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公开(公告)号：KR1019970018014A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950030996
申请日：1995-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 이온 주입 설비에서 이온 주입 가스 조절 방법에 개시한다.
이온 주입 장치의 고전압 지역의 가스 리크 밸브에 있어서, 고전압 지역의 가스 리크 밸브에 구동용 질소가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 이온주입 장치를 제공한다. 본 발명의 바람직한 실시예는 고전압 지역과 접지지역간 절연의 파괴를 방지하도록 고전압 지역의 전원을 사용하며, 가스 리크 밸브 구동 모터가 시계방향 및 반시계 방향으로 회전하도록 직류 양전압과 음전압이 변하도록 두개의 압력 스위치를 사용한다.
본 발명에 의하면, 이온 주입 설비에서 고전압 지역과 접지 지역간의 절연의 파괴를 방지하며, 가스리크밸브의 파인 밸브 핀과 구동용 모터사이에 관한 회전력이 전달되지 않도록 하여 파인 밸브 핀이 깨지는 현상을 막고, 가스입자를 미세하게 조절 가능 하도록 한다.-
公开(公告)号：KR1020060088953A
公开(公告)日：2006-08-07
申请号：KR1020050009469
申请日：2005-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 본 발명은 탄데트론 탱크(tandetron tank)와 진공실(vacuum chamber)의 연결구조에 관한 것으로, 탄데트론 탱크의 내부에서 절연 및 냉각의 매개체로 사용되는 육불화황(SF
6 )이 진공실의 내부로 유입되는 것을 차단하여 공정불량 현상을 방지하기 위해서, 이온빔(ion beam)의 통로가 되는 진공실(vacuum chamber); 상기 진공실과 연결된 이온빔 가속기를 포함하고, 상기 가속기와의 사이에 육불화황 가스가 고압 충전된 가스실이 형성되도록 상기 가속기의 둘레에 설치된 탱크덮개(tank cover)를 포함하는 탄데트론 탱크; 및 상기 진공실과 상기 가속기 및 상기 탱크덮개를 연결하고 상기 가스실 내부의 상기 육불화황 가스를 격리시키는 역할을 하는 밀봉수단;을 포함하고, PCW(process cooling water)부를 더 포함하며, 상기 탱크덮개의 내부에 상기 탱크덮개의 단으로부터 외부로 관통하는 배기관이 형성된 탄데트론 탱크와 진공실의 연결구조를 제공한다.
육불화황, 진공실, 가속기, 탱크덮개, 밀봉수단, PCW부-
公开(公告)号：KR1020050048054A
公开(公告)日：2005-05-24
申请号：KR1020030081874
申请日：2003-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 오버레이 계측설비 및 이를 이용한 오버레이 계측방법을 제공한다. 이때의 오버레이 계측설비는 웨이퍼 상에 형성된 각 레이어간 포토레지스트 패턴을 비교하여 패턴간의 중첩도를 계측하는 오버레이 계측장치와, 오버레이 계측장치에 온라인으로 연결되며 계측된 중첩도에 의해 오버레이 데이터를 검출한 다음 오버레이 데이터를 기준으로 보정값을 계산하고 이 보정값을 피드백하는 호스트 컴퓨터 및, 오버레이 계측장치에 온라인으로 연결되며 오버레이 계측장치가 웨이퍼 상에 형성된 다수의 샷 중 특정수의 샷을 계측할 수 있도록 소정 샘플링 플랜을 적용시켜주되 서로다른 다수의 샘플링 플랜을 구비하여 오버레이 계측장치에 적용될 샘플링 플랜을 가변적으로 변동시켜주는 오버레이 컨트롤서버를 포함한다.
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公开(公告)号：KR1020030049665A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020010079956
申请日：2001-12-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01J37/30
Abstract: PURPOSE: An ion beam scanning method is provided to prevent defects of ion implantation by scanning ion beams to the position desired by the worker. CONSTITUTION: An ion beam scanning method comprises a first step of moving an ion beam from the ion beam scanning start time to the ion beam scanning end time and scanning an X-axis line by using the scan voltage output from a transducer; a second step of displaying the voltage being scanned in a normal manner such that the worker recognizes the voltage; a third step of setting and storing a glitch voltage by permitting the worker to recognize the voltage being scanned in a normal manner; and a fourth step of stopping the scanning when the stored glitch voltage is sensed during the X-axis line scanning.
Abstract translation: 目的：提供离子束扫描方法，以通过将离子束扫描到工作人员期望的位置来防止离子注入的缺陷。 构成：离子束扫描方法包括：将离子束从离子束扫描开始时间移动到离子束扫描结束时间并通过使用从换能器输出的扫描电压扫描X轴线的第一步骤; 以正常方式显示被扫描的电压的第二步骤，使得所述工作人员识别电压; 通过允许工人以正常方式识别被扫描的电压来设置和存储毛刺电压的第三步骤; 以及在X轴线扫描期间感测到存储的毛刺电压时停止扫描的第四步骤。
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公开(公告)号：KR1020020067821A
公开(公告)日：2002-08-24
申请号：KR1020010008175
申请日：2001-02-19
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정효상
IPC: H01L21/265
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/18
Abstract: PURPOSE: A vacuum apparatus of an ion implanter is provided to prevent the oxygen introduced to the inside of an ion generator and a vacuum line of the vacuum apparatus from reacting with an inflammable material deposited inside the vacuum line. CONSTITUTION: The vacuum pump makes the inside of the ion generator vacuum. The vacuum line is connected between the ion generator(100) and the vacuum pump. At least one of the first valve opens before and after the ion generator switches on/off and injects inert gas to the inside of the ion generator and the vacuum line, connected to the ion generator and the vacuum line, respectively. The second valve opens when the pressure inside the vacuum line is not lower than a predetermined pressure and exhausts the inside air to the exterior, connected to the vacuum line.
Abstract translation: 目的：提供离子注入机的真空装置，以防止引入离子发生器内部的氧气和真空装置的真空管线与沉积在真空管线内的易燃材料发生反应。 构成：真空泵使离子发生器的内部真空。 真空管线连接在离子发生器（100）和真空泵之间。 在离子发生器开/关之前和之后，第一阀中的至少一个打开，并且分别将惰性气体注入到离子发生器和真空管线的内部，该真空管线分别连接到离子发生器和真空管线。 当真空管线内的压力不低于预定压力时，第二阀打开，并将内部空气排出到外部，连接到真空管线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100219799B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960053320
申请日：1996-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정효상
IPC: H01L21/265
Abstract: 공정챔버내의 리크(Leak)를 방지하여 공정을 안정화할 수 있도록 한 반도체 이온주입설비의 고진공 유지장치에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 고진공이 유지되어 이온빔이 일직선상태로 주입되도록 하는 빔라인 챔버(31)와, 고진공이 유지되어 웨이퍼(32)가 놓여지는 공정챔버(33)와, 상기 웨이퍼가 움직여도 공정챔버내의 고진공이 유지되도록 하는 슬라이딩 시일(34)과, 상기 슬라이딩 시일의 저진공상태를 유지하는 저진공유지부(41)(42)를 구비하는 반도체 이온주입설비의 고진공 유지장치에 있어서, 상기 고진공이 유지되는 공정챔버(33)와 슬라이딩 시일구조(34)의 저진공을 유지하는 저진공유지부(41)(42) 사이에 중진공유지부(51)를 설치하여 슬라이딩 시일(34)을 중진공으로 유지하도록 된 것이다.
따라서 슬라이딩 시일부분인 고진공과 상압 사이에서 고진공을 유지하기 위해 설치된 진공 차등장치의 터보펌프에 의해 중진공이 유지됨으로써 공정챔버의 리크가 방지되는 것이고, 이로써 공정챔버내의 고진공이 유지되어 공정이 안정화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980035089A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960053320
申请日：1996-11-11
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정효상
IPC: H01L21/265
Abstract: 공정챔버내의 리크(Leak)를 방지하여 공정을 안정화할 수 있도록 한 반도체 이온주입설비의 고진공 유지장치에 관한 것이다.
본 발명의 구성은 고진공이 유지되어 이온빔이 일직선상태로 주입되도록 하는 빔라인 챔버(31)와, 고진공이 유지되어 웨이퍼(32)가 놓여지는 공정챔버(33)와, 상기 웨이퍼가 움직여도 공정챔버내의 고진공이 유지되도록 하는 슬라이딩 시일(34)과, 상기 슬라이딩 시일의 저진공상태를 유지하는 저진공유지부(41)(42)를 구비하는 반도체 이온주입설비의 고진공 유지장치에 있어서, 상기 고진공이 유지되는 공정챔버(33)와 슬라이딩 시일구조(34)의 저진공을 유지하는 저진공유지부(41)(42) 사이에 중진공유지부(51)를 설치하여 슬라이딩 시일(34)을 중진공으로 유지하도록 된 것이다.
따라서 슬라이딩 시일부분인 고진공과 상압 사이에서 고진공을 유지하기 위해 설치된 진공 차등장치의 터보펌프에 의해 중진공이 유지됨으로써 공정챔버의 리크가 방지되는 것이고, 이로써 공정챔버내의 고진공이 유지되어 공정이 안정화되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020160067595A
公开(公告)日：2016-06-14
申请号：KR1020140173175
申请日：2014-12-04
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F1/324 , G06F1/3243 , G06F1/3287 , G06F9/46 , Y02D10/126 , Y02D10/152 , Y02D50/20 , G06F1/32 , G06F1/26 , G06F1/3203
Abstract: 반도체장치의동작방법이제공된다. 반도체동작방법은, 시스템온 칩(System On Chip) 상의하나이상의 IP에제1 클럭을제공하고, 상기시스템온 칩상에구비된제1 코어및 제2 코어의상태를검사하고, 상기제1 코어및 상기제2 코어가모두아이들(idle) 상태인경우, 상기하나이상의 IP에상기제1 클럭과다른클럭레이트(clock rate)를갖는제2 클럭을제공하는것을포함한다.
Abstract translation: 提供了一种用于操作半导体器件的方法。 该方法包括：在片上系统（SoC）中向至少一个IP地址提供第一时钟的步骤; 检查SoC中提供的第一和第二核的步骤; 以及当所述第一和第二核心处于空闲状态时，向所述至少一个IP地址提供具有与所述第一时钟不同的时钟速率的第二时钟的步骤。 本发明的目的是提供一种用于操作半导体器件以便最小化移动系统SoC的待机功率的方法。
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