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公开(公告)号：KR101475819B1
公开(公告)日：2014-12-23
申请号：KR1020070116395
申请日：2007-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B7/26
Abstract: 본발명은이동통신시스템에서채널제어요소정렬방법및 장치에관한것으로서, 채널제어요소(Control Channel Element)를사이즈와개수에따라분류하여배치하는기지국과, 상기기지국에의해배치된상기채널제어요소를블라인드검출시 상기채널제어요소가검출되는위치를이용하여다음검출위치를결정하는단말기를포함함으로써상기단말기의블라인드검출시간을줄이고이에따른전력소비를감소할수 있다.
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公开(公告)号：KR100755662B1
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：KR1020050054564
申请日：2005-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/1463
Abstract: N형 및 P형 반도체 기판에 모두 적용되고 구성 회로간에 노이즈를 줄일 수 있는 반도체 집적 회로 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 반도체 집적 회로 소자는, 반도체 기판 내에 형성되어 서로 전기적으로 분리된 제1 도전형의 제1, 제2 및 제3 깊은 웰과, 제1, 제2 및 제3 깊은 웰과 반도체 기판의 표면 사이에 각각 형성되고 서로 다른 전원과 접속하는 제2 도전형의 제1 웰과 제2 웰, 및 액티브 픽셀 센서 어레이와, 반도체 기판 내에 형성되어 제1 웰, 제2 웰 및 액티브 픽셀 센서 어레이의 측부를 각각 둘러싸는 제1 도전형의 제1, 제2 및 제3 보호웰을 포함한다.
이미지 센서, 웰, 전원, 노이즈-
公开(公告)号：KR100746222B1
公开(公告)日：2007-08-03
申请号：KR1020050062436
申请日：2005-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 이미지 센서의 제조방법들이 제공된다. 이 방법들은 화소영역 및 씨모스 영역을 갖는 반도체기판을 준비한다. 이때, 상기 씨모스 영역은 NMOS 영역과 PMOS 영역을 포함한다. 상기 반도체기판 내에 활성영역들을 한정하는 소자분리막을 형성한다. 상기 반도체기판 상에 폴리실리콘막을 형성한다. 상기 폴리실리콘막을 갖는 기판 상에 상기 CMOS 영역 중 적어도 상기 PMOS 영역을 덮는 이온주입마스크 패턴을 형성한다. 상기 이온주입마스크 패턴을 이용하여 상기 폴리실리콘막 내에 실질적으로 균일한 n+불순물 도핑을 실시한다. 상기 이온주입마스크 패턴을 제거한 후 상기 폴리실리콘막을 패터닝하여 상기 화소영역의 상기 반도체기판 상에 전송 게이트 전극, 상기 NMOS 영역의 상기 반도체기판 상에 NMOS 게이트 전극 및 상기 PMOS 영역의 상기 반도체기판 상에 PMOS 게이트 전극을 형성한다.
이미지 센서, 전송 게이트 전극, 저항패턴, 이온주입마스크 패턴, n+불순물 도핑, 포토다이오드, 플로팅확산영역-
公开(公告)号：KR1020070037934A
公开(公告)日：2007-04-09
申请号：KR1020050093103
申请日：2005-10-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: 이미지 센서(image sensor)가 제공된다. 이미지 센서는 액티브 픽셀 센서 영역이 정의된 기판, 액티브 픽셀 센서 영역 내에 형성된 다수의 제1 도전형의 포토다이오드들, 및 액티브 픽셀 센서 영역 내에 제1 도전형의 포토다이오드들을 제외한 영역에 형성되고, 양전압과 전기적으로 연결된 제1 도전형의 제1 깊은 웰을 포함한다.
이미지 센서, 깊은 웰, 드레인, 크로스토크-
公开(公告)号：KR1020070007666A
公开(公告)日：2007-01-16
申请号：KR1020050062436
申请日：2005-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14643 , H01L27/14689
Abstract: An image sensor is provided to avoid a phenomenon that a dark level of a photodiode increases or prevent driving capabilities of a transfer gate electrode from being reduced by doping substantially uniform n^+ impurities into a transfer gate electrode in a pixel region and a resistance pattern in a resistor region. A pixel region(A) is formed in a semiconductor substrate(10). An active region is disposed in the semiconductor substrate in the active region. An insulated transfer gate electrode has a substantially uniform impurity doping distribution, disposed on the semiconductor substrate and crossing the active region. A photodiode is disposed in the active region at one side of the transfer gate electrode.
Abstract translation: 提供一种图像传感器，以避免光电二极管的暗电平增加或通过将基本上均匀的n + +杂质掺杂到像素区域中的传输栅电极中的传输栅电极的驱动能力而减小的现象，以及电阻图案 在电阻区域。 像素区（A）形成在半导体衬底（10）中。 有源区域设置在有源区域中的半导体衬底中。 绝缘传输栅电极具有基本均匀的杂质掺杂分布，设置在半导体衬底上并与有源区交叉。 在传输栅电极的一侧的有源区域中设置光电二极管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060085132A
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：KR1020050006115
申请日：2005-01-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/7077
CPC classification number: H04B1/7117 , H04B1/70756 , H04B2001/70706
Abstract: 본 발명은 코드분할다중접속 시스템에서 파일럿 채널을 획득하기 위한 장치 및 방법을 제공한다. 이를 위한 본 발명은 코드분할다중접속 시스템에서 이동 단말기가 파일럿 채널을 획득하기 위해 전체 PN 가설을 탐색하고, 탐색한 PN 가설들 중 신호 세기 값이 특정 임계값 이상인 PN 가설들을 선택한 후 선택된 PN 가설들 중 신호 세기가 큰 순서로 파일럿 채널을 획득할 수 있을 정도의 신호 세기를 가지는 PN 가설인지를 검사하여 검사 결과 파일럿 채널을 획득할 수 있을 정도의 신호 세기를 가지는 PN 가설로부터 파일럿 채널을 획득하는 과정을 특징으로 한다.
코드분할다중접속 시스템, 동기 획득, 파일럿 채널 획득, PN 마스크.-
公开(公告)号：KR1020060084484A
公开(公告)日：2006-07-24
申请号：KR1020050005007
申请日：2005-01-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14609 , H01L27/14632 , H01L27/14656 , H01L27/14687 , H04N5/3597 , H04N5/3745
Abstract: 본 발명의 씨모스 이미지 센서의 전송 트랜지스터 및 구동 트랜지스터 중 적어도 하나는 그 게이트 상부에 절연막을 개재하여 도전막 패턴을 구비한다. 따라서, 상기 도전막 패턴에 인가된 전압이 상기 전송 트랜지스터의 전송 게이트 및 상기 구동 트랜지스터의 구동 게이트에 커플링된다. 따라서 상기 전송 게이트에는 상기 전송 게이트에 인가되는 전압 뿐만아니라 상기 도전막 패턴에 의한 커플링 전압이 추가적으로 인가되기 때문에 별도의 고전압 발생회로가 필요 없으며, 또한 상기 구동 게이트에 상기 도전막 패턴에 의한 커플링 전압이 인가되기 때문에 이미지 센서의 동적 범위를 향상시킬 수 있다.
이미지 센서, CMOS, CCD, 전송 게이트, 플로팅 확산 영역-
公开(公告)号：KR1020050081135A
公开(公告)日：2005-08-18
申请号：KR1020040024147
申请日：2004-04-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 송재호
IPC: G06Q10/00
CPC classification number: G06Q30/02 , G06Q30/0224
Abstract: 본 발명은 고객 정보 수집 시스템 및 그 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 정보 제공 기기를 통해 소정의 물품을 구매한 고객에 대하여 직접적으로 정보를 수집함으로써 정확하고 구체적인 정보를 얻을 수 있는 고객 정보 수집 시스템 및 그 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 고객 정보를 수집하는 방법은 정보 제공 기기를 통해 인식된 제품에 대한 정보 및 정보 제공 기기의 식별 정보를 수신하는 단계와, 상기 수신된 정보를 기초로 상기 제품 정보 및 기기 정보를 분석하는 단계와, 상기 분석 결과를 기초로 정보 제공 기기의 보유 고객에 대한 고객을 인지하는 단계와, 상기 인지된 고객에게 제공할 고객 혜택 정보를 생성하는 단계 및 상기 분석된 제품 정보 및 생성된 고객 혜택 정보로 고객 정보를 갱신하는 단계를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020170046388A
公开(公告)日：2017-05-02
申请号：KR1020150146665
申请日：2015-10-21
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05K3/4007 , G01R1/0441 , G01R1/0466 , G01R3/00 , G01R31/28 , H05K1/092 , H05K1/11 , H05K3/26 , H05K3/32 , H05K2201/09481 , H05K2201/09745 , H05K2201/0979 , H05K2201/10378
Abstract: 본발명의일 실시예에의한테스트소켓의제조방법은베이스물질및 상기베이스물질내에서상기베이스물질의두께방향을따라연장하는제1 도전부를포함하는테스트소켓을준비하는단계, 상기제1 도전부의상부에도전성잉크를프린팅하여제2 도전부를형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的测试插座的制造方法包括以下步骤：准备测试插座，该测试插座包括基底材料和在基底材料中在基底材料的厚度方向上延伸的第一导电部分， 并且将导电油墨印刷在顶部上以形成第二导电部分。
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公开(公告)号：KR101384311B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020070131297
申请日：2007-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/10
Abstract: 본 발명은 이동 통신 시스템에서 전력소모를 감소시키기 위한 장치 및 방법에 관한 것으로 구체적으로는 데이터 처리 시 필요한 하드웨어의 동작을 최소화면서도 성능은 유지하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
이동통신 시스템, 데이터 처리, 작업 시간 간격(TTI), 시스템 호출Abstract translation: 提供一种用于提高系统稳定性的装置及其方法，其通过设置考虑移动通信系统的性质的任务的性能水平来提高系统的稳定性，以通过设置能力性能来降低功率。 根据TWF（任务工作负载因子）测量任务的工作负载。 生成系统调用或任务事件。 确定执行任务和TWF的数量。 获得与确定的TWF相对应的工作量。 确定执行任务的性能水平的空闲时间。 确定执行任务的性能级别。 当在OS内核（145）中启动任务时，主控制器（140）由挂钩功能调用。
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