公开(公告)号：KR1020080021952A

公开(公告)日：2008-03-10

申请号：KR1020060085212

申请日：2006-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  정종현 ,  박홍식 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  신원석

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L29/66757

Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor display panel is provided to decrease the number of manufacturing processes and reduce a manufacturing cost, by forming pixel electrodes along with the gate lines using one mask. Undercut portions of photoresist portions are removed to form photoresist portions having reduced thicknesses and boundaries that are the same as those of underlying data lines(171) and drain electrodes(175), by using an etch-back process. Exposed impurity semiconductor layers are removed using the photoresist portions as an etch mask to form ohmic contacts(163a,165a), and then the photoresist portions are removed. The boundaries of the data lines and drain electrodes are the same as those of the ohmic contacts and a semiconductors(154a). A first insulating layer and a second insulating layer are deposited and etched to form an insulating pattern including column spacers and a passivation layer(180).

Abstract translation: 提供一种制造薄膜晶体管显示面板的方法，通过使用一个掩模与栅极线一起形成像素电极来减少制造工艺的数量并降低制造成本。 去除光致抗蚀剂部分的底切部分以通过使用回蚀工艺形成具有与底层数据线（171）和漏电极（175）相同的厚度和边界的光致抗蚀剂部分。 使用光致抗蚀剂部分作为蚀刻掩模去除曝光的杂质半导体层以形成欧姆接触（163a，165a），然后除去光致抗蚀剂部分。 数据线和漏极的边界与欧姆接触和半导体（154a）的边界相同。 沉积和蚀刻第一绝缘层和第二绝缘层以形成包括柱间隔物和钝化层（180）的绝缘图案。

公开(公告)号：KR1020070060174A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：KR1020050119155

申请日：2005-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  정종현 ,  김봉균 ,  이병진 ,  신원석 ,  홍선영

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F2201/123 ,  H01L29/786

Abstract: A pixel electrode, a thin film transistor substrate including the same, and a method for manufacturing a semiconductor substrate are provided to prevent light leakage by forming a pixel electrode having conductivity and transparency depending on a voltage being applied. A thin film transistor is formed on a substrate(101). A pixel electrode is connected to the thin film transistor and is formed of a polymer having transparency and conductivity, wherein at least one of transparency and conductivity is changed in accordance with a voltage applied through the thin film transistor. The pixel electrode is formed of one of PEDOT, PProDOT-(CH3)2, and PSS. A dopant is added to the pixel electrode, and is formed of metal such as Au, Pt, Ag, and Cu or a negative ion such as Cl-, ClO4-, and NO3-.

Abstract translation: 提供像素电极，包括该像素电极的薄膜晶体管基板和用于制造半导体基板的方法，以通过根据所施加的电压形成具有导电性和透明度的像素电极来防止漏光。 薄膜晶体管形成在基板（101）上。 像素电极连接到薄膜晶体管，并且由具有透明度和导电性的聚合物形成，其中透明度和导电率中的至少一个根据通过薄膜晶体管施加的电压而改变。 像素电极由PEDOT，PProDOT-（CH 3）2和PSS中的一种形成。 掺杂剂添加到像素电极中，并且由诸如Au，Pt，Ag和Cu的金属或诸如Cl - ，ClO 4 - 和NO 3 - 的负离子形成。

公开(公告)号：KR1020070052419A

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：KR1020050110035

申请日：2005-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉균 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  신원석 ,  이병진

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 공정 용액 공급장치를 제공하며, 상기 공급장치는 기판이 안착되어 이송되는 이송기와, 상기 기판에 공정 용액을 분사하며 일방향을 따라 규칙적으로 배치된 복수의 분사기들과 상기 기판의 존부를 식별하는 적어도 하나의 감지센서를 포함한다.
본 발명에 따르면, 감지센서에서 기판을 감지하는 순간 상기 감지센서로부터 일정 영역내의 분사기만이 작동되고 나머지는 작동되지 않는다. 따라서 일률적으로 모든 분사기가 작동되는 경우에 비하여, 불필요하게 공정 용액이 낭비되는 것을 방지할 수 있다.
공정 용액, 포토레지스트, 순수

公开(公告)号：KR1020070031713A

公开(公告)日：2007-03-20

申请号：KR1020050086452

申请日：2005-09-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종현 ,  홍선영

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136 ,  G02F1/133553 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/42

Abstract: 본 발명은 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공한다. 본 발명의 액정표시장치는 기판상에서 서로 교차하며 화소를 한정하고 그 끝단에 접속단자를 갖는 복수의 배선과, 상기 각 화소에 구비되며 상기 접속단자를 덮도록 형성되는 반사막 패턴을 포함한다. 상기 반사막 패턴은 각 화소에서 외부의 빛을 반사하는 외에, 접속단자를 덮으며 그 하부의 접속단자를 보호한다. 즉, 상기 반사막 패턴은 기판상에 반사막을 증착한 후 이를 습식 식각하여 형성되는데, 이 때 상기 반사막이 접속단자상에 잔류하도록 하면 반사막에 대한 식각액이 접속단자와 직접 반응하여 손상을 입히는 것이 방지된다.
액정, 기판, 반사, 투과, 식각액

公开(公告)号：KR1020070014335A

公开(公告)日：2007-02-01

申请号：KR1020050068867

申请日：2005-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신원석 ,  정종현 ,  박홍식

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1262 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/124

Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor substrate is provided to have no additive photolithographic process for forming a pixel electrode, thereby simplifying the manufacturing process, by simultaneously forming the pixel electrode and a gate line. A transparent conductive layer is formed on a substrate(110). A conductive layer is formed on the transparent conductive layer. A first photoresist film is formed on the conductive layer. The conductive layer is etched by using the first photoresist film as a mask with a first etching solution. The transparent conductive layer is etched by using the first photoresist film as a mask with a second etching solution, thereby forming a pixel electrode(191). A second photoresist film is formed on the first photoresist film. An exposed portion of the conductive layer is removed by using the second mask as a mask with the first etching solution, thereby forming a gate line having a gate electrode(124). A gate insulating layer(140), a semiconductor layer(154), a data line, drain and source electrodes(173,175), and a passivation layer(180) are sequentially formed by performing subsequent processes.

Abstract translation: 提供了制造薄膜晶体管基板的方法，以便不形成像素电极的附加光刻工艺，从而通过同时形成像素电极和栅极线来简化制造工艺。 在基板（110）上形成透明导电层。 导电层形成在透明导电层上。 在导电层上形成第一光致抗蚀剂膜。 通过使用第一光致抗蚀剂膜作为掩模用第一蚀刻溶液来蚀刻导电层。 通过使用第一光致抗蚀剂膜作为掩模用第二蚀刻溶液来蚀刻透明导电层，由此形成像素电极（191）。 在第一光致抗蚀剂膜上形成第二光致抗蚀剂膜。 通过使用第二掩模作为具有第一蚀刻溶液的掩模来去除导电层的暴露部分，从而形成具有栅电极（124）的栅极线。 通过执行后续处理，依次形成栅极绝缘层（140），半导体层（154），数据线，漏极和源电极（173,175）以及钝化层（180）。

公开(公告)号：KR1020080036441A

公开(公告)日：2008-04-28

申请号：KR1020060103036

申请日：2006-10-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍선영 ,  박홍식 ,  정종현 ,  김봉균 ,  신원석 ,  이병진 ,  임태빈

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/027

CPC classification number: H01L21/6708 ,  G03F7/423 ,  B05B1/005

Abstract: An apparatus for eliminating a photoresist is provided to efficiently recover a used process liquid and to reuse the recovered process liquid by employing an inclined support for sloping a glass substrate. A chamber(100) includes a space on which a glass substrate(P) is placed, and a nozzle for spraying a process liquid onto the glass substrate. A transfer unit(17) transfers the glass substrate through the chamber. An inclined support(310) is received on the transfer unit and slopes the glass substrate mounted on its upper portion. An ozone reactor injects ozone to the process liquid which is sprayed onto the glass substrate. A degassing unit removes ozone contained in the process liquid. The degassing unit sprays nitrogen. The transfer unit is a conveyer which is horizontally moved. The glass substrate is sequentially passed through a plurality of baths. The chamber is divided into one or more partitions and includes the plurality of baths including the nozzles.

Abstract translation: 提供一种用于消除光致抗蚀剂的装置，以有效地回收使用的处理液体，并通过使用用于倾斜玻璃基板的倾斜支撑来再利用回收的处理液体。 室（100）包括放置玻璃基板（P）的空间和用于将处理液体喷射到玻璃基板上的喷嘴。 传送单元（17）将玻璃基板传送通过室。 倾斜支撑件（310）被容纳在传送单元上并且倾斜安装在其上部的玻璃基板。 臭氧反应器将臭氧注入喷涂在玻璃基板上的工艺液体。 脱气装置除去处理液中含有的臭氧。 脱气装置喷氮。 转印单元是水平移动的输送机。 玻璃基板依次通过多个槽。 腔室被分成一个或多个分隔件，并且包括多个包括喷嘴的浴槽。

公开(公告)号：KR1020080032983A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：KR1020060099474

申请日：2006-10-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉균 ,  오민석 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  신원석 ,  이병진

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  H01L27/124 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: A thin film transistor substrate and a method of manufacturing the same are provided to improve the aperture ratio and transmittance by reducing a CD(Critical Dimension) error. A gate line(30) and a data line(40) are formed at both sides of a gate insulating layer(35). A thin film transistor(50) is formed at an intersection between the gate line and the data line. A pixel electrode(80) is connected to the thin film transistor. An active barrier layer(20) is formed at the gate line and a lower side of a gate electrode of the thin film transistor to reduce a CD error. The thickness of the active barrier layer is 200 to 1000 angstrom. A width of an upper surface of the active barrier layer is equal to a width of a lower surface of the gate line.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过减小CD（临界尺寸）误差来提高开口率和透射率。 栅极线（30）和数据线（40）形成在栅极绝缘层（35）的两侧。 薄膜晶体管（50）形成在栅极线与数据线之间的交点处。 像素电极（80）连接到薄膜晶体管。 在薄膜晶体管的栅电极的栅极线和栅电极的下侧形成有源阻挡层（20），以减少CD误差。 有源阻挡层的厚度为200〜1000埃。 有源阻挡层的上表面的宽度等于栅极线的下表面的宽度。

公开(公告)号：KR1020070059256A

公开(公告)日：2007-06-12

申请号：KR1020050117903

申请日：2005-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종현

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/6708 ,  G02F1/1303

Abstract: A substrate processing apparatus is provided to extend the lifetime of etchant by removing the metal ions remaining in the etchant by an absorption part. A wet etching part(210) etches a metal layer formed on a substrate by using etchant. An absorption part(220) absorbs the metal ions remaining the etchant, including an absorbing agent made of a mesoporous molecular sieve. The etchant passing through the absorption part is stored in a storage part(230). The etchant stored in the storage part is supplied to the wet etching part by a pump part(250). Etch residue in the etchant is filtered by the absorption part. The etchant stored in the storage part is exhausted by an exhaust part(260).

Abstract translation: 提供了一种衬底处理装置，通过吸收部分除去留在蚀刻剂中的金属离子来延长蚀刻剂的使用寿命。 湿蚀刻部件（210）通过使用蚀刻剂蚀刻形成在基板上的金属层。 吸收部分（220）吸收留下蚀刻剂的金属离子，包括由介孔分子筛制成的吸收剂。 穿过吸收部分的蚀刻剂被存储在存储部分（230）中。 存储在存储部分中的蚀刻剂通过泵部分（250）供应到湿蚀刻部分。 蚀刻剂中的蚀刻残留物被吸收部分过滤。 存储在存储部分中的蚀刻剂由排气部分（260）排出。

公开(公告)号：KR1020070051561A

公开(公告)日：2007-05-18

申请号：KR1020050109285

申请日：2005-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  박홍식 ,  홍선영 ,  정종현 ,  김봉균 ,  신원석

IPC: G02F1/13

CPC classification number: G02F1/133308 ,  G02F2001/133322 ,  G02F2201/46

Abstract: 엘시디 라인에서 투명기판을 다룰 때 발생하는 부주의로부터 투명기판의 파손을 방지할 수 있는 투명기판 수납용 카세트가 제공된다. 투명기판 수납용 카세트는 전면과 후면이 개구되어 투명기판을 수납하는 프레임과, 프레임의 양쪽 내측면에 형성되어 투명기판을 지지하며 프레임의 전면 방향으로 턱이 형성되어 투명기판이 미끄러지는 것을 방지하는 받침대와, 프레임의 후면에 설치된 이탈 방지부를 포함한다.
카세트, 이탈 방지부, 받침대, 턱

公开(公告)号：KR1020070040027A

公开(公告)日：2007-04-16

申请号：KR1020050095274

申请日：2005-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신원석 ,  박홍식 ,  정종현

IPC: G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/13439 ,  G02F1/133555 ,  G02F1/136227

Abstract: 표시패널용 어레이 기판은 베이스 기판, 신호인가모듈, 제1 전극, 제2 전극 및 보호층을 포함한다. 신호인가모듈은 베이스 기판 상에 배치되며 데이터 신호를 출력하는 출력단을 포함한다. 제1 전극은 베이스 기판 상에 배치되며, 출력단과 전기적으로 연결된다. 제2 전극은 제1 전극 상에 배치되고 제1 전극과 전기적으로 연결되며, 은(Ag)을 포함한다. 보호층은 제2 전극 상에 배치되어, 제2 전극의 적어도 일부를 커버한다. 이에 따라, 제2 전극의 하부막에 대한 부착력을 향상시키고, 제2 전극의 변색을 방지할 수 있다.