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公开(公告)号：KR1020090118802A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：KR1020080090726
申请日：2008-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사 , 퍼듀 리서치 파운데이션
Inventor： 서정훈 , 알루코오바다밀로아 , 김성진 , 러브데이비드제이. , 크로그마이어제임스.브이.
IPC: H04B7/04
CPC classification number: H04B7/0452 , H04L25/03235 , H04L25/03242 , H04L25/03254 , H04L25/03318 , H04L25/03331 , H04L25/03891 , H04L25/03968 , H04L2025/03426 , H04L2025/03624
Abstract: PURPOSE: A decoder using perturbation vector for a multiple input multiple output communication system and a decoding method thereof are provided to use a pre perturbation decoder or a post perturbation vector perturbing estimation values of a receiving vector or a transmitting symbol, thereby improving decoding performance. CONSTITUTION: A post perturbation decoder includes a spatial filter(210), a post perturbation vector provider(220), a candidate extractor(230) and a determiner(240). The spatial filter performs spatial filtering of a received vector. The post perturbation vector provider provides post perturbation vectors. The candidate extractor perturbs an estimation value of a transmission symbol vector through the post perturbation vectors. The candidate extractor extracts candidates of the transmission symbol vector. The determiner performs determination based on the candidates of the transmission symbol vector.
Abstract translation: 目的：提供一种使用用于多输入多输出通信系统的扰动向量的解码器及其解码方法，以利用接收向量或发送符号的预扰动解码器或后置扰动向量扰动估计值，从而提高解码性能。 构成：后置扰动解码器包括空间滤波器（210），后置扰动矢量提供器（220），候选提取器（230）和确定器（240）。 空间滤波器对接收的矢量执行空间滤波。 后扰动向量提供者提供后置扰动向量。 候选提取器通过后置扰动向量扰乱传输符号向量的估计值。 候选提取器提取发送符号向量的候选。 确定器基于发送符号向量的候选来执行确定。
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公开(公告)号：KR100861931B1
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020050049624
申请日：2005-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/879
CPC classification number: H04L47/2441 , H04L49/90 , H04L49/901 , H04L49/9042 , H04L49/9094
Abstract: 패킷 수집(Packet Aggregation)을 위한 버퍼 장치 및 방법은, 상기 패킷들의 위치정보를 비트맵으로 구성하고 있는 수집 생성기와, 상기 패킷들의 위치 정보를 이용하여 패킷을 수집하는 수집 제어기에서, 비트맵으로 구성된 프레임 디스크립터(Frame Descriptor)들의 위치정보를 이용하여 패킷들을 수집하는 과정과, 상기 수집된 패킷들을 하나의 수집 PSDU(PHY Service Data Unit)으로 구성하여 목적지로 전송하는 과정과, 상기 전송한 결과를 상기 프레임 디스크립터의 상태 정보에 기록하는 과정을 포함하여, 수집(Aggregation)시 TID(Traffic ID) 검색에 따른 오버헤드가 줄기 때문에 상기 수집에 따른 검색 시간을 단축할 수 있고, 상기 비트맵을 통하여 같은 종류의 트래픽은 상기 TID가 같기 때문에 대략적인 지연 시간 예상이 가능하므로 상기 TID별로 선택적인 프레임의 폐기가 가능하여 QoS를 향상 시킬 수 있는 이점이 있다.
패킷 수집(Packet Aggregation), 버퍼 디스크립터(Buffer Descriptor), 프레임 디스크립터(Frame Descriptor), 비트맵(Bitmap)-
公开(公告)号：KR100850912B1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：KR1020050051186
申请日：2005-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/28
CPC classification number: H04W52/0216 , H04W52/0232 , Y02D70/142
Abstract: 본 발명은 무선통신시스템에서 전력 절약 장치 및 방법에 관한 것으로, 접속점(Access Point)이, 슬립모드인 단말기들로 전송할 프레임들을 슬립모드용 버퍼에 버퍼링하는 과정과, 단말기(station)가, 웨이크업시, 웨이크업을 통보하는 제1 제어정보 프레임을 상기 접속점으로 전송하는 과정과, 상기 접속점이, 상기 제1 제어정보 프레임에 응답하는 요청송신시간을 포함하는 제2 제어정보 프레임을 상기 단말기로 전송하는 과정과, 상기 단말기가, 상기 제2 제어정보 프레임에 응답하는 제3 제어정보 프레임을 생성하고, 상기 제3 제어정보 프레임과 송신 프레임들을 제1 프로토콜 유닛으로 집성(aggregation)하여 상기 접속점으로 전송하는 과정과, 상기 접속점이, 상기 제3 제어정보 프레임에 응답하는 제4 제어정보 프레임을 생성하고, 상기 제4 제어정보 프레임과 상기 단말기의 버퍼링 프레임들을 제2 프로토콜 데이터 유닛으로 집성(aggregation)하여 상기 단말기로 전송하는 과정을 포함한다.
전력절약모드, 무선랜, 슬립모드, 집성(Aggregation)-
公开(公告)号：KR100799703B1
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：KR1020050102949
申请日：2005-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76841 , C23C16/4405 , C23C16/45508 , H01L21/28556
Abstract: 막 형성 방법은 제1 웨이퍼에 티타늄 막 및 티타늄 질화막을 순차적으로 형성한다. 상기 티타늄 질화막 형성시 챔버의 내부에 흡착된 반응 부산물을 제거한다. 이후 제2 웨이퍼에 대해 티타늄 막 형성, 티타늄 질화막 형성 및 반응 부산물 제거를 반복하여 수행한다. 따라서 막 형성시 티타늄 질화막 형성에 따른 반응 부산물의 리프팅을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080002547A
公开(公告)日：2008-01-04
申请号：KR1020060061434
申请日：2006-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04B7/0632 , H04B7/0404 , H04B7/0417 , H04B7/0452 , H04B17/309 , H04B7/0639
Abstract: A data transmitting/receiving device in a closed loop-type multi-antenna system and a method thereof are provided to enable a receiving device to configure feedback information by only common channel quality information and optimal channel quality information, thereby reducing the amount of feedback information. Channel quality information on each data stream is obtained through channel estimation for a receiving signal(310). At least one piece of channel quality information is selected by good sequence from the obtained channel quality information(312). Common channel quality information is calculated by using the obtained channel quality information(314). Indexes of the common channel quality information, the one channel quality information, data streams corresponding to the one channel quality information are transmitted to a transmission side as feedback information(316).
Abstract translation: 提供一种闭环型多天线系统中的数据发送/接收装置及其方法，以使得接收装置仅通过公共信道质量信息和最佳信道质量信息来配置反馈信息，从而减少反馈信息量 。 通过对于接收信号（310）的信道估计获得关于每个数据流的信道质量信息。 从获得的信道质量信息（312）中以良好的顺序选择至少一条信道质量信息。 通过使用获得的信道质量信息（314）来计算公共信道质量信息。 将公共信道质量信息，一个信道质量信息，与一个信道质量信息对应的数据流的索引作为反馈信息发送到发送侧（316）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100761757B1
公开(公告)日：2007-09-28
申请号：KR1020060077748
申请日：2006-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/08 , C23C16/34 , C23C16/4405 , C23C16/45565 , C23C16/4557
Abstract: A layer forming method is provided to prevent powder from being produced on a stage and a showerhead by maintaining the showerhead at low temperature. A stage with a first protective layer is maintained at a first temperature, while a showerhead is maintained at a second temperature lower than the first temperature(S110). A second protective layer is formed in a chamber provided with the stage and the showerhead(S120). A layer is formed on a wafer in the chamber. When the layer is formed, by-products are removed from the inner surface of the chamber(S150). While the by-products are removed, the stage is maintained at the first temperature, while the showerhead is maintained at the second temperature.
Abstract translation: 提供了一种层形成方法，以通过将喷头保持在低温下来防止粉末在舞台和喷头上产生。 具有第一保护层的台阶保持在第一温度，而喷头保持在比第一温度低的第二温度（S110）。 在设置有台架和喷头的室中形成第二保护层（S120）。 在室中的晶片上形成层。 当层形成时，从室的内表面除去副产物（S150）。 当除去副产物时，将阶段保持在第一温度，而喷头保持在第二温度。
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公开(公告)号：KR1020070038197A
公开(公告)日：2007-04-10
申请号：KR1020050093220
申请日：2005-10-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/4401 , C23C16/513
Abstract: 반도체 소자의 제조에 사용되는 박막 형성 장치에 관한 것으로서, 펄싱 타입으로 제공되는 소스 물질들을 이용하여 반도체 기판 상부에 박막을 적층하기 위한 반응 공간을 갖는 반응 챔버를 포함한다. 그리고, 상기 반응 챔버의 반응 공간 내부에 잔류하는 반응 부산물을 제거하기 위한 라디칼 형태의 물질을 생성하는 리모트 플라즈마 생성기를 포함한다. 이때, 상기 소스 물질들은 제1 제공 라인을 통하여 제공되고, 상기 라디칼 형태의 물질은 제2 제공 라인을 통하여 제공된다. 그리고, 상기 박막 형성 장치는 상기 제1 제공 라인과 인접하게 배치되는 시점 이전에 위치하는 제2 제공 라인에 연결되고, 상기 제1 제공 라인으로부터 상기 반응 챔버의 반응 공간으로 상기 소스 물질들을 제공할 때 상기 소스 물질들이 상기 제2 제공 라인으로 역류하는 것을 방지하기 위한 물질을 제공하는 제3 제공 라인을 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020070007498A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050062156
申请日：2005-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L21/76889 , H01L21/28556 , H01L21/76814 , H01L21/76846
Abstract: A method for fabricating a metal silicide contact of a semiconductor device is provided to control fitting generation upon fabricating a metal silicide and to prevent an overgrowth of the metal silicide by depositing a titanium layer in the state of curing defect sites. An insulating layer(102) is formed on a semiconductor substrate(100) having a conductive region on a surface thereof. The insulating layer is etched to form a contact hole(104) exposing the conductive region. The surface of the semiconductor substrate is processed by SiH4 gas. A titanium layer(108) is formed on a sidewall and a bottom surface of the contact hole, at the same time a metal silicide(110) is formed on an interface of the titanium layer and the semiconductor substrate. A titanium nitride layer(112) is formed on the titanium layer. A metal layer(114) is formed on the titanium nitride layer.
Abstract translation: 提供了一种用于制造半导体器件的金属硅化物接触的方法，以在制造金属硅化物时控制拟合生成，并且通过在固化缺陷部位的状态下沉积钛层来防止金属硅化物的过度生长。 在其表面上具有导电区域的半导体衬底（100）上形成绝缘层（102）。 蚀刻绝缘层以形成暴露导电区域的接触孔（104）。 半导体衬底的表面由SiH 4气体处理。 在接触孔的侧壁和底面上形成钛层108，同时在钛层和半导体衬底的界面上形成金属硅化物110。 在钛层上形成氮化钛层（112）。 在氮化钛层上形成金属层（114）。
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公开(公告)号：KR1020070004194A
公开(公告)日：2007-01-09
申请号：KR1020050059586
申请日：2005-07-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: C23C16/45542 , C23C16/14 , C23C16/4405 , C23C16/505
Abstract: A new film forming method that can improve a removal effect of throughput and chlorine in a film forming process using a source gas comprising a metal and a halogen element is provided. A method of forming a film comprises: a step(S100) of respectively supplying a source gas comprising a metal and a halogen element and a reducing gas for removing the halogen element at a first flux and a second flux, and forming the gases into the plasma state to form a first metal film on a substrate; a step(S110) of respectively supplying the source gas and the reducing gas at a third flux that is less than the first flux and a fourth flux that is the same as or more than the second flux, and forming the gases into the plasma state to form a second metal film on the first metal film; and a step(S120) of performing the step(S100) and the step(S110) alternately and repeatedly to form a metal film with a target thickness on the substrate.
Abstract translation: 提供了一种新的成膜方法，其可以使用包含金属和卤素元素的源气体在成膜过程中提高生产量和氯的去除效果。 一种形成膜的方法包括：分别提供包含金属和卤素元素的源气体和用于以第一通量和第二通量去除卤素元素的还原气体的步骤（S100），并将气体形成为 等离子体状态以在基板上形成第一金属膜; 分别以比第一通量小的第三通量供给源气体和还原气体的步骤（S110）和与第二通量相同或更大的第四通量，并将气体形成为等离子体状态 以在第一金属膜上形成第二金属膜; 以及交替重复执行步骤（S100）和步骤（S110）的步骤（S120），以在基板上形成具有目标厚度的金属膜。
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公开(公告)号：KR1020070001340A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056734
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C16/44 , C23C16/4408 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , Y10T29/41
Abstract: A chamber insert and a substrate processing apparatus with the same are provided to improve a pumping time and speed by simplifying the structure of the chamber insert itself. A chamber insert includes a body part, a first protrusion part and a second protrusion part. The body part(110) is formed like a cylinder type structure. An upper portion and a lower portion of the body part are opened. The first protrusion part(120) is formed along a lower end portion of the body part and prolonged to an outside direction of the body part. The second protrusion part(130) is prolonged from the upper portion of the body part to the outside direction of the body part.
Abstract translation: 提供腔室插入件和具有该腔室插入件的衬底处理装置，以通过简化腔室插入件本身的结构来改善泵送时间和速度。 腔室插入件包括主体部分，第一突出部分和第二突出部分。 主体部分（110）形成为类似于圆筒型结构。 身体部分的上部和下部打开。 第一突出部分（120）沿着主体部分的下端部分形成并且延伸到主体部分的外侧方向。 第二突起部130从主体部的上部延伸到主体部的外侧。
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