公开(公告)号：KR1020000007536A

公开(公告)日：2000-02-07

申请号：KR1019980026914

申请日：1998-07-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 배대훈 ,  이재동 ,  이재철 ,  황기현

IPC: H01L27/108

Abstract: PURPOSE: A method of forming a storage node is provided to reduce storage node-to-pad contact resistance and increase an effective surface area of the storage node. CONSTITUTION: The storage node comprises a first insulating layer formed on a semiconductor substrate, a pad penetrating the first insulating layer to be electrically connected to the semiconductor substrate, a second insulating layer formed on the pad and the second insulating layer, and an opening exposing a top surface of the pad by etching a part of the second insulating layer. The method comprises the steps of forming a first high doped polysilicon layer on the second insulating layer including the opening to cover a bottom of the opening using a first mixture gas at a predetermined temperature; and forming a second low doped polysilicon layer on the first polysilicon layer using a second mixture gas at a predetermined temperature.

Abstract translation: 目的：提供一种形成存储节点的方法，以减少存储节点间焊接触电阻并增加存储节点的有效表面面积。 构成：存储节点包括形成在半导体衬底上的第一绝缘层，穿透第一绝缘层以与半导体衬底电连接的焊盘，形成在焊盘和第二绝缘层上的第二绝缘层，以及露出 通过蚀刻第二绝缘层的一部分来形成焊盘的顶表面。 该方法包括以下步骤：在包括开口的第二绝缘层上形成第一高掺杂多晶硅层，以在预定温度下使用第一混合气体覆盖开口的底部; 以及在预定温度下使用第二混合气体在所述第一多晶硅层上形成第二低掺杂多晶硅层。

公开(公告)号：KR1019990081134A

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019980014912

申请日：1998-04-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 구본영 ,  홍경훈 ,  배대훈 ,  남석우

IPC: H01L21/76

Abstract: 본 발명은 트렌치 격리 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 트렌치 형성 패턴이 형성되고, 상기 트렌치 형성 패턴이 마스크로서 사용되어 상기 반도체 기판이 식각되어 트렌치가 형성는데, 상기 트렌치의 에지(edge) 부위(a)가 라운드(round)지게 형성된다. 상기 트렌치 형성시 발생된 표면 손상을 제거하기 위해 상기 트렌치의 양측벽 및 하부면에 열산화막(16)이 형성되고, 상기 트렌치를 절연 물질로 채워지고, 상기 절연 물질의 치밀화를 위해 상기 반도체 기판이 열처리된다. 이와 같은 트렌치 격리 형성 방법에 의해서, 트렌치 격리의 부피팽창을 방지할 수 있고, 상기 트렌치 격리의 부피팽창으로 인해 발생되는 실리콘 기판의 스트레스를 방지할 수 있어 디스로케이션과 같은 실리콘 격자의 손상을 방지할 수 있다. 또한 트렌치 격리 하부 에지 부위를 라운드지게 형성할 수 있어, 스트레스가 하부 에지 부위에 집중되는 것을 방지할 수 있다. 이로 인해 디스로케이션과 같은 실리콘 격자의 손상을 방지할 수 있다.