-
公开(公告)号：KR1020080029497A
公开(公告)日：2008-04-03
申请号：KR1020060095720
申请日：2006-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32825 , H01J37/32844 , H01L21/67069 , H01L21/67253
Abstract: A plasma processing apparatus and a substrate processing method using the same are provided to reduce a maintenance cost by recycling a part of a process gas discharged from a process. A gas supply unit(20) supplies process gases to a process chamber(10). A plasma generation unit(30) receives the process gases from the gas supply unit and generates plasma. A gas separation unit(60) separates a particular gas from the process gases discharged from the process chamber after a process is finished. A regeneration gas storage tank(80) stores the gases separated from the gas separation unit. The gas separation unit separates the particular gas by using a liquidus temperature's difference between the process gases. A vaporization unit(70) vaporizes the liquefied gas.
Abstract translation: 提供一种等离子体处理装置和使用该等离子体处理装置的基板处理方法，以通过再循环从工艺排出的一部分处理气体来减少维护成本。 气体供应单元（20）将处理气体提供给处理室（10）。 等离子体产生单元（30）接收来自气体供应单元的处理气体并产生等离子体。 气体分离单元（60）在处理完成之后将特定气体与从处理室排出的处理气体分离。 再生气体储罐（80）存储从气体分离单元分离的气体。 气体分离单元通过使用液相线温度的工艺气体之间的差来分离特定的气体。 蒸发单元（70）使液化气体蒸发。
-
公开(公告)号：KR100688985B1
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：KR1020050071940
申请日：2005-08-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01N21/88
Abstract: 본 발명은, 기판검사장치 및 그의 제어방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 기판검사장치는, 상기 기판을 검사하는 검사유닛과; 상기 검사유닛의 입구영역에 마련되며, 상기 검사유닛으로 상기 기판을 순차적으로 공급하도록 적어도 하나의 상기 기판을 지지하는 복수의 공급스테이지와, 상기 검사유닛의 입구측에 대응하여 복수의 상기 공급스테이지를 이동시키는 공급구동부를 갖는 공급유닛과; 상기 검사유닛의 출구영역에 마련되며, 상기 검사유닛에서 순차적으로 배출되는 적어도 하나의 상기 기판을 지지하는 복수의 배출스테이지와, 상기 검사유닛의 출구측에 대응하여 복수의 상기 배출스테이지를 이동시키는 배출구동부를 갖는 배출유닛을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 비교적 신속하며 간단하게 기판을 검사할 수 있는 기판검사장치 및 그의 제어방법이 제공된다.
-
公开(公告)号：KR1020070008333A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：KR1020050063464
申请日：2005-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C23C16/45574 , C23C16/45565 , C23C16/509 , C23C16/513
Abstract: A substrate process apparatus is provided to form a carbon thin film of an excellent quality by preventing a flow path from being contaminated. A substrate process apparatus has a reaction space. First reaction gas including hydrocarbon gas is supplied by a first gas supply part. Second reaction gas containing hydrogen is supplied by a second gas supply part. A shower head includes a first flow path and a second flow path. The first reaction gas is supplied to the reaction space by the first flow path, connected to the first gas supply part. The second reaction gas is supplied to the reaction gas, connected to the second gas supply part. The shower head includes a first block, a second block in contact with the reaction space, and a third block in contact with the reaction space wherein at least a part of the third block overlaps the second block.
Abstract translation: 提供一种基板处理装置，通过防止流路被污染而形成质量优良的碳薄膜。 基板处理装置具有反应空间。 包括烃气体的第一反应气体由第一气体供给部供给。 含有氢的第二反应气体由第二气体供给部供给。 淋浴头包括第一流路和第二流路。 第一反应气体通过与第一气体供给部连接的第一流路供给反应空间。 将第二反应气体供给到与第二气体供给部连接的反应气体。 淋浴头包括第一块，与反应空间接触的第二块，以及与反应空间接触的第三块，其中第三块的至少一部分与第二块重叠。
-
公开(公告)号：KR100500526B1
公开(公告)日：2005-07-12
申请号：KR1020030042144
申请日：2003-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R1/0458
Abstract: 본 발명은, 반도체소자의 온도에 대한 내구성을 테스트하는 반도체소자 검사장치에 관한 것으로서, 매치플레이트와; 상기 매치플레이트에 결합되며, 상기 반도체소자에서 발생되는 열을 외부로 방출시키는 방열부 및 상기 반도체소자의 리드선을 압착하는 테스트부를 갖는 컨택모듈과; 상향개구 및 하향개구를 가지고 상기 컨택모듈의 하측에 배치되며, 상기 상향개구를 통해 상기 반도체소자가 인입되는 반도체소자수용부가 마련된 인서트모듈과; 상기 인서트모듈 하측에 길이방향을 따라 마련되며, 상기 반도체소자수용부에 수용된 상기 반도체소자의 하부면에 상기 인서트모듈의 상기 하향개구를 통해 접촉되어, 상기 반도체소자에서 발생하는 열을 외부로 방출하는 보조방열부재를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, 테스트 중에 발생하는 반도체소자의 열을 신속하게 효과적으로 방출할 수 있어 반도체소자에서 발생하는 열에 영향 받지 않고 반도체소자의 테스트온도가 일정하게 유지될 수 있게 되므로 보다 정확한 테스트가 가능하게 되는 것이다.
이렇게 정확한 테스트가 이루어지고, 테스트시 발생하는 반도체소자의 열로 인해서 양품의 반도체소자를 불량품으로 판정하는 불량판정오류는 억제됨에 따라 생산성 향상 및 비용절감할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050001808A
公开(公告)日：2005-01-07
申请号：KR1020030042144
申请日：2003-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R1/0458
Abstract: PURPOSE: A semiconductor inspection system is provided to maintain constantly inspection temperature by radiating rapidly heat of a semiconductor device generated from a semiconductor inspection process. CONSTITUTION: A semiconductor inspection system includes a match plate, a contact module, and an insert module. The contact module(50) is coupled to the match plate(20). The contact module includes a radiation part for radiating heat of a semiconductor device to the outside and a test part for pressing a lead line of the semiconductor device. The insert module arranged at a lower side of the contact module includes a semiconductor receptacle in which the semiconductor device is installed. An auxiliary radiating member is installed at a lower side of the insert module to radiate the heat of the semiconductor device.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体检测系统，通过辐射由半导体检查过程产生的半导体器件的快速热量来保持持续的检测温度。 构成：半导体检测系统包括匹配板，接触模块和插入模块。 接触模块（50）联接到匹配板（20）。 接触模块包括用于将半导体器件的热辐射到外部的辐射部分和用于按压半导体器件的引线的测试部件。 布置在接触模块下侧的插入模块包括其中安装半导体器件的半导体插座。 辅助散热构件安装在插入模块的下侧以辐射半导体器件的热量。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130016802A
公开(公告)日：2013-02-19
申请号：KR1020110078926
申请日：2011-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01S3/02
CPC classification number: H01S3/041 , H01S3/0404 , H01S3/225
Abstract: PURPOSE: A target material supplying apparatus and a method thereof are provided to sense target material leakage directly, by sensing short-circuit current which flows as an intermediation of a target material leaked to a conductive metal. CONSTITUTION: A storage tank(120) stores a target material. A spray unit(110) sprays the stored target material to inside of a vacuum chamber. A gas supply unit supplies high pressure gas to spray the stored target material in the spray unit. A housing(160) has at least one opening for ejecting the sprayed target material. A sensing unit(170) is located around the spray unit inside the housing. The sensing unit senses the leakage of the target material based on current variance by the leakage of the target material to the conductive metal from the spray unit. According to the leakage sensing signal, a control unit performs control for blocking supply of the high pressure gas to the storage tank.
Abstract translation: 目的：提供一种目标材料供给装置及其方法，用于通过感测作为泄漏到导电金属的目标材料的中介而流动的短路电流来直接感测目标材料的泄漏。 构成：存储罐（120）存储目标材料。 喷射单元（110）将存储的目标材料喷射到真空室的内部。 气体供应单元提供高压气体以喷射喷射单元中存储的目标材料。 壳体（160）具有用于喷射喷射的目标材料的至少一个开口。 感测单元（170）位于壳体内部的喷雾单元周围。 感测单元通过目标材料从喷射单元向导电金属的泄漏而基于当前的方差来感测目标材料的泄漏。 根据泄漏检测信号，控制单元执行用于阻止向储罐供应高压气体的控制。
-
公开(公告)号：KR200459215Y1
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR2020070006781
申请日：2007-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 고안은 상부전극과 하부전극에 의해 발생되는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 플라즈마 발생장치에 관하여 개시한다.
본 고안에 따른 플라즈마 발생장치는 공정가스를 안내하는 가스유로를 구비하는 본체와, 고전압을 인가받아 상기 가스유로에서 공급된 상기 공정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 상부전극 및 하부전극을 포함하며, 상기 하부전극은 기판을 식각하기 위하여 플라즈마 상태의 공정가스를 분사하는 분사부와, 상기 분사부 외측에 마련되며 상기 기판과의 거리가 상기 분사부보다 멀게 형성되는 지지부를 포함한다.-
公开(公告)号：KR2020080004992U
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：KR2020070006781
申请日：2007-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H05H1/46 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541 , H01J37/3255
Abstract: 본 고안은 상부전극과 하부전극에 의해 발생되는 플라즈마를 이용하여 기판을 식각하는 플라즈마 발생장치에 관하여 개시한다.
본 고안에 따른 플라즈마 발생장치는 공정가스를 안내하는 가스유로를 구비하는 본체와, 고전압을 인가받아 상기 가스유로에서 공급된 상기 공정가스로부터 플라즈마를 발생시키는 상부전극 및 하부전극을 포함하며, 상기 하부전극은 기판을 식각하기 위하여 플라즈마 상태의 공정가스를 분사하는 분사부와, 상기 분사부 외측에 마련되며 상기 기판과의 거리가 상기 분사부보다 멀게 형성되는 지지부를 포함한다.-
公开(公告)号：KR100811658B1
公开(公告)日：2008-03-11
申请号：KR1020060108957
申请日：2006-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32513
Abstract: A plasma etching apparatus is provided to remove impurities from a substrate in an inserting and discharging process of the substrate by installing an air curtain at an inlet and an outlet. A process chamber(11) for performing a plasma etching process is formed in an inside of a main body(10). An inlet(10a) is formed at one side of the main body. An outlet(10b) is formed at the other side of the main body. A substrate is inserted through the inlet to the main body and is discharged through the outlet to the outside. A transfer unit(20) transfers the substrate. A plasma module(30) is installed in the inside of the process chamber to etch the substrate by using plasma. An air curtain(50) is installed at the inlet and the outlet to prevent gas leakage within the process chamber. A labyrinth seal(40) is installed in the inside of the air curtain to reduce a speed of the gas generated from the plasma module.
Abstract translation: 提供等离子体蚀刻装置，通过在入口和出口处安装气幕来在基板的插入和排出过程中从基板去除杂质。 在主体（10）的内部形成有用于进行等离子体蚀刻处理的处理室（11）。 入口（10a）形成在主体的一侧。 出口（10b）形成在主体的另一侧。 基板通过入口插入主体，并通过出口排出到外部。 传送单元（20）传送基板。 等离子体模块（30）安装在处理室的内部，以通过使用等离子体来蚀刻衬底。 在入口和出口处安装有气幕（50），以防止处理室内的气体泄漏。 迷宫式密封件（40）安装在气幕的内部，以降低从等离子体模块产生的气体的速度。
-
公开(公告)号：KR100749770B1
公开(公告)日：2007-08-17
申请号：KR1020060098506
申请日：2006-10-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
Abstract: Plasma process equipment is provided to efficiently cool a high temperature plasma generating apparatus by cooling the plasma generating apparatus through an internal circulation of a cooling gas. A plasma generating apparatus(30) has a body(31) where a process gas inlet(35) and a cooling gas outlet(38). A process gas supplying line(22) is connected to the process gas inlet to supply a process gas to the plasma generating apparatus. A cooling gas supplying line(41) is connected to the cooling gas inlet to supply individual cooling gas to the plasma generating apparatus. The plasma generating apparatus includes two electrodes(33,34) and a process gas leading pipe(37). A plasma generating region(32) is generated between the two electrodes. An end of the process gas leading pipe is communicated with the process inlet and the other end thereof is communicated with the plasma generating region.
Abstract translation: 提供等离子体处理设备以通过冷却气体的内部循环冷却等离子体产生设备来有效地冷却高温等离子体产生设备。 等离子体产生装置（30）具有其中有工艺气体入口（35）和冷却气体出口（38）的主体（31）。 工艺气体供应管线（22）连接到工艺气体入口以将工艺气体供应到等离子体产生装置。 冷却气体供应管线（41）连接到冷却气体入口以将单独的冷却气体供应到等离子体产生装置。 等离子体产生装置包括两个电极（33,34）和处理气体引导管（37）。 在两个电极之间产生等离子体产生区域（32）。 过程气体导管的一端与过程入口连通，另一端与等离子体发生区连通。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.021 seconds)
