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公开(公告)号：KR1020020069551A
公开(公告)日：2002-09-05
申请号：KR1020010009605
申请日：2001-02-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
Abstract: PURPOSE: An apparatus for forming a thin film by using a clamp ring shield is provided to prevent a wafer from being damaged by a clamp while a material is not deposited on the front surface of the wafer, by fixing a clamp ring including a protrusion in direct contact with the wafer wherein the wafer is not separated but not fixed. CONSTITUTION: The wafer(120) is loaded by the clamp ring(118) located under the wafer. A shield plate(112) supports the clamp ring, coupled to the lower portion of the clamp ring. A clamp cover(110) fixes the clamp ring, positioned on the side surface of the wafer. A shaft(102) transfers the clamp cover upward and downward.
Abstract translation: 目的：提供一种通过使用夹紧环形屏蔽形成薄膜的装置，以防止晶片在晶片的前表面没有沉积材料时被夹具损坏，通过将包括突起的夹环固定在 与晶片直接接触，其中晶片未分离但不固定。 构成：晶片（120）由位于晶片下方的夹紧环（118）装载。 屏蔽板（112）支撑夹紧环，其联接到夹紧环的下部。 夹具盖（110）固定位于晶片的侧表面上的夹紧环。 轴（102）向上和向下转动夹具盖。
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公开(公告)号：KR1019950008117B1
公开(公告)日：1995-07-25
申请号：KR1019920021295
申请日：1992-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04M11/06
Abstract: This invention refers to the signaling multiplexer employs more than one terminal to communicate simultaneously using a telephone wire line by multiplexing. The signaling multiplexer multiplexes two signal of a subscriber to the signal of 2B+D.
Abstract translation: 本发明涉及信令多路复用器，其使用多个终端通过多路复用使用电话线路同时进行通信。 信令复用器将用户的两个信号复用到2B + D的信号。
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公开(公告)号：KR100799703B1
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：KR1020050102949
申请日：2005-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76841 , C23C16/4405 , C23C16/45508 , H01L21/28556
Abstract: 막 형성 방법은 제1 웨이퍼에 티타늄 막 및 티타늄 질화막을 순차적으로 형성한다. 상기 티타늄 질화막 형성시 챔버의 내부에 흡착된 반응 부산물을 제거한다. 이후 제2 웨이퍼에 대해 티타늄 막 형성, 티타늄 질화막 형성 및 반응 부산물 제거를 반복하여 수행한다. 따라서 막 형성시 티타늄 질화막 형성에 따른 반응 부산물의 리프팅을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020070001340A
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：KR1020050056734
申请日：2005-06-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/68721 , C23C16/44 , C23C16/4408 , C23C16/45519 , C23C16/45591 , Y10T29/41
Abstract: A chamber insert and a substrate processing apparatus with the same are provided to improve a pumping time and speed by simplifying the structure of the chamber insert itself. A chamber insert includes a body part, a first protrusion part and a second protrusion part. The body part(110) is formed like a cylinder type structure. An upper portion and a lower portion of the body part are opened. The first protrusion part(120) is formed along a lower end portion of the body part and prolonged to an outside direction of the body part. The second protrusion part(130) is prolonged from the upper portion of the body part to the outside direction of the body part.
Abstract translation: 提供腔室插入件和具有该腔室插入件的衬底处理装置，以通过简化腔室插入件本身的结构来改善泵送时间和速度。 腔室插入件包括主体部分，第一突出部分和第二突出部分。 主体部分（110）形成为类似于圆筒型结构。 身体部分的上部和下部打开。 第一突出部分（120）沿着主体部分的下端部分形成并且延伸到主体部分的外侧方向。 第二突起部130从主体部的上部延伸到主体部的外侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019940013066A
公开(公告)日：1994-06-25
申请号：KR1019920021295
申请日：1992-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04M11/06
Abstract: 전화선로 배가 시스템의 시그날링 처리회로에 관한 것으로, 특히 하나의 통신선로에 적어도 하나 이상의 통신터미널을 접속하여 동시에 전화통신을 할 수 있는 전화선로 배가 시스템의 시그날링 처리회로에 관한 것이다.
상기의 가입자 전화선로 배가 시스템의 시그날링 멀티플렉서는 프레임 동기신호(IDL SYNC)에 동기된 시스템 클럭(IDL CLK)을 2타임 슬롯 주기만큼 카운팅하여 "D"채널 인에이블제어신호(RCO)를 발생하는 D채널제어기(108)와, 상기 D채널 제어기(108)로부터 출력되는 "D"채널 인에이블신호(Q1)를 상기 클럭(IDL CLK)에 의해 제1 및 제2시프트하여 D1, D2데이터 출력제어신호(Q2)(Q3)를 출력하는 시프트 레지스터(114)와, 상기 시프트 레지스터(114)로부터 출력되는 D1, D2제어신호(Q2)(Q3)에 의해 각각 인에이블되어 제1,제2입력단자로 각각 입력되는 시그날링 데이터(D1)(D2)를 2B+D채널송신버스(IDL RX)의 "D"채널로 출력하는 전송게이트(120)와, 2B+D채널의 수신버스(IDL TX)로 입력되는 D채널의 시그날링 데이터(D1,D2)를 서로 다른 주기의 제1,제2전송제어신호(A)(B)의 입력에 응답하여 래치 출 력하는 시그날링 데이터 분리회로(154)와, 상기 D1출력제어신호(Q2)(122)의 출력을 논리곱하여 제1전송제어신호(A)를 출력하는 앤드게이트(124)와, 상기 시스템 클럭(IDL CLK)와 상기 D2출력제어신호(Q3)를 논리곱하여 제2전송제어신호를 출력하는 앤드게이트(126)을 구성된 데이터 클럭발생기(128)로 구성된다.-
公开(公告)号：KR1020070000067A
公开(公告)日：2007-01-02
申请号：KR1020050055507
申请日：2005-06-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: C23C16/45565 , H01L21/67011
Abstract: A shower head assembly and a semiconductor substrate processing apparatus with the same are provided to restrain the generation of particles on a first and second porous plates by separating easily the first and second porous plates without the damage and deformation using an improved separation screw structure. A shower head assembly includes a shower head cover for being connected with a gas supply unit(170), a first porous plate(140) attached to the shower head cover, a second porous plate, and a separation screw. The second porous plate(150) is connected to the shower head cover. The second porous plate has a screw hole. The separation screw(160) is inserted into the screw hole of the second porous plate. The separation screw is capable of separating easily the second porous plate from the first porous plate. The separation screw has a flat end portion or a cylindrical end portion. The separation screw is made of one selected from a group consisting of stainless steel, aluminium, nickel, chrome, ceramic, quartz, or sapphire.
Abstract translation: 提供了一种淋浴头组件及其半导体基板处理装置，以通过使用改进的分离螺杆结构容易地分离第一和第二多孔板而不损坏和变形来抑制颗粒在第一和第二多孔板上的产生。 淋浴头组件包括与气体供应单元（170）连接的淋浴喷头盖，附接到喷头盖的第一多孔板（140），第二多孔板和分离螺钉。 第二多孔板（150）连接到喷头盖。 第二多孔板具有螺纹孔。 分离螺钉（160）插入第二多孔板的螺纹孔中。 分离螺杆能够容易地将第二多孔板与第一多孔板分离。 分离螺杆具有平坦的端部或圆柱形端部。 分离螺杆由选自不锈钢，铝，镍，铬，陶瓷，石英或蓝宝石的一个组成。
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公开(公告)号：KR1020070046349A
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：KR1020050102949
申请日：2005-10-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: H01L21/76841 , C23C16/4405 , C23C16/45508 , H01L21/28556
Abstract: 막 형성 방법은 제1 웨이퍼에 티타늄 막 및 티타늄 질화막을 순차적으로 형성한다. 상기 티타늄 질화막 형성시 챔버의 내부에 흡착된 반응 부산물을 제거한다. 이후 제2 웨이퍼에 대해 티타늄 막 형성, 티타늄 질화막 형성 및 반응 부산물 제거를 반복하여 수행한다. 따라서 막 형성시 티타늄 질화막 형성에 따른 반응 부산물의 리프팅을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100697691B1
公开(公告)日：2007-03-20
申请号：KR1020050068296
申请日：2005-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4482
Abstract: 화학 기상 증착 공정을 위한 소스 가스 공급 유닛은 액체 소스를 수용하는 밀폐 용기를 구비한다. 제1 가스 공급관이 상기 밀폐 용기를 관통하여 상기 액체 소스에 잠기도록 구비되어 상기 액체소스를 버블링시켜 기체 소스를 생성하기 위해 불활성 가스를 공급하고, 제2 가스 공급관이 상기 밀폐 용기와 연결되도록 구비되어 상기 기체 소스를 반도체 제조 공정이 수행되는 공정 챔버로 공급한다. 차단부는 상기 밀폐 용기의 내부에 구비되고, 상기 버블링에 의해 상기 제2 가스 공급관으로 튀는 상기 액체 소스를 차단하여 상기 액체 소스가 상기 제2 가스 공급관에 들러붙는 것을 방지한다.
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公开(公告)号：KR1020070013728A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：KR1020050068296
申请日：2005-07-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4482
Abstract: A source gas supply unit and a CVD(Chemical Vapor Deposition) apparatus with the same are provided to prevent a liquid source from being attached to a predetermined supply line by using a blocking part. A source gas supply unit includes a sealing container(110) for storing a liquid source, a first gas supply line, a second gas supply line and a blocking part. The first gas supply line(120) is installed through the sealing container. The first gas supply line is immersed in the liquid source. The first gas supply line is used for supplying a carrier gas capable of generating a gas source by bubbling the liquid source. The second gas supply line(130) is connected with an inner portion of the sealing container. The second gas supply line is used for supplying the gas source and the carrier gas to a process chamber. The blocking part(140) is installed in the sealing container. The blocking part is used for blocking a splashed liquid source due to the bubbling.
Abstract translation: 提供了一种源气体供给单元和具有该源气体供给单元的CVD（化学气相沉积）装置，以通过使用阻挡部件来防止液体源附着到预定的供应管线。 源气体供给单元包括用于存储液体源的密封容器（110），第一气体供应管线，第二气体供应管线和阻塞部件。 第一气体供给管线（120）通过密封容器安装。 将第一气体供给管线浸入液体源。 第一气体供给管路用于供给能够通过使液体源鼓泡而产生气体源的载气。 第二气体供给管线130与密封容器的内部连接。 第二气体供应管线用于将气体源和载气供应到处理室。 阻挡部件（140）安装在密封容器中。 阻塞部分由于起泡而用于堵塞飞溅的液体源。
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