公开(公告)号：KR1020080052920A

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：KR1020060124696

申请日：2006-12-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  이은국 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  신원석 ,  이지선

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2201/123 ,  H01L29/786

Abstract: A method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) display plate is provided to manufacture a TFT display plate stably having a new pixel electrode which doesn't contain indium. Gate electrodes are formed on a substrate. Source and drain electrodes, which are insulated from the gate electrodes, are formed. Pixel electrodes, connected to the drain electrodes, are formed. In forming the pixel electrodes, a transparent conductive oxidation film which doesn't contain indium is deposited. A photosensitive layer is formed on the transparent conductive oxidation film. Using the photosensitive layer as a mask, etching for the transparent conductive oxidation film is performed. Using a stripper, the photosensitive layer is removed.

Abstract translation: 提供一种用于制造TFT（薄膜晶体管）显示板的方法，以制造稳定地具有不含铟的新像素电极的TFT显示板。 栅电极形成在基板上。 形成与栅电极绝缘的源电极和漏电极。 形成连接到漏电极的像素电极。 在形成像素电极时，沉积不含铟的透明导电氧化膜。 在透明导电氧化膜上形成感光层。 使用感光层作为掩模，进行透明导电氧化膜的蚀刻。 使用汽提器，去除感光层。

公开(公告)号：KR1020070020923A

公开(公告)日：2007-02-22

申请号：KR1020050075308

申请日：2005-08-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종현 ,  박홍식

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/1262 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1288

Abstract: 액정 표시 장치의 잔상을 방지하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법은 기판 상에 도전층을 적층하는 단계, 도전층 상에 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계, 제1 감광막 패턴을 식각 마스크로 하여 게이트 전극을 가지는 게이트 배선 및 화소 영역 정의 패턴을 형성하는 단계, 기판 전면에 도전성 산화막을 적층하고 제1 감광막 패턴 및 그 상부의 도전성 산화막을 제거하여 상기 화소 영역 정의 패턴 내에 화소 전극을 형성하는 단계, 게이트 배선 및 화소 전극 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계, 게이트 절연막 상에 비정질 규소층을 적층하고 패터닝하여 반도체층을 형성하는 단계 및 반도체층 상에 소스 전극 및 소스 전극과 소정 간격으로 이격된 드레인 전극을 포함하는 데이터 배선을 포함하는 단계를 포함한다.
박막 트랜지스터 기판, 4마스크, 리프트 오프, 반도체층, 잔상

公开(公告)号：KR1020060128210A

公开(公告)日：2006-12-14

申请号：KR1020050049453

申请日：2005-06-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  김시열 ,  정종현 ,  신원석

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/28

CPC classification number: C23F1/30 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4908

Abstract: An etchant, a metal line forming method using the same and a method for manufacturing a TFT(Thin Film Transistor) substrate are provided to improve the adhesiveness of a metal line and to enhance the profile of the metal line. Etchant contains acetate a predetermined material, ammonium and deionized water. The predetermined material is represented by a predetermined chemical formula of M(OH)xLy. The 'M' of the predetermined chemical formula is one selected from a group consisting of Zn, Sn, Cr, Al, Ba, Fe, Ti, Si or B. The 'x' of the predetermined chemical formula is two or three. The 'L' of the predetermined chemical formula is one selected from a group consisting of H2O, NH3, CN, COR, and NH2R. The 'y' of the predetermined chemical formula is zero to three.

Abstract translation: 提供蚀刻剂，使用该蚀刻剂的金属线形成方法和制造TFT（薄膜晶体管）基板的方法，以改善金属线的粘附性并增强金属线的轮廓。 蚀刻剂含有预定材料的乙酸盐，铵和去离子水。 预定的材料由M（OH）xLy的预定化学式表示。 预定化学式的“M”是选自Zn，Sn，Cr，Al，Ba，Fe，Ti，Si或B中的一种。预定化学式的“x”为2或3。 预定化学式的“L”选自H 2 O，NH 3，CN，COR和NH 2 R中的一个。 预定化学式的“y”为0〜3。

公开(公告)号：KR1020060080965A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：KR1020050001253

申请日：2005-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종현

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133514 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/134309

Abstract: 본 발명에 따른 색필터 표시판은 기판, 기판 위에 형성되어 있는 흰색 색필터, 흰색 색필터 위에 형성되어 있으며 흰색 색필터를 노출하는 복수의 개구부를 가지는 차광 패턴, 개구부에 형성되어 있는 복수의 삼원색 색필터, 색필터 위에 형성되어 있는 공통 전극을 포함하고, 개구부에 의해 노출되는 흰색 색필터와 함께 삼원색 색필터는 규칙적으로 배열되어 있다.
액정표시장치, 색필터, 흰색

公开(公告)号：KR1020060039769A

公开(公告)日：2006-05-09

申请号：KR1020040088985

申请日：2004-11-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정종현

IPC: G02F1/13

CPC classification number: H01L21/6704 ,  G02F2001/1316 ,  H01L21/67086 ,  H01L21/67742

Abstract: 세정액의 식각부 유입을 방지하기 위한 세정 장치, 기판 세정 방법 및 이를 갖는 식각 장치를 개시한다. 세정장치는 챔버, 분사 유닛, 기판 이송 유닛 및 구동 유닛을 포함한다. 분사 유닛은 챔버의 상부에 체결되어, 세정액을 기판에 분사한다. 기판 이송 유닛은 챔버 내부에 배치되어, 기판을 이송하는 롤러들 및 롤러들과 체결되고 롤러들을 연결하는 지지대를 포함한다. 구동 유닛은 지지대에 체결되어, 챔버의 하방으로 지지대를 이동시켜 상기 기판을 기울인다. 이에 따라, 지지대를 챔버 하방으로 이동시켜 기판 상에 잔존하는 세정액을 제거함으로써, 기울어진 기판을 평행하게 정렬하기 위해 챔버 상방으로 지지대의 이동중 분사 유닛으로부터 분사되는 세정액이 롤러 측벽에 부딪쳐서, 인접하는 식각부로 유입하는 것을 억제할 수 있다.
세정액, 유입, 식각 장치, 세정 장치

公开(公告)号：KR1020060028523A

公开(公告)日：2006-03-30

申请号：KR1020040077501

申请日：2004-09-24

Applicant: 주식회사 동진쎄미켐 ,  삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  윤석일 ,  김성배 ,  김위용 ,  허순범 ,  김병욱 ,  정종현

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458

Abstract: The present invention provides a photoresist stripper comprising about 5 wt% to about 20 wt% alcohol amine, about 40 wt% to about 70 wt% glycol ether, about 20 wt% to about 40 wt% N-methyl pyrrolidone, and about 0.2 wt% to about 6 wt% chelating agent.

公开(公告)号：KR101129433B1

公开(公告)日：2012-03-26

申请号：KR1020050044153

申请日：2005-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박홍식 ,  김시열 ,  정종현 ,  신원석

IPC: G02F1/136

Abstract: 박막 트랜지스터 기판의 제조방법을 개시한다. 상기 제조방법은 기판 상에 트랜지스터 박막 패턴을 형성하는 단계, 보호막을 형성하는 단계, 포토레지스트 층을 형성하는 단계, 화소영역을 형성하는 단계, 서로 분리된 화소전극 및 도전막을 형성하는 단계, 스트립핑 조성물을 이용하여 포토레지스트 패턴을 스트립핑하고 상기 포토레지스트 표면에 증착된 도전막을 기판으로부터 분리하는 스트립핑 단계 및 도전막 용해 단계를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터의 제조방법에 따르면 박막트랜지스터 기판의 제조시 제조 공정의 효율을 향상시킬 수 있으며, 상기 스트립핑 조성물은 재활용될 수 있다.

公开(公告)号：KR1020080070449A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：KR1020070008594

申请日：2007-01-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김봉균 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  신원석 ,  이병진 ,  이지선

IPC: G02F1/13

CPC classification number: H01L21/67075 ,  G02F1/1303 ,  H01L21/6708 ,  H01L21/68 ,  H01L21/68714

Abstract: A wet etching apparatus and an etching method using the same are provided to detect an etching end point in various position by uniformly injecting etching liquid onto a substrate. A wet etching apparatus(10) includes a chamber(100), a conveyer(110), a movable support(120), a nozzle(112,114,116) and an etching end point detection device(130). The chamber has a space in which a glass substrate is positioned in the inside thereof. The conveyer moves the glass substrate in the inside of the chamber. The movable support is mounted on the glass substrate and moves the glass substrate in a direction different from the moving direction of the movable support. The nozzle is positioned in the inside of the chamber and injects etching liquid onto the glass substrate. And the etching end point detection device detects an etching end point in the chamber.

Abstract translation: 提供一种湿式蚀刻装置和使用该方法的蚀刻方法，通过将蚀刻液均匀地注入到基板上来检测各种位置的蚀刻终点。 湿蚀刻装置（10）包括腔室（100），输送器（110），可移动支撑件（120），喷嘴（112,114,116）和蚀刻终点检测装置（130）。 该室具有玻璃基板位于其内部的空间。 输送机将玻璃基板移动到室内。 可移动支撑件安装在玻璃基板上，并使玻璃基板沿与可动支架的移动方向不同的方向移动。 喷嘴位于腔室的内部，并将蚀刻液体注入到玻璃基底上。 并且蚀刻终点检测装置检测室中的蚀刻终点。

公开(公告)号：KR1020080049273A

公开(公告)日：2008-06-04

申请号：KR1020060119665

申请日：2006-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이병진 ,  박홍식 ,  황보상우 ,  정종현 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  신원석

IPC: C03C15/00

CPC classification number: C03C15/00 ,  C09K13/04

Abstract: A treatment method of glass substrate is provided to obtain improved glass substrate economically by employing conventional etchant. A treatment method of glass substrate comprises steps of: preparing etchant; and treating glass substrate with the prepared etchant. The glass substrate is soda-lime glass substrate, and the treatment is carried out in a process comprising: pouring the etchant in a vessel; and soaking the glass substrate in the etchant. The etchant is maintained at 40-50deg.C and the glass substrate is soaked in the etchant for 3-30 minutes. The etchant comprises: phosphoric acid, nitric acid, acetic acid, additive and deionized water; sulfuric acid, additive and deionized water; hydrochloric acid, nitric acid and deionized water; or Ce(NH4)2(NO3)6, nitric acid and deionized water.

Abstract translation: 提供玻璃基板的处理方法，通过使用常规的蚀刻剂经济地获得改进的玻璃基板。 玻璃基板的处理方法包括以下步骤：制备蚀刻剂; 并用制备的蚀刻剂处理玻璃基板。 玻璃基板是钠钙玻璃基板，处理过程包括：将蚀刻剂倾倒在容器中; 并将玻璃基板浸入蚀刻剂中。 将蚀刻剂保持在40-50℃，将玻璃基材浸入蚀刻剂中3-30分钟。 蚀刻剂包括：磷酸，硝酸，乙酸，添加剂和去离子水; 硫酸，添加剂和去离子水; 盐酸，硝酸和去离子水; 或Ce（NH 4）2（NO 3）6，硝酸和去离子水。

公开(公告)号：KR1020080045966A

公开(公告)日：2008-05-26

申请号：KR1020060115295

申请日：2006-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신원석 ,  박홍식 ,  정종현 ,  홍선영 ,  김봉균 ,  이병진

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1343 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13625 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/123

Abstract: A thin film transistor substrate and a method for manufacturing the same are provided to reduce the number of etching masks and reduce a defect generated in forming pixel electrodes by avoiding lift-off. A thin film transistor substrate(100) includes gate wiring formed on an insulating substrate(10), including gate lines(22_1,22_2), gate electrodes(26_1,26_2), and maintenance electrodes(27_1,27_2) made of a first conductive material for gate wiring and a second conductive material for gate wiring, and gate ends(24_1) made of a first conductive material for gate wiring. Data wiring includes data lines(62) crossing the gate lines, and source and drain electrodes(65,66) formed on the gate electrodes, separated from each other. Pixel electrodes(82) are electrically connected with the drain electrodes. Auxiliary gate ends(84) are electrically connected with the gate ends, made of the same material as the pixel electrodes.

Abstract translation: 提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以减少蚀刻掩模的数量，并通过避免剥离来减少在形成像素电极时产生的缺陷。 薄膜晶体管基板（100）包括形成在绝缘基板（10）上的栅极布线，包括栅极线（22_1,22_2），栅极电极（26_1,26_2）以及维修电极（27_1,27_2），其由第一导电 用于栅极布线的材料和用于栅极布线的第二导电材料，以及由用于栅极布线的第一导电材料制成的栅极端部（24_1）。 数据布线包括与栅极线交叉的数据线（62）以及形成在栅电极上的彼此分离的源极和漏极（65,66）。 像素电极（82）与漏电极电连接。 辅助栅极端（84）与栅极端电连接，栅极端部由与像素电极相同的材料制成。