公开(公告)号：KR1020050115529A

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：KR1020040040615

申请日：2004-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환 ,  신원식

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/90 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/10855

Abstract: 반도체 장치의 캐패시터 제조방법에 있어서, 콘택 플러그가 형성된 반도체 기판 상에 식각저지막과 희생막을 차례로 형성하고, 상기 식각 저지막과 희생막을 패터닝하여 상기 콘택 플러그의 상부 및 그 둘레를 노출시키는 개구부를 형성한다. 다음에, 상기 개구부와 상기 희생막 상에 불순물을 도핑하면서 비정질 실리콘막을 형성하고, 상기 비정질 실리콘막에 추가로 불순물을 도핑하면서 열처리 공정을 수행하여 결정질 실리콘막으로 변형시킨다. 다음에, 상기 비정질 실리콘막을 상기 희생막의 표면이 노출될 때까지 평탄화하여 상기 결정질 실리콘막을 노드 분리시켜 하부전극을 형성시키고, 상기 하부전극이 형성된 반도체 기판 상에 유전체막 및 상부전극을 형성하여 반도체 장치의 캐패시터를 완성한다. 열처리 공정을 단순화하여 제조비용을 절감하며, 또한 안정적인 반도체 특성을 확보한다.

公开(公告)号：KR1020050050273A

公开(公告)日：2005-05-31

申请号：KR1020030083976

申请日：2003-11-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환 ,  황기현 ,  이현덕 ,  남석우 ,  신원식

IPC: H01L27/108

Abstract: 하부전극용 비정질 실리콘막을 희생막 제거 전에 다결정 실리콘으로 변형시키고 상기 희생막 제거 용액을 상기 다결정 실리콘과의 선택비가 높은 식각 용액을 사용하는 반도체 장치의 캐패시터 제조방법에 관한 것이다. 개구부들과 희생막 상에 비정질 실리콘막을 증착하는 단계와 상기 비정질 실리콘막이 형성된 상기 개구부들이 매립되도록 상기 비정질 실리콘막 상에 매립용 물질막을 형성하는 단계와 상기 매립용 물질막 및 상기 비정질 실리콘막을 상기 희생막의 표면이 노출될 때까지 평탄화하여 상기 비정질 실리콘막을 서로 노드 분리시키는 단계와 노드 분리된 비정질 실리콘막을 어닐(ANNEAL) 장비에서 600℃ 내지 700 ℃ 온도범위에서 열처리 공정을 수행하여 다결정 실리콘막으로 변형하는 단계와 평탄화된 매립용 물질막 및 희생막을 상기 식각저지막과 상기 다결정 실리콘막과의 선택비가 높은 식각 용액인 불산(HF) 대 초이온수(DI)의 혼합비율이 5:1인 용해제로 제거하여 실린더형 하부전극이 형성되는 단계를 구비하는 것이 특징이다. 이로써, 캐패시터 쓰러짐을 방지하며, 커패시턴스를 크게 하는 캐패시터 하부전극를 높일 수 있는 여유가 생기게 된다.

公开(公告)号：KR1019930002686B1

公开(公告)日：1993-04-07

申请号：KR1019900019021

申请日：1990-11-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환

IPC: H04N1/23

Abstract: The circuit for compsating bad image quality caused by the picture element frequency signal in the facsimile comprises a differentiator (1) generating the pure picture element frequency signal by detecting the differentiating point, a circuit (2) for removing the noise contained at the output of the differentiator, a clamp circuit (3) providing the pulsed picture signal corresponding to the pure frequency signal, an integrator (4) providing the integrated signal of which amplitude is proportional to the picture frequency signal, and a synthesiser (5) providing the reference signal to an A/D converter (6) after synthesising the output of the integrator.

Abstract translation: 用于对由传真机中的像素频率信号引起的不良图像质量的电路构成包括通过检测差分点产生纯像素频率信号的微分器（1），用于去除包含在输出端的噪声的电路（2） 微分器，提供对应于纯频率信号的脉冲图像信号的钳位电路（3），提供幅度与图像频率信号成比例的积分信号的积分器（4），以及提供参考的合成器（5） 在合成积分器的输出之后，向A / D转换器（6）发送信号。

公开(公告)号：KR1020090127689A

公开(公告)日：2009-12-14

申请号：KR1020080053786

申请日：2008-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김범근 ,  김경영 ,  오정환 ,  이범석

IPC: G11C29/00

CPC classification number: G11C29/56 ,  G11C29/56004

Abstract: PURPOSE: A memory test device and a memory test method are provided to simplify a memory test algorithm by reducing a task which is performed for error detection and easily detect an error of a memory having a big capacity. CONSTITUTION: A memory test device(100) comprises an operation device. The operation device processes data based on a predetermined command. The memory test device comprises an extended register(120) and a general register(110) having N bytes. The general register has a bit number bigger than a bit number of a general command in order to perform data operation according to the general command. A memory(200) is divided into a plurality of addresses(210). Predetermined data patterns are written for a memory test in the memory. A controller(130) decides identity of write and read test patterns by using an extension command. The controller determines an address of a memory having an error by using the general command.

Abstract translation: 目的：提供存储器测试设备和存储器测试方法，以通过减少用于错误检测执行的任务并且容易地检测具有大容量的存储器的错误来简化存储器测试算法。 构成：存储器测试装置（100）包括操作装置。 操作装置基于预定命令来处理数据。 存储器测试装置包括扩展寄存器（120）和具有N个字节的通用寄存器（110）。 通用寄存器的位数大于通用命令的位数，以便根据通用命令执行数据操作。 存储器（200）被分成多个地址（210）。 为存储器中的存储器测试写入预定数据模式。 控制器（130）通过使用扩展命令来决定写入和读取测试模式的标识。 控制器通过使用通用命令来确定具有错误的存储器的地址。

公开(公告)号：KR1020070030022A

公开(公告)日：2007-03-15

申请号：KR1020050084761

申请日：2005-09-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 유대한 ,  이공수 ,  이창훈 ,  형용우 ,  이현덕 ,  김효정 ,  오정환 ,  유영섭

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10876 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66621 ,  H01L27/10823

Abstract: A structure for a recessed gate electrode is provided to improve the operation characteristic of a cell transistor by controlling the transfer of voids generated in an expanded recess when a recessed cell transistor having a recess whose lower part is expanded is formed. A substrate(100) includes a first recess(104) and a second recess(108) having a broader inner width than that of the first recess such that the second recess is connected to the lower part of the first recess. A gate oxide layer(110) is formed on the upper surface of the substrate and the inner walls of the first and the second recesses. The inside of the first recess is filled with a first polysilicon layer(118) doped with impurities of a first density. The inside of the second recess is filled with a second polysilicon layer(120) doped with impurities of a second density higher than the first density such that the second polysilicon layer includes voids(115) in the center of the second recess. A third polysilicon layer(122) is formed on the gate oxide layer and the first polysilicon layer, having impurities of a third density. The second density included in the second polysilicon layer has a density capable of controlling the position of the void transferred by diffusion of silicon. The impurities doped into the first, second and third polysilicon layers can be the same conductivity type.

Abstract translation: 提供了一种用于凹形栅电极的结构，以便当形成具有其下部扩展的凹部的凹槽单元晶体管时，通过控制在扩展凹部中产生的空隙的转移来改善单元晶体管的操作特性。 基板（100）包括第一凹槽（104）和第二凹槽（108），其具有比第一凹槽更宽的内部宽度，使得第二凹槽连接到第一凹槽的下部。 在基板的上表面和第一和第二凹槽的内壁上形成栅氧化层（110）。 第一凹部的内部填充有掺杂有第一密度的杂质的第一多晶硅层（118）。 第二凹部的内部填充有掺杂高于第一密度的第二密度的杂质的第二多晶硅层（120），使得第二多晶硅层包括位于第二凹槽中心的空隙（115）。 第三多晶硅层（122）形成在具有第三密度的杂质的栅极氧化物层和第一多晶硅层上。 包含在第二多晶硅层中的第二密度具有能够控制由硅的扩散转移的空隙的位置的密度。 掺杂到第一，第二和第三多晶硅层中的杂质可以是相同的导电类型。

公开(公告)号：KR1020060077554A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：KR1020040116453

申请日：2004-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영진 ,  이현덕 ,  남석우 ,  이용재 ,  임현석 ,  황완구 ,  이진일 ,  오정환

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/84 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

Abstract: HSG 실리콘층을 구비하는 캐패시터의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법이 개시된다. 기판의 콘택 영역에 전기적으로 연결되는 스토리지 전극을 형성한 후, 스토리지 전극 상으로 실리콘을 함유하는 제1 가스 및 제2 가스를 약 1：0.1∼1：5.0 정도의 유량비로 포함하는 혼합 가스를 제공하여 스토리지 전극 상에 HSG 실리콘층을 형성한다. HSG 실리콘층 상에는 유전층 및 플레이트 전극이 형성된다. HSG 실리콘층의 HSG 그레인 사이즈를 용이하게 조절하여 특히 스토리지 전극의 저부에서 HSG 그레인의 이상 성장을 억제할 수 있다. 따라서, 스토리지 전극 상에 균일한 HSG 실리콘층을 형성하여 스토리지 전극의 구조적 열화를 방지할 수 있으며, 캐패시터의 전기적 결함을 크게 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050115665A

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：KR1020040040879

申请日：2004-06-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환

IPC: H04Q9/00 ,  G06F1/00

Abstract: 원격제어가 가능한 컴퓨터 시스템의 무선 신호 제어 방법 및 장치가 제공된다. 본 발명에 의한 무선 신호 제어 장치는 원격 제어를 위한 무선 신호를 수신하는 무선 신호 수신부, 원격 제어 무선 신호의 출력을 제어하기 위해 사용자의 선택값을 입력받는 무선 신호 출력 제어 UI부 및, 사용자의 선택값에 따라 수신된 원격 제어 무선 신호의 출력을 선택적으로 제어하는 무선 신호 출력 제어부를 포함한다.

公开(公告)号：KR100532428B1

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020030023351

申请日：2003-04-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황기현 ,  오정환 ,  김효정 ,  남석우 ,  신원식

IPC: H01L27/108

Abstract: 본 발명에 따른 반도체 소자의 커패시터는, 실린더형 커패시터 하부전극, 유전막, 및 상부전극으로 구성된 것으로서, 상부전극이 금속막과 그 위에 적층된 p-형 도프트 폴리 Si
1-x Ge
x 막으로 이루어진 것이 특징이다. p-형 도프트 폴리 Si
1-x Ge
x 막은 450℃ 이하의 저온에서 활성화된 상태로 증착되거나, 또는 500℃ 이하에서 활성화가 가능하기 때문에 현재 600℃ 이상의 고온에서 진행되어야 하는 커패시터 공정과 비교하여 커패시터의 누설전류 특성 열화를 현저하게 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040095052A

公开(公告)日：2004-11-12

申请号：KR1020030028649

申请日：2003-05-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신원식 ,  황기현 ,  오정환 ,  이현덕 ,  남석우

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02238 ,  C23C8/12 ,  C23C8/28 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/3144

Abstract: PURPOSE: An oxidizing method for a semiconductor device and a method for forming an oxide layer using the same are provided to form the oxide layer within a short period of time by introducing simultaneously ozone as an oxidant and gases including nitrogen. CONSTITUTION: Ozone is formed by using oxygen of the first flow rate and nitrogen of the second flow rate corresponding to 1 percent of the first flow rate. The ozone and the reactant including the remaining nitrogen are introduced to a silicon wafer. A surface process for the silicon wafer is performed by using the introduced ozone and the introduced reactant including the remaining nitrogen. The silicon wafer is oxidized by using the surface process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体器件的氧化方法和使用其形成氧化物层的方法，以通过同时引入臭氧作为氧化剂和包括氮的气体在短时间内形成氧化物层。 构成：通过使用第一流量的氧气和第二流量的氮气对应于第一流量的1％形成臭氧。 将臭氧和包含剩余氮的反应物引入硅晶片。 通过使用引入的臭氧和引入的反应物（包括剩余的氮）来进行硅晶片的表面处理。 硅晶片通过使用表面处理而被氧化。

公开(公告)号：KR1020020092715A

公开(公告)日：2002-12-12

申请号：KR1020010031505

申请日：2001-06-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 오정환

IPC: G06F3/023

Abstract: PURPOSE: A computer and character inputting method is provided to easily change character input modes irrespective of a current character input mode so that it can enhance a work efficiency. CONSTITUTION: The method comprises steps of a user setting a plurality of character input modes at a character input setting module of a controller(S20), the controller checking if a character mode key is double-clicked while a document is being made out(S30), in a case that the character mode key is not double-clicked, the controller generating a general scan code and outputting a general character(S31, S32), in a case that the character mode key is double-clicked, the controller checking if a Caps Lock key or a Hangul-English conversion key is pushed(S40), in a case that both the keys are not pushed, the controller transmitting a scan code corresponding to a basic character input mode to a keyboard controller and then the keyboard controller outputting characters to the basic character input mode irrespective of a prior character input mode(S41), in a case that the Caps Lock key is pushed, the controller transmitting a corresponding scan code to the keyboard controller and the keyboard controller outputting the characters corresponding to the third character mode, for example, a capitalized English character set(S50, S51, S52), in a case that the Hangul-English conversion key is pushed, the controller transmitting a corresponding scan code to the keyboard controller and the keyboard controller outputting the characters corresponding to the second character mode, for example, a Hangul character set(S53, S54).

Abstract translation: 目的：提供计算机和字符输入方法，以容易地改变字符输入模式，而与当前字符输入模式无关，从而可以提高工作效率。 方法：该方法包括用户在控制器的字符输入设置模块处设置多个字符输入模式的步骤（S20），所述控制器在文档正在进行时检查是否双字符模式键（S30 ），在没有双击字符模式键的情况下，控制器生成一般扫描码并输出一般字符（S31，S32），在双击字符模式键的情况下，控制器检查 如果按下Caps Lock键或Hangul-English转换键（S40），则在两个键未被按下的情况下，控制器将对应于基本字符输入模式的扫描代码发送到键盘控制器，然后键盘 控制器将字符输出到基本字符输入模式，而不管先前字符输入模式如何（S41），在按下Caps Lock键的情况下，控制器向键盘控制器和键控器发送相应的扫描代码 rd控制器输出与第三字符模式相对应的字符，例如大写英文字符集（S50，S51，S52），在执行韩文 - 英文转换键的情况下，控制器向相应的扫描码发送相应的扫描码 键盘控制器和键盘控制器输出与第二字符模式对应的字符，例如，一个韩文字符集（S53，S54）。