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公开(公告)号：KR1020150027677A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020140049450
申请日：2014-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F21/30
Abstract: 본 발명은 데이터 프로세싱 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 데이터 프로세싱 시스템은, 메모리, 중앙 처리부, 그리고 키 관리자를 포함한다. 키 관리자는, 커맨드를 저장하는 제1 레지스터, 사용자 설정 값을 저장하는 제2 레지스터, 고유값을 출력하는 고유값 저장부, 그리고 커맨드에 응답하여, 사용자 설정 값 및 고유값을 이용하여 키를 생성하는 메인 컨트롤러로 구성된다. 고유값은 키 관리자의 외부로 출력되지 않고 키 관리자의 내부에서만 사용된다. 키 관리자는, 동일한 사용자 설정 값들을 이용하여 동일한 키들을 생성하고, 서로 다른 사용자 설정 값들을 이용하여 서로 다른 키들을 생성한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种包括密钥管理器的数据处理系统，其具有改进的安全性并且管理用于加密和解密的密钥以及密钥管理器的操作方法。 数据处理系统技术领域本发明涉及数据处理系统。 数据处理系统包括存储器，中央处理单元和密钥管理器。 密钥管理器包括配置为存储命令的第一寄存器，被配置为存储用户设置的第二寄存器，被配置为输出唯一值的唯一值存储单元，以及被配置为使用用户设置和唯一值生成密钥的主控制器。 唯一的值仅在密钥管理器中使用，而不输出到密钥管理器的外部。 密钥管理器使用相同的用户设置生成相同的密钥，并使用不同的用户设置生成不同的密钥。
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公开(公告)号：KR101344483B1
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：KR1020070063826
申请日：2007-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869
Abstract: 박막트랜지스터에관해개시되어있다. 개시된본 발명의박막트랜지스터는게이트절연층을사이에두고형성된게이트전극및 채널층, 및상기채널층의양단과각각접촉된소오스전극및 드레인전극을포함하되, 상기채널층은전이금속이도핑된 IZO(Indium Zinc Oxide)를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR1020120095151A
公开(公告)日：2012-08-28
申请号：KR1020110014649
申请日：2011-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/115 , G01T1/24
CPC classification number: H01L27/14659 , H01L27/14632 , H01L27/14676 , G01T1/24 , H01L31/115
Abstract: PURPOSE: An X-ray detector including a diffusion preventing layer is provided to prevent the deterioration of a photo conductor by preventing a contact between a pixel electrode and the photo conductor. CONSTITUTION: A transistor and a signal storage capacitor are serially arranged on a substrate. An insulation layer covers the transistor and the capacitor on the substrate. A pixel electrode(111) is connected to a top electrode of the capacitor on the insulation layer. A first diffusion preventing layer(112) covers the pixel electrode on the insulation layer. A photoconductor(110) is formed on the first diffusion preventing layer. A common electrode is formed on the photo conductor. A signal processing unit(150) is connected to a drain electrode of the transistor.
Abstract translation: 目的：提供包括防扩散层的X射线检测器，通过防止像素电极和光导体之间的接触来防止光导体的劣化。 构成：晶体管和信号存储电容串联设置在基板上。 绝缘层覆盖晶体管和基板上的电容器。 像素电极（111）连接到绝缘层上的电容器的顶部电极。 第一扩散防止层（112）覆盖绝缘层上的像素电极。 在第一扩散防止层上形成光电导体（110）。 在光导体上形成公共电极。 信号处理单元（150）连接到晶体管的漏电极。
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公开(公告)号：KR1020110074361A
公开(公告)日：2011-06-30
申请号：KR1020090131298
申请日：2009-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A gate driving device and a gate driving method are provided to recycle a next pixel row by providing current discharged from a previous pixel row for the next pixel column. CONSTITUTION: A plurality of shifts(101,102,103,104) include a set signal input terminal, a first clock input terminal, a second clock input terminal, and an output terminal. A plurality of switches transfer the residual current discharged from each shift to the output of the other shift. A switch control unit(120) controls switching operations of a plurality of switches. A clock generator(110) generates a plurality of clocks to be inputted into the first clock input terminal and the second clock input terminal. The clock generator repeatedly generates sequentially three phase-shifted clock signals.
Abstract translation: 目的：提供一种栅极驱动装置和栅极驱动方法，用于通过从下一像素列的先前像素行排出的电流来再循环下一个像素行。 构成：多个位移（101,102,103,104）包括设定信号输入端子，第一时钟输入端子，第二时钟输入端子和输出端子。 多个开关将从每个移位放电的剩余电流传送到另一个移位的输出。 开关控制单元（120）控制多个开关的开关动作。 时钟发生器（110）产生要输入到第一时钟输入端和第二时钟输入端的多个时钟。 时钟发生器反复产生三个相移时钟信号。
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公开(公告)号：KR1020100121256A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090040323
申请日：2009-05-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14636 , H01L27/1225 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14641 , H01L27/14645 , H01L27/14689
Abstract: PURPOSE: A CMOS image sensor is provided to reduce the size of a unit pixel and improve the sensitivity of the unit pixel at the same time by increasing the area of a photodiode within the unit pixel. CONSTITUTION: A plurality of photo diodes(102) is arranged in two dimension array. An inter-layer insulating film(110) is formed on the photo diode. A first metal layer(120) is formed on the inter-layer insulating film. A first inter-metal insulator(130) is formed on the first metal layer. An oxide semiconductor transistor layer(140) is formed on the first inter-metal insulator.
Abstract translation: 目的：提供CMOS图像传感器，通过增加单位像素内的光电二极管的面积来减小单位像素的大小，同时提高单位像素的灵敏度。 构成：多个光电二极管（102）被布置成二维阵列。 在光电二极管上形成层间绝缘膜（110）。 第一金属层（120）形成在层间绝缘膜上。 第一金属间绝缘体（130）形成在第一金属层上。 在第一金属间绝缘体上形成氧化物半导体晶体管层（140）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090096155A
公开(公告)日：2009-09-10
申请号：KR1020080021567
申请日：2008-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/78 , G02F1/136
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: A transistor is provided to control threshold voltage of a channel layer by adjusting the threshold voltage of the channel layer with an insertion layer without the carrier concentration of the channel layer. In a transistor, a source and a drain are contacted with both ends of a channel layer(C1). A gate electrode(G1) is separated from the channel layer, and a gate isolation layer(GI1) is equipped between the channel layer and the gate electrode. The channel layer and insertion layer having different work functions are equipped between the channel layer and gate isolation layer. A channel layer is a oxide semiconductor layer, and an energy band gap of the insertion layer is greater than that of the channel layer.
Abstract translation: 提供晶体管以通过利用插入层调整沟道层的阈值电压而不使沟道层的载流子浓度来控制沟道层的阈值电压。 在晶体管中，源极和漏极与沟道层（C1）的两端接触。 栅极电极（G1）与沟道层分离，栅极隔离层（GI1）配置在沟道层和栅电极之间。 具有不同功函数的沟道层和插入层配置在沟道层和栅极隔离层之间。 沟道层是氧化物半导体层，插入层的能带隙大于沟道层的能带隙。
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公开(公告)号：KR1020080088284A
公开(公告)日：2008-10-02
申请号：KR1020070031087
申请日：2007-03-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28282 , B82Y10/00 , H01L21/28273 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/42324 , H01L29/4234 , H01L29/7881 , H01L29/792 , H01L21/76826
Abstract: A flash memory device is provided to eliminate an additional doping process for forming a channel by using a channel supply layer including a ZnO-containing material and a GaInZnO-containing material. A flash memory device includes a gate structure(20) which is formed on a substrate(11). The flash memory device includes a charge supply layer(13) having a ZnO-based material. The ZnO-based material is formed between the substrate and the gate structure or on the gate structure. The charge supply layer includes a material including ZnO or GaInZnO. The charge supply layer is made of a material including a(In2O3)b(Ga2O3)c(ZnO) where a, b, and c are real numbers satisfying conditions of a>=0, b>=0, c>=0.
Abstract translation: 提供闪速存储器件以通过使用包含含ZnO材料和含GaInZnO的材料的沟道供应层来消除用于形成沟道的附加掺杂工艺。 闪存器件包括形成在衬底（11）上的栅极结构（20）。 闪存器件包括具有ZnO基材料的电荷供给层（13）。 ZnO基材料形成在基板和栅极结构之间或栅极结构上。 电荷供给层包括包含ZnO或GaInZnO的材料。 电荷供给层由包括（In 2 O 3）b（Ga 2 O 3）c（ZnO）的材料制成，其中a，b和c是满足条件a> = 0，b> = 0，c> = 0的实数。
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公开(公告)号：KR1020080074515A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020070013747
申请日：2007-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: A thin film transistor is provided to prevent the characteristic of a channel layer from being deteriorated by plasma by including a channel layer of a dual layer in which the upper layer of the channel layer is lower in carrier density than the lower layer of the channel layer. A gate electrode(140) and a channel layer(110) are formed at both sides of a gate insulation layer. A source electrode(120a) and a drain electrode(120b) respectively come in contact with both ends of the channel layer. The channel layer has a structure of a dual layer in which the upper layer(20) of the channel layer has a lower carrier density than the lower layer(10) of the channel layer. The channel layer can be made of a ZnO-based material. Carrier acceptor can be doped into the upper layer of the channel layer so that the upper layer has higher electric resistance than the lower layer of the channel layer.
Abstract translation: 提供一种薄膜晶体管，以通过包括沟道层的上层在载流子密度中比通道层的下层更低的双层的沟道层来防止沟道层的特性劣化 。 在栅极绝缘层的两侧形成栅电极（140）和沟道层（110）。 源电极（120a）和漏电极（120b）分别与沟道层的两端接触。 沟道层具有双层结构，其中沟道层的上层（20）具有比沟道层的下层（10）更低的载流子密度。 沟道层可以由ZnO基材料制成。 载流子受体可以掺杂到沟道层的上层中，使得上层具有比沟道层的下层更高的电阻。
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公开(公告)号：KR1020060093572A
公开(公告)日：2006-08-25
申请号：KR1020050014652
申请日：2005-02-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L9/06
Abstract: 본 발명에 따른 RC4 알고리즘을 하드웨어로 구현한 보안 알고리즘 회로 및 데이터 암호화 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 보안 알고리즘 회로는 S박스, 읽기 제어 로직, 레지스터, 그리고 쓰기 제어 로직을 포함한다. 상기 S박스는 제 1 및 제 2 포트를 가지며, 하나의 클록 신호에 응답하여 제 1 포트를 통해 데이터를 출력하고, 동시에 제 2 포트를 통해 데이터를 입력받는다. 상기 읽기 제어 로직은 상기 제 1 포트에 연결되며, 상기 S박스의 읽기 동작을 제어한다. 상기 레지스터는 상기 읽기 제어 로직에서 출력된 어드레스 및 상기 S박스에서 출력된 데이터를 저장한다. 상기 쓰기 제어 로직은 상기 레지스터에 저장된 어드레스 및 데이터를 입력받고, 상기 S박스의 쓰기 동작을 제어한다. 본 발명에 따른 보안 알고리즘 회로는 읽기 제어 로직과 쓰기 제어 로직을 따로 구비하고 있기 때문에 보안 알고리즘의 설계가 용이하며, 듀얼 포트 에스램을 사용하여 파이프 라인 방식으로 동작하기 때문에 종래에 비해 클록수를 줄일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950010155A
公开(公告)日：1995-04-26
申请号：KR1019930018356
申请日：1993-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01M10/00
Abstract: 2차전지의 음극 제조방법 및 이를 갖는 2차전지가 개시된다. Ti+Ni을 적어도 40 원자% 이상 함유한 수소저장합금을 분쇄하고 기판상에 충전하는 단계를 포함하는 2차전지의 음극 제조방법에 있어서, 상기 수소저장합금을 700 내지 1350℃ 온도 범위에서 1 내지 80시간 동안 열처리하는 단계, 및 상기 열처리한 수소저장합금을 분쇄한 다음에 슬러리로 제조하여 기판상에 충전하고 압착하는 단계를 포함하는 2차전지의 음극 제조방법에 따라 제조된 음극을 갖는 2차전지의 내압 특성 및 내구성이 향상되고 급속충방전이 가능하게 된 우수한 것이다.
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