the upper portion of the lower process chamber. A reactive chamber(3) is installed in the upper plasma source chamber for supplying plasma reactant into the lower process chamber, wherein the reactive chamber includes a plurality of circular channels(33) for flowing gas. An inductor(4) is installed between the upper plasma source chamber and the reactive chamber for enclosing the reactive chamber. A plurality of shutter(9) are installed between the upper plasma source chamber and lower process chamber for switching opening portions. Preferably, the upper portion of the circular channel is connected with a gas manifold(20). Preferably, a plurality of gas dispersing panels(13) are installed at the upper portion of the circular channel, wherein the gas dispersing panel includes a plurality of orifices.
Abstract translation: 目的：提供电感耦合等离子体系统，以便能够改善从等离子体源流出的气体的径向分散的均匀性，并通过使用气体分散面板和快门来防止气体产物回流到电感器。 构成：将基座安装在用于装载基板的下部处理室（2）中。 上等离子体源室（1）安装在下处理室的上部。 反应室（3）安装在上等离子体源室中，用于将等离子体反应物供应到下处理室中，其中反应室包括用于流动气体的多个圆形通道（33）。 电感器（4）安装在上等离子体源室和用于封闭反应室的反应室之间。 多个挡板（9）安装在上等离子体源室和下处理室之间用于切换开口部分。 优选地，圆形通道的上部与气体歧管（20）连接。 优选地，多个气体分散面板（13）安装在圆形通道的上部，其中气体分散面板包括多个孔。
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公开(公告)号：KR1020050079860A
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：KR1020040008174
申请日：2004-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 톨마체프유리 , 마동준 , 김대일 , 나발라세르기야고블레비키
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01J37/32247 , H01J37/32192
Abstract: 다중 개방형 공진기(multiple open end resonant cavity)를 사용하여 마이크로 웨이브 플라즈마를 발생하는 장치 및 이를 이용한 플라즈마 공정장치가 개시된다. 개시된 장치는 공정챔버를 형성하기 위한 컨테이너, 공정챔버 내부에 피처리물을 지지하는 지지부, 공정챔버의 상부에 형성된 유전체 윈도우, 공정챔버 내부에 가스를 주입하기 위한 가스 주입장치 및 유전체 윈도우 상에 마이크로 웨이브를 인가하기 위한 다수의 개방형 공진기를 구비하는 마이크로 웨이브 공급부를 포함한다. 따라서, 처리하고자 하는 기판의 크기가 넓은 경우에도, 다수의 링형의 개방형 공진기를 이용하여 넓은 영역에 걸쳐서 플라즈마를 균일하게 형성할 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100486724B1
公开(公告)日：2005-05-03
申请号：KR1020020062701
申请日：2002-10-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H1/48
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: 개시된 유도결합 플라즈마 발생장치는, 내부가 진공상태로 유지되는 반응챔버와, 반응챔버의 상부에 설치되어 반응챔버 내부로 주입된 반응가스를 이온화하여 플라즈마를 생성시키는 전기장을 유도하는 안테나와, 안테나에 연결되어 안테나에 RF 파우어를 공급하는 RF 전원을 구비하며, 상기 안테나는 원주방향을 따라 지그재그 형태로 꾸불꾸불하게 감겨진 적어도 하나의 사행 코일을 포함하는 서로 다른 반경을 가진 복수의 코일로 이루어진다. 그리고, 반응챔버의 외부에는 원주방향을 따라 다수의 영구자석이 배치될 수 있다. 또한, RF 전원과 안테나의 매칭 네트워크와 안테나 사이에는 LC 공명 현상의 유도를 위해 안테나와 병렬로 커패시터가 설치될 수 있다. 이와 같은 구성에 의하면, 안테나의 인덕턴스가 낮아지고, 용량결합에 의한 영향이 최소화되며, 플라즈마의 균일도를 향상시킬 수 있게 된다. 그리고, LC 공명 현상을 이용하여 효율적인 플라즈마의 방전 및 유지가 가능하게 된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050000727A
公开(公告)日：2005-01-06
申请号：KR1020030041225
申请日：2003-06-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 톨마체프유리 , 나발라세르기야고블레비키 , 마동준 , 김대일
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01J37/32211 , H01J37/321
Abstract: PURPOSE: A high density plasma processing apparatus is provided to improve the uniformity of plasma distribution even on a large wafer by using independently controllable ICP(Inductively Coupled Plasma) and microwave sources. CONSTITUTION: A high density plasma processing apparatus includes a process chamber(110) with a susceptor(112) and a dielectric window, a reaction gas injector, an ICP antenna, a waveguide and a ring type radiation line. The reaction gas injector injects a reaction gas into the chamber. The ICP antenna(130) for transmitting RF(Radio Frequency) power from an RF power supply(132) into the chamber is arranged to correspond to a center portion of the chamber on the dielectric window. The waveguide(142) transmits microwaves oscillating from a microwave oscillator(140). The radiation line(146) for radiating the microwaves into the chamber through slots of its backside is connected with the waveguide on the dielectric window and arranged to enclose the ICP antenna.
Abstract translation: 目的：提供高密度等离子体处理装置，通过使用独立可控的ICP（电感耦合等离子体）和微波源，即使在大晶片上也能提高等离子体分布的均匀性。 构成：高密度等离子体处理装置包括具有基座（112）和电介质窗口的处理室（110），反应气体注入器，ICP天线，波导管和环形辐射线。 反应气体喷射器将反应气体注入到室中。 用于将RF（射频）功率从RF电源（132）发送到室中的ICP天线（130）被布置成对应于电介质窗口上的室的中心部分。 波导（142）发射从微波振荡器（140）振荡的微波。 用于通过其背面的槽将微波辐射到室中的辐射线（146）与电介质窗口上的波导连接并且被布置成包围ICP天线。
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公开(公告)号：KR1020040062846A
公开(公告)日：2004-07-09
申请号：KR1020030000380
申请日：2003-01-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H1/26
CPC classification number: H01J37/321
Abstract: PURPOSE: An inductively coupled antenna and a plasma processing system using the same are provided to improve the plasma uniformity within a reaction chamber by increasing the intensity of the current applied to outside turns of coils. CONSTITUTION: An inductively coupled antenna is formed with coils. The intensity of the current applied to outside turns of the coils is larger than the intensity of the current applied to center turns of the coils. The outside turns and the center turns of the coils are connected in parallel to an RF power supply. The center turns of the coils are connected serially to each other. The total length of the center turns of the coils is longer than the total length of the outside turns of the coils. The inductively coupled antenna includes a conductive metal tube(121) having a cooling water path(122) and a conductive metal strip(123).
Abstract translation: 目的：提供电感耦合天线和使用其的等离子体处理系统，以通过增加施加到线圈外圈的电流的强度来改善反应室内的等离子体均匀性。 构成：电感耦合天线用线圈形成。 施加到线圈的外圈的电流的强度大于施加到线圈的中心匝数的电流的强度。 外部转弯，线圈的中心匝与RF电源并联连接。 线圈的中心匝彼此串联连接。 线圈的中心匝数的总长度大于线圈外圈的总长度。 电感耦合天线包括具有冷却水路径（122）和导电金属带（123）的导电金属管（121）。
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公开(公告)号：KR100917463B1
公开(公告)日：2009-09-14
申请号：KR1020030002731
申请日：2003-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 나발라세르기야고블레비키 , 톨마체프유리 , 마동준 , 김태완
IPC: H01J37/317
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: 마그네트론 캐소드 및 이를 채용하는 스퍼터링 장치가 개시된다. 개시된 마그네트론 캐소드는, 세 개 이상의 자극부를 가지고 자극부 중 일 자극부는 타 자극부의 내부에 위치하며, 인접하는 상이한 자극부는 상이한 극성을 가지고 동일 자극부는 동방향으로 동일 극성이 배열되는 마그네트를 포함한다. 자기장의 분포를 균일하게 형성하여 타겟의 식각 프로파일을 넓고 균일하게 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060132326A
公开(公告)日：2006-12-21
申请号：KR1020050052615
申请日：2005-06-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05H1/54
CPC classification number: H05H1/54 , F03H1/0075
Abstract: A multi-channel plasma accelerator, a phase detecting method of the same, and a receiver using the same are provided to process a substrate of a large surface area at a uniform etching ratio by uniformly making a density of plasma and ion flux in channels. A center cylinder(205) is formed along a column-shaped surface with a closed upper surface, and forms a first channel in the column-shaped surface. First and second outer cylinders(230,250) are disposed coaxially with the center cylinder, and are formed along a column-shaped surface to have a diameter different form that of the center cylinder. The center cylinder is connected to the first outer cylinder by a first connection(220), and the first and second outer cylinders are connected by a second connection(240).
Abstract translation: 提供了一种多通道等离子体加速器，其相位检测方法和使用该多通道等离子体加速器的接收器，通过均匀地使通道中的等离子体和离子通量的密度均匀地处理大面积的基板。 沿着具有封闭的上表面的柱状表面形成中心圆柱体（205），并且在柱状表面中形成第一通道。 第一和第二外筒（230,250）与中心筒同轴地设置，并且沿柱状表面形成为具有与中心筒的直径不同的直径。 中心圆筒通过第一连接件连接到第一外筒，并且第一和第二外筒通过第二连接件连接。
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公开(公告)号：KR1020040065648A
公开(公告)日：2004-07-23
申请号：KR1020030002731
申请日：2003-01-15
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 나발라세르기야고블레비키 , 톨마체프유리 , 마동준 , 김태완
IPC: H01J37/317
CPC classification number: C23C14/35 , H01J37/3408
Abstract: PURPOSE: A magnetron cathode and a magnetron sputtering apparatus having therefore are provided to improve a film uniformity and a deposition rate by etching uniformly a target. CONSTITUTION: A magnetron cathode(35) comprises a first electrode installing a plate(37), a target(31) opposed about the plate and formed with a material deposited at the plate, a second electrode located at a rear surface of the target, and a magnet located at a back side of the second electrode and having a more than three magnetic pole part(35a,35b,35c). One magnetic pole part among the magnetic pole part is located inside of other magnetic pole part, and an adjacent different magnetic pole part has a different polarity and a same magnetic pole part is arranged at the same polarity with a same direction. The more than three magnetic pole parts have a coaxial cable and are an axis of symmetry. A magnetic pole part located at the most inner side among the magnetic pole part has a cavity inside. A magnetron sputtering apparatus comprises a supporting part(47) for supporting the magnetron cathode.
Abstract translation: 目的：提供一种磁控管阴极和磁控溅射装置，以通过均匀地蚀刻靶来提高膜的均匀性和沉积速率。 构成：磁控管阴极（35）包括安装板（37）的第一电极，围绕板对置并形成有沉积在板上的材料的靶（31），位于靶的后表面的第二电极， 位于第二电极的后侧的磁铁，具有三个以上的磁极部（35a，35b，35c）。 磁极部中的一个磁极部分位于其他磁极部分的内部，相邻的不同的磁极部分具有不同的极性，并且相同磁极部分以相同的方向以相同的极性排列。 超过三个磁极部件具有同轴电缆并且是对称轴。 位于磁极部分最内侧的磁极部分内部具有空腔。 磁控溅射装置包括用于支撑磁控管阴极的支撑部分（47）。
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