Abstract:
An exposing method comprises the steps of: radiating a first light having first energy to a first exposed region of a photoresist film through a first shot region of a mask; and radiating a second light having second energy to the first exposed region of the photoresist film through a second shot region of the mask. Thus, total energy required to expose the exposed region of the photoresist film is equally divided, and the divided energy is provided to a plurality of lights. Each light is radiated to a same exposed region through multiple shot regions of the mask. Therefore, an exposed region exposed by the total energy has an average shape of the multiple shot regions.
Abstract:
PURPOSE: A reflective reticle chuck and a reflective illumination system including the same, a method for increasing the flatness of a reflective reticle, and a method for manufacturing a semiconductor device are provided to accurately control the flatness of the reflective reticle, thereby increasing productivity. CONSTITUTION: A reflective reticle chuck includes a non fluid flowing part(141) and a fluid flowing part(145). The non fluid flowing part is an outer area and the fluid flowing part is a central area. The fluid flowing part is made of cells. A flat frame is fixed to an edge area. Cells comprise an elevator. Some frames are expanded between cells.
Abstract:
PURPOSE: A method for processing image data is provided to measure the linewidth of a bar pattern by using an automatic rotation angle correction algorithm. CONSTITUTION: Image data including at least one bar pattern is obtained(S100). The coordinates of an edge of a bar pattern are detected(S200). The outline curve of the bar pattern is extracted(S300). A major axial direction is set by differentiating the outline curve of the bar pattern. The image data is rotated so that the major axis coincides with the reference axis(S400). The information of the bar pattern is extracted by processing the bar pattern of the image data.
Abstract:
본 발명은 아들자와 어미자로 구성된 오버레이키의 정렬 정밀도 측정 방법에 있어서, 상기 오버레이키의 정렬 정밀도 측정은 사입사 조명계를 이용하여 수행한다. 본 발명은 노광장비에 적용되어 개선 효과를 본 사입사 조명은 오버레이에 도입하여 적은 비용과 노력으로 오버레이 측정한계를 극복할 수 있다.
Abstract:
본 발명은 동일한 리티클을 사용하여 반도체기판상에 복수의 패턴을 형성하는 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서, 그 방법은 상기 반도체기판상에 층간절연막을 도포하는 공정과; 리터클을 사용하여 소정패턴의 제1감광막을 형성하는 공정과; 상기 소정패턴의 감광막패턴을 마스크로 사용하여 상기 층간절연막을 선택적으로 제거하여 콘택홀을 형성하는 공정과; 상기 콘택홀을 충진하면서 상기 층간절연막상에 패턴대상막을 도포하는 공정과; 상기 동일한 리티클을 사용하여 소정패턴의 제2감광막을 형성하는 공정과, 상기 소정패턴의 제2감광막패턴을 마스크로 사용하여 상기 패턴대상막을 선택적으로 제거하는 공정을 포함한다. 본 발명의 패턴형성방법에 의하면 동일한 리티클을 사용하여 복수의 패턴을 형성할 수 있기 때문에 많은 리티클을 사용할 필요가 없을 뿐만 아니라, 적층에 대한 층대층의 오정렬을 방지할 수 있다.