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公开(公告)号：KR100532364B1
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：KR1019980037031
申请日：1998-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 이온주입이 이루어지는 챔버내의 디스크 후단에 가속에너지를 감지하여 디스플레이하는 장치를 설치하여 이온빔의 가속에너지의 측정 및 감시가 실시간으로 이루어지도록 하는 반도체 이온주입기의 가속에너지 실시간 감시장치에 관한 것으로서, 추출 및 가속된 이온빔이 회전하는 디스크에 장착된 웨이퍼에 주입되도록 하는 챔버를 구비하여 이루어지는 이온주입기에 있어서, 디스크를 통과하는 이온빔을 감지하는 이온빔감지부로부터 감지된 신호를 공급받아 전압으로 변환하고, 변환된 신호를 공급받아 상기 가속에너지의 크기로 나타내고, 가속에너지의 오류를 표시하는 감지부; 가속에너지가 설정되면 그에 해당되는 크기의 전원이 공급되도록 전원공급을 제어하는 제어부; 및 제어부에서 출력되는 신호에 따라 입자분리기에 공급되는 전원의 크기를 조절하는 전원부;를 구비하여 이루어지는 감시장치가 디스크의 후단에 설치되어서 가속에너지 확인이 이루어진다.
따라서, 실시간으로 웨이퍼에 주입되는 이온이 갖는 가속에너지를 수치로써 확인이 이루어지고, 가속에너지의 변화를 읽을 수 있어서 원하는 이온주입이 이루어짐으로 품질이 향상되며, 작업공수가 방지되는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980077081A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970014050
申请日：1997-04-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/265
Abstract: 웨이퍼상에 원하는 이온을 효과적으로 주입시키기 위해 이온빔을 가속시키는 가속기의 내부를 고진공으로 형성하는 터보펌프의 작동상태를 실시간에 파악하고, 터보펌프 오류가 발생하면 인터로크를 수행하도록 개선시킨 이온주입설비의 가속기 터보펌프의 전류감지장치에 관한 것이다.
이온주입공정 중 빔가속을 위한 부분의 진공제공을 위한 터보펌프에 전원을 공급하도록 전원공급부를 구비한 이온주입설비의 가속기 터보펌프의 전류감지장치에 있어서, 상기 전원공급부에서 상기 터보펌프에 공급되는 전류를 감지하여 상기 터보펌프의 작동 여부를 파악하기 위한 전류감지부 및
상기 전류감지부의 전류감지 상태에 따라서 상기 이온주입공정을 인터로크하는 제어수단을 구비하여 이루어 진다.
따라서, 본 발명에 의하면 고진공 형성을 위한 터보펌프의 작동상태를 전류계를 통해 표시하여 작업자는 점검을 용이하게 수행할 수 있어서 작업상의 손실을 줄이고, 인터로크 기능을 제공하여 공정사고를 막아 효과적인 이온주입공정을 수행하는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019970008451A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950022179
申请日：1995-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 온도검출장치를 이용하여 웨이퍼의 온도를 직접 측정할 수 있는 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 웨이퍼온도측정장치는 종래의 웨이퍼온도측정장치를 그대로 사용하면서 상기 웨이퍼온도측정장치의 히터 상자의 중앙부분에 웨이퍼에서 발산하는 빛을 웨이퍼의 온도로 변환시키는 온도검출기를 추가로 형성한다. 이에 의해, 웨이퍼의 온도를 직접 측정할 수 있게 되어 균일한 반도체장치의 양산에 유리하다.
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公开(公告)号：KR1020000043508A
公开(公告)日：2000-07-15
申请号：KR1019980059905
申请日：1998-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31155 , H01L21/0274 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/32139 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10852
Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a semiconductor device is provided to reduce a thickness of a photoresist layer and to realize a higher etch selectivity of the photoresist layer. CONSTITUTION: A fabricating process for a semiconductor device includes a step of forming a polysilicon layer(22) on a semiconductor substrate(20), a step of coating a photoresist layer on the polysilicon layer(22), a step of forming a photoresist pattern(28) from the photoresist layer, a step of curing the photoresist pattern(28), and etching the polysilicon layer(22) by employing the photoresist pattern(28) as an etch mask. In particular, the photoresist pattern(28) is carbonized before the curing step. The carbonization of the photoresist pattern(28) is carried out by an ion implantation process. Preferably, argon ion is implanted at a tilt angle. Since the carbonized photoresist pattern(28) has a higher etch resistance than ever, a thinner photoresist pattern is obtained.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法以减小光致抗蚀剂层的厚度并实现光致抗蚀剂层更高的蚀刻选择性。 构成：半导体器件的制造工艺包括在半导体衬底（20）上形成多晶硅层（22）的步骤，在多晶硅层（22）上涂覆光致抗蚀剂层的步骤，形成光刻胶图案 （28），通过使用光致抗蚀剂图案（28）作为蚀刻掩模来蚀刻光致抗蚀剂图案（28）并蚀刻多晶硅层（22）的步骤。 特别地，在固化步骤之前，将光致抗蚀剂图案（28）碳化。 光致抗蚀剂图案（28）的碳化通过离子注入工艺进行。 优选以倾斜角注入氩离子。 由于碳化光致抗蚀剂图案（28）具有比以往更高的蚀刻电阻，因此获得更薄的光致抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：KR1020000015077A
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：KR1019980034800
申请日：1998-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a metal film formation method are provided to improve a reliability and minimize a defect by using double barrier metal films. CONSTITUTION: The method comprises the steps of forming an interlayer insulator (12) having a contact hole on a semiconductor substrate (10); forming a first barrier metal film (14) made of a titanium metal on the resultant structure; annealing the first barrier metal film (14) so as to change the titanium to a titanium silicide; forming a second barrier metal film (16) composed of a tungsten silicide on the first metal wire (14); and forming a metal wire (18) made of a tungsten metal on the second barrier metal film (16). By using the double barrier metal films (14, 16) made of the titanium silicide and the tungsten silicide, the reliability of devices is improved.
Abstract translation: 目的：提供半导体器件和金属膜形成方法，以通过使用双阻挡金属膜来提高可靠性和最小化缺陷。 构成：该方法包括在半导体衬底（10）上形成具有接触孔的层间绝缘体（12）的步骤。 在所得结构上形成由钛金属制成的第一阻挡金属膜（14）; 退火所述第一阻挡金属膜（14）以将所述钛改变为硅化钛; 在所述第一金属丝（14）上形成由硅化钨构成的第二阻挡金属膜（16）; 以及在所述第二阻挡金属膜（16）上形成由钨金属制成的金属线（18）。 通过使用由硅化钛和硅化钨制成的双阻挡金属膜（14,16），提高了器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980075307A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970011487
申请日：1997-03-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/18
Abstract: 디스크 드라이브의 진동을 감지하는 센서를 달아 디스크 드라이브의 교체시기를 알고 웨이퍼의 손상을 방지하는 이온주입설비의 디스크 드라이브에 관한 것이다.
본 발명은 웨이퍼를 부착한 원판형의 디스크와 상기 디스크에 연결된 구동축과 상기 구동축을 회전축에 연결하여 디스크를 회전시키는 모터부로 이루어진 이온주입설비의 디스크 드라이브에 있어서, 회전부위에 접촉하여 진동을 감지하는 센서와, 상기 센서로부터 전기적 신호를 받아 진동도를 판단하는 데이터 처리부와 상기 데이터 처리부의 결과를 수신받아 모터부를 제어하는 제어부로 구성된 것을 특징으로 한다.
따라서 고속회전시 발생하는 디스크 드라이브의 진동을 사전에 탐지하여 웨이퍼 및 디스크에 손상을 주지 않도록 하고 디스크 및 구동축의 교체시기를 알아 이온주입설비의 효율을 최적상태로 유지시킬 수 있다.
또한, 진동이 증폭하는 것을 사전에 예방하여 디스크 드라이브를 보호하며 모터부의 최적회전수를 찾아 진동을 축소하는 효과를 갖는 것이다.-
公开(公告)号：KR100291332B1
公开(公告)日：2001-07-12
申请号：KR1019980059905
申请日：1998-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 본 발명은 도포되는 포토레지스트의 두께를 낮추고, 하부박막과의 식각선택비를 향상시킴으로서 종횡비가 큰 미세패턴을 효과적으로 형성할 수 있도록 하는 반도체소자의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 반도체기판상에 소정의 박막을 형성하는 단계; 상기 박막상에 포토레지스트를 도포하는 단계; 상기 반도체기판상에 포토레지스트 패턴을 형성시키는 단계; 상기 포토레지스트 패턴을 경화시키는 단계; 및 상기 탄소화된 포토레지스트 패턴을 식각마스크로하여 상기 박막을 식각하는 단계;를 구비하여 이루어진다. 상기 포토레지스트 패턴을 경화시키는 단계는 상기 포토레지스트 패턴상에 이온을 주입하는 것일 수 있다.
따라서, 포토레지스트의 두께가 감소되어 포토레지스트 패턴의 쓰러짐 현상 및 브릿지 현상이 방지되고, 상기 포토레지스트 패턴과 식각될 하부박막과의 식각선택비가 향상되어 식각균일도가 증대되는 효과가 있으며, 상기 포토레지스트의 사용량을 감소시킴으로서 원가절감을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. 또한 커패시터 제조공정에 적용함으로서 스토리지전극의 형성을 용이하게함으로서 커패시터의 정전용량을 향상시킬 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020000025121A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980042067
申请日：1998-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/00
Abstract: PURPOSE: A vacuum gauge of a process chamber is provided to protect a wafer from the pollution by preventing thermion, a second thermion, and an electromagnetic wave generated within a vacuum gauge. CONSTITUTION: A vacuum gauge of a process chamber relates to a vacuum gauge of a process chamber having a filter at an entrance of a vacuum gauge. The vacuum gauge comprises a filament(10), a grid(12), and a collector(14). A connection hole(22) is disposed between the vacuum gauge and the process chamber. In the connection hole, a circular cone shaped auxiliary connection hole(16) comprising a circular filter(18) and a plurality of polarizing filter(20) is disposed. A control unit comprises a power amplifier(24) and a measuring device(25).
Abstract translation: 目的：提供处理室的真空计，以通过防止在真空计中产生的热离子，第二热离子和电磁波来保护晶片免受污染。 构成：处理室的真空计与真空计入口处具有过滤器的处理室的真空计相关。 真空计包括细丝（10），格栅（12）和收集器（14）。 连接孔（22）设置在真空计和处理室之间。 在连接孔中设置有包括圆形过滤器（18）和多个偏振过滤器（20）的圆锥形辅助连接孔（16）。 控制单元包括功率放大器（24）和测量装置（25）。
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公开(公告)号：KR1019980078093A
公开(公告)日：1998-11-16
申请号：KR1019970015518
申请日：1997-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 로드로크 챔버(Loadlock Chamber)를 경유하여 디스크로 이송되는 웨이퍼가 엘리베이트 플레이트(Elevator Plate) 상에서 진동에 의하여 돌출된 것을 감지하여 웨이퍼가 충돌 등으로 인한 손상을 방지하도록 개선시킨 이온주입설비의 웨이퍼 로딩 감시 장치에 관한 것이다.
본 발명은, 로드로크 챔버 내부로 엘리베이트 플레이트 상부에 웨이퍼를 실은 카세트를 로딩하는 이온주입설비의 웨이퍼 로딩 감시 장치에 있어서, 상기 로드로크 챔버의 내벽에 설치되어 상기 카세트의 슬롯 방향으로 웨이퍼가 돌출되는 것을 감지하는 센싱수단, 상기 센싱수단으로부터 출력되는 센싱신호로 상기 웨이퍼의 돌출을 판단하는 웨이퍼 핸들러 컨트롤러 및 상기 웨이퍼 핸들러 컨트롤러로부터 인가되는 제어신호에 의하여 웨이퍼 로딩에 대한 인터로크 동작을 수행하는 메인 컨트롤러를 구비하여 이루어진다.
따라서, 본 발명에 의하면 로드로크 챔버 내부에서의 웨이퍼의 손상이 방지됨으로써 웨이퍼의 수율이 극대화되는 효과가 있다.
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