公开(公告)号：KR1020000031336A

公开(公告)日：2000-06-05

申请号：KR1019980047319

申请日：1998-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김철 ,  박태수 ,  강광석

IPC: F24C7/08

Abstract: PURPOSE: An automatic deciding apparatus of a cooking load is provided to automatically cook a cooking material by proper cooking time and cooking output after deciding the cooking load injected into a cooking chamber by detecting output voltage. CONSTITUTION: A key input unit(150) feeds the command of a user to a control unit(140) so the control as to control the action of a drive unit(110). A display unit(160) indicates the working state of a microwave oven through the control unit. A microwave oscillating unit(120) is driven by the voltage fed from a high voltage transformer(HVT). A voltage detecting unit(130) detects the output voltage of the microwave oscillating unit while the control unit decides the cooking load injected into a cooking chamber by employing the output voltage. Also, the drive unit drives the microwave oven with proper cooking time and cooking output depending on the cooking load. A filter matching unit(100) feeds alternating currents(AC) to the drive unit and prevents high frequency from feeding back to an input line.

Abstract translation: 目的：提供烹饪负荷的自动判定装置，通过检测输出电压来决定烹调室内的烹调负荷后，通过适当的烹调时间和烹调输出来自动烹调烹调材料。 构成：键输入单元（150）将用户的命令馈送到控制单元（140），以便控制以控制驱动单元（110）的动作。 显示单元（160）指示通过控制单元的微波炉的工作状态。 微波振荡单元（120）由从高压变压器（HVT）馈送的电压驱动。 电压检测单元（130）通过采用输出电压来检测微波振荡单元的输出电压，同时控制单元决定喷射到烹饪室中的烹调负荷。 此外，驱动单元驱动微波炉，具有适当的烹饪时间和烹饪输出，取决于烹饪负载。 滤波器匹配单元（100）将交流电（AC）馈送到驱动单元，并防止高频反馈到输入线。

公开(公告)号：KR1019980012240A

公开(公告)日：1998-04-30

申请号：KR1019960028298

申请日：1996-07-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박태수

IPC: H01L21/76

公开(公告)号：KR100855983B1

公开(公告)日：2008-09-02

申请号：KR1020070019878

申请日：2007-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장명준 ,  박태수

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/525 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 메탈-절연막-메탈 캐패시터층들을 다층으로 적층한 반도체 소자의 캐패시턴스 트리밍회로를 개시한다. 반도체 소자의 캐패시턴스 트리밍회로는 수직방향으로 적층되는 캐패시턴스 트리밍용 다수의 캐패시터층과 상기 캐패시터층들에 각각 대응하여 배열되는 다수의 퓨즈들을 구비한다. 각 캐패시터층은 각각 수평방향으로 배열되는 제1캐패시터 전극부와 제2캐패시터 전극부를 구비한다. 상기 제1캐패시터 전극부는 제1방향으로 연장되는 제1바디라인과 상기 제1바디라인의 일측으로부터 제2방향으로 연장되는 다수의 제1전극라인들을 구비한다. 상기 제2캐패시터 전극부는 상기 제1방향으로 연장되는 제2바디라인과 상기 제2바디라인의 일측으로부터 상기 제2방향으로 연장되되 이웃하는 제1전극라인들사이에 각각 배열되는 다수의 제2전극라인들을 구비한다. 각 퓨즈는 각 캐패시터층의 상기 제1캐패시터 전극부 및 상기 제2캐패시터 전극부중 하나에 각각 연결된다. 상기 퓨즈들은 컷팅여부에 따라 상기 캐패시터층들중 상기 캐패시턴스 트리밍을 위한 캐패시터층들을 선택한다.

公开(公告)号：KR1020080079542A

公开(公告)日：2008-09-01

申请号：KR1020070019878

申请日：2007-02-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장명준 ,  박태수

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L23/5223 ,  H01L23/525 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A capacitance trimming circuit of a semiconductor device having a vertically laminated capacitor layer is provided to reduce an area of a fuse by trimming capacitance of the capacitor with the cutting of an electricity fuse. Plural capacitor layers(V_Cn1-V_Cn) for trimming capacitance have a first capacitor electrode unit(111) and a second capacitor electrode unit(115) that are respectively arranged in a vertical direction. The first capacitor electrode unit has a first body line(111a) extended in a first direction and plural first electrode lines(111b) extended in a second direction from a side of the first body line. The second capacitor electrode unit has a second body line(115a) extended in the first direction and plural second electrode lines(115b) extended in the second direction from a side of the second body line. The second electrode lines are respectively arranged between the first electrode lines. The capacitors are laminated in a vertical direction. Plural fuses are arranged to corresponding capacitor layers. The fuses are respectively connected to one of the first capacitor electrode and the second capacitor electrode unit of the respective capacitor layers. The fuses select the capacitors for trimming capacitance of the capacitors according to a cutting.

Abstract translation: 提供具有垂直层叠电容器层的半导体器件的电容微调电路，通过切断电熔断器来调整电容器的电容来减小熔丝的面积。 用于修整电容的多个电容器层（V_Cn1-V_Cn）具有分别沿垂直方向布置的第一电容器电极单元（111）和第二电容器电极单元（115）。 第一电容器电极单元具有沿第一方向延伸的第一主体线（111a）和从第一主体线侧向第二方向延伸的多个第一电极线（111b）。 第二电容电极单元具有在第一方向上延伸的第二体线（115a）和从第二体线的一侧沿第二方向延伸的多个第二电极线（115b）。 第二电极线分别设置在第一电极线之间。 电容器沿垂直方向层叠。 多个保险丝被布置到相应的电容器层。 保险丝分别连接到各个电容器层的第一电容器电极和第二电容器电极单元中的一个。 保险丝根据切割选择电容器的电容器的电容器。

公开(公告)号：KR1020040026335A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：KR1020020057765

申请日：2002-09-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유영섭 ,  이현덕 ,  박태수 ,  김봉현 ,  임헌형 ,  형용우

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823425

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a metal oxide semiconductor(MOS) transistor is provided to prevent an impurity-implanted region from being recessed in a process for cleaning a substrate by forming a substrate passivation layer before an impurity implantation process is performed. CONSTITUTION: A gate electrode in which a gate insulation layer pattern and a conductive layer pattern are stacked is formed on the substrate(100). The substrate passivation layer(110) is formed on the gate electrode and the substrate to prevent a recess from being formed on the substrate in a cleaning process. A mask pattern is formed to mask a part of the substrate on which the substrate passivation layer is formed. Impurities are implanted into a portion under the surface of the exposed substrate including the mask pattern to form a source/drain region. The substrate is cleaned to completely eliminate the mask pattern while the substrate passivation layer is completely or partially removed.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造金属氧化物半导体（MOS）晶体管的方法，以在通过在执行杂质注入工艺之前形成衬底钝化层来防止杂质注入区域在用于清洁衬底的工艺中凹陷。 构成：在基板（100）上形成栅绝缘层图案和导电层图案层叠的栅电极。 衬底钝化层（110）形成在栅电极和衬底上，以防止在清洁过程中在衬底上形成凹陷。 形成掩模图案以掩盖其上形成有衬底钝化层的衬底的一部分。 将杂质植入包括掩模图案的暴露的基底的表面下方的部分，以形成源/漏区。 对衬底进行清洁以完全消除掩模图案，同时完全或部分去除衬底钝化层。

公开(公告)号：KR100341331B1

公开(公告)日：2002-06-22

申请号：KR1020000003119

申请日：2000-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손종철 ,  박태수

IPC: F24C7/08

Abstract: 전자렌지의 해동 제어방법이 개시된다. 개시된 바와 같이, 본 발명의 해동 제어방법은, 소정 주기동안 센서로부터 검출되는 데이터를 각각 합하여 적산치를 구하는 단계와, 상기 적산치가 미리 설정된 수렴특성데이터에 수렴되는 상태를 산출하여 동결된 조리물의 특성을 검출하는 단계 및, 상기 검출된 동결된 조리물의 특성에 따라 해동시간을 연장하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020010073926A

公开(公告)日：2001-08-03

申请号：KR1020000003121

申请日：2000-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손종철 ,  박태수

IPC: F24C7/08

Abstract: PURPOSE: An automatic cooking control method of a microwave oven is provided to select a cooking mode adaptively for the weight of popcorn by deciding the weight of popcorn depending on whether the sum of data detected from a sensor reaches set value. CONSTITUTION: A microcomputer generates microwaves from a magnetron and rotates a turntable at specific velocity when a user puts popcorn in a cavity and selects a popcorn mode. The microcomputer adds plural data detected by a cooking sensor from plural measuring points and saves the data in a memory. The microcomputer decides if the data sum value is larger than 35. If so, the microcomputer increase number data(a) higher than the set value and saves the data in the memory. The microcomputer decides 6 rotation of the turntable. Then, the microcomputer decides if the number of the data sum values larger than 35 is larger than 2. If so, the microcomputer finishes the cooking mode by deciding the popcorn having small size. The microcomputer keeps the cooking mode having the large size of popcorn if the number is smaller than 2. Finally, the microcomputer finishes cooking the large size of popcorn when the turntable is rotated 10 times. Therefore, the microwave oven cooks the popcorn automatically depending on the small or large size of the popcorn.

Abstract translation: 目的：提供微波炉的自动烹饪控制方法，根据传感器检测到的数据总和达到设定值，通过决定爆米花的重量，自动选择适合爆米花重量的烹饪方式。 构成：当用户将爆米花放在腔中并选择爆米花模式时，微型计算机从磁控管产生微波并以特定速度旋转转台。 微型计算机从多个测量点添加由烹调传感器检测的多个数据，并将数据保存在存储器中。 微计算机判定数据和值是否大于35.如果是这样，微机增加数值（a）高于设定值，并将数据保存在存储器中。 微型计算机决定转盘旋转6圈。 然后，微计算机判定大于35的数据和值的数量是否大于2.如果是，则微计算机通过确定具有小尺寸的爆米花来完成烹饪模式。 如果数量小于2，则微型计算机保持具有大尺寸爆米花的烹饪模式。最后，当转台旋转10次时，微计算机完成烹饪大尺寸的爆米花。 因此，微波炉根据爆米花的大小或大小自动烹饪爆米花。

公开(公告)号：KR1020010073925A

公开(公告)日：2001-08-03

申请号：KR1020000003120

申请日：2000-01-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 손종철 ,  박태수

IPC: F24C7/08

Abstract: PURPOSE: A control method of popcorn cooking in a microwave oven is provided to enhance convenience of a user by automatically cooking various popcorn through single operation of a function key without inputting the weight of popcorn. CONSTITUTION: A microcomputer generates microwaves from a magnetron and rotates a turntable when a user puts popcorn in a cavity of a microwave oven and starts a popcorn mode. The microcomputer collects, adds data detected from a cooking sensor and saves the data in a memory. If the turntable is rotated once, the microcomputer obtains difference between the initial data sum(S0) and the first data sum(S1) and checks if the difference is larger than 3. If so, the microcomputer increases the number(a) of difference value(M1) larger than 3. The microcomputer decides twice rotation of the turntable. The microcomputer obtains difference between the first sum(S1) and the second data sum(S2) and checks if the value is larger than 3. The other processes are performed in the same method until the microcomputer checks 5 rotation of the turntable. After that, the microcomputer counts the number(a) of difference values(M1-M5) larger than 3 from the sum values(S0-S5). If the number is smaller than 3, the microcomputer decides the popcorn having small size. Therefore, the microcomputer stops the magnetron and finishes the cooking mode.

Abstract translation: 目的：提供在微波炉中烹饪爆米花的控制方法，以通过功能键的单次操作自动烹饪各种爆米花来增强用户的便利性，而无需输入爆米花的重量。 构成：当用户将爆米花放在微波炉的空腔中时，微型计算机从磁控管产生微波并旋转转台，并启动爆米花模式。 微计算机收集，添加从烹饪传感器检测到的数据，并将数据保存在存储器中。 如果转盘旋转一次，则微型计算机获得初始数据和（S0）与第一数据和（S1）之间的差异，并检查差值是否大于3.如果是，则微机增加差异数（a） 值（M1）大于3.微型计算机转动转盘两次旋转。 微型计算机获得第一和（S1）和第二数据和（S2）之间的差异，并检查该值是否大于3.其他处理以相同的方法执行，直到微型计算机检查转盘的5转。 之后，微计算机从和值（S0-S5）计数大于3的差值（M1-M5）的数量（a）。 如果数字小于3，则微型计算机会决定具有小尺寸的爆米花。 因此，微型计算机停止磁控管并完成烹调模式。

公开(公告)号：KR1019970054351A

公开(公告)日：1997-07-31

申请号：KR1019950057155

申请日：1995-12-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상훈 ,  박태수

IPC: H01L29/70

Abstract: 소오스와 드레인 간의 항복 전압(Breakdown Voltage)을 개선한 SOI(Silicon－on－insulator) 구조의 MOSFET이 개시된다.
본 발명은 제1도전형의 반도체 기판, 매몰산화층, 상기 매몰산화층 상부에 형성된 제2도전형의 반도체층과, 이 반도체층 상에 게이트 산화막을 개재하여 형성된 게이트를 구비한 SOI 구조의 MOSFET에 있어서, 상기 반도체층이 상기 게이트 직하부의 채널영역과, 상기 채널영역의 양측에 채널영역과는 다른 도전형을 갖는 고농도의 소오스 및 드레인 영역과, 상기 소오스와 채널영역과의 사이의 상기 게이트 하부에 형성된 SSI(Source Side Injection) 영역으로 구성되고, 상기 SSI 영역은 상기 채널영역과는 동일한 도전형을 갖으며 채널영역보다는 높은 농도를 갖는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019970030774A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950042651

申请日：1995-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박태수

IPC: H01L27/04

Abstract: 출력버퍼 트랜지스터의 특성을 고려하지 않고 보호회로를 제작할 수 있는 출력버퍼 ESD 보호회로를 개시한다. 반도체 장치의 출력 버퍼에 있어서, 옵션 보호회로로 사용한 NMOS트랜지스터가 출력 버퍼 풀다운 NMOS트랜지스터보다 작은 게이트 길이(length)를 갖는 것을 특징으로 하는 ESD 보호회로를 제공한다. 상기 옵션 보호회로 NMOS트랜지스터 게이트 길이가 출력버퍼 풀다운 트랜지스터 게이트의 80% 이하를 갖는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 출력버퍼 트랜지스터의 특성을 고려하지 않고 ESD보호회로를 제작할 수 있다.