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公开(公告)号：KR1019970054076A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950059267
申请日：1995-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 커패시터 하부전극을 고온산화막 및 포토레지스트 마스크를 이용하여 세 개의 원통형을 갖도록 형성하여 커패시터의 커패시턴스를 증대할 수 있는 반도체 장치으 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 커패시터의 구조에 있어서는, 반도체 기판상에 순차적으로 형성된 층간절연막, 질화막, 그리고 제1고온산화막에 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 충저하면서 상기 제1고온산화막상에 형성된 층간절연막, 질화막, 그리고 제1고온 산화막에 콘택홀을 형성하고 상기 콘택홀을 충전하면서 상기 제1고온산화막상에 폴리실리콘막을 형성 하는 공정과; 상기 폴리실리콘막사아에 제2고온산화막으 사이에 두고 제1포토레지스트 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제2고온산화막의 에지부분이 스페이서 형태가 되도록 식가하여 고온산화막 패턴을 형성하는 공정과; 상기 제1포토레지스트 패턴을 제거하는 공정과; 상기 제2고온산화막 패턴을 마스크로 사용하여 상기 폴리실리콘막을 식각하는 공정과; 상기 제2고온산화막 패턴을 제거하는 공정과; 상기 폴리실리콘막의 식각된 부위를 포함하여 상기 폴리실리콘막의 표면을 노출시키는 공정과; 상기 제2포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 폴리실리콘막의 노출된 양측 표면을 식각하는 공정과; 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 공정과; 상기 폴리실리콘막의 하부에 형성된 상기 제1고온산화막을 언더컷하는 공정을 포함하고 있다. 이와 같이 방법에 의해서, 종래 하나으 원통형으로 이루어진 커패시터의 하부전극에 비해 상대적으로 넓은 표면적을 갖는 세 개의 원통형으로 이루어진 커패시터의 하부전극을 형성할 수 있고, 이에 따라, 커패시터의 고유한 동작 특성인 커패시턴스를 증대하는 것이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020090058793A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：KR1020070125550
申请日：2007-12-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조용준
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67057 , H01L21/67034 , H01L21/6773
Abstract: A wafer cleaning device and a cleaning method thereof are provided to improve efficiency of an inner space in a semiconductor production line by arranging a plurality of cleaning tubes around a cleaning solution supply unit. A plurality of wafers are mounted in a cassette. A plurality of cleaning baths(10) are arranged circularly. A loading unit and an unloading unit are arranged in one side of the cleaning baths. A robot(40) moves the cassette from the loading unit to the unloading unit through the plurality of cleaning baths while rotating around the outer circumference of the cleaning baths. A cleaning solution supply unit(20) is positioned in the center of the cleaning baths.
Abstract translation: 提供了一种晶片清洁装置及其清洁方法，以通过在清洁溶液供应单元周围布置多个清洁管来提高半导体生产线内部空间的效率。 多个晶片安装在盒中。 多个清洗槽（10）循环布置。 装载单元和卸载单元布置在清洁浴的一侧。 机器人（40）通过多个清洗槽将盒从装载单元移动到卸载单元，同时围绕清洗槽的外圆周旋转。 清洁溶液供应单元（20）位于清洁浴的中心。
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公开(公告)号：KR1020070055913A
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：KR1020050114418
申请日：2005-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/1256 , G06F3/1206 , G06F3/1222 , G06F3/1238 , G06F3/1247 , G06F3/1254
Abstract: 본 발명에 따른 독립 인쇄 기능을 갖는 화상형성 방법은 프린트 드라이버를 통해 호스트에 자동 저장 옵션을 설정하는 단계; 자동 저장 옵션이 설정된 상태에서 호스트의 응용 프로그램을 통해 원본 데이터가 변경되면, 호스트에 설치된 프린트 드라이버가 변경된 원본 데이터를 프린트 언어로 변환하고 그 변환된 프린팅 데이터를 프린터로 전송하는 단계; 상기 프린터가 호스트로부터 전송되는 프린팅 데이터를 저장 매체에 자동 저장하는 단계; 프린터의 키 입력부를 통해 인쇄 명령이 수신되면, 프린터가 저장 매체에 기 저장된 프린팅 데이터의 목록을 표시하는 단계; 및 사용자가 프린팅 데이터를 선택하면, 프린터가 선택된 프린팅 데이터를 저장부로부터 로딩하여 인쇄하는 단계를 포함하는 것으로, 사용자가 저장한 문서들이나 폴더 내의 문서들에 대해 마지막 버전을 프린터에 저장하였다가 사용자가 호스트를 이용하지 않고도 프린터에서 인쇄 가능한 것이다.
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公开(公告)号：KR100710758B1
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020050068104
申请日：2005-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F9/44
Abstract: 본 발명은, 소프트웨어 설치 시스템 및 방법과, 소프트웨어 설치용 프로그램이 저장된 저장매체에 관한 것이다. 본 소프트웨어 설치 시스템은, 사용자에 의해 선택된 설정(setting)에 따라 사용자 단말기와 연결된 기기의 구동을 위한 소프트웨어 또는 특정 기능의 수행을 위한 소프트웨어를 상기 사용자 단말기에 설치하는 인스톨부, 사용자 단말기에서 소프트웨어의 설정이 디스플레이되는 메인UI를 제어하는 메인UI제어모듈, 선택된 설정이 디스플레이되는 보조UI를 제어하는 보조UI제어모듈을 갖는 소프트웨어 설치용 프로그램과, 메인UI와 보조UI를 통해 사용자가 선택한 설정을 저장하는 저장부를 갖는 사용자 단말기를 포함한다. 이에 의해, 소프트웨어의 설치 과정 중 사용자가 선택한 설정에 대해 용이하게 파악할 수 있을 뿐만 아니라, 이전에 설정한 설정을 간편하고 용이하게 변경할 수 있다.
소프트웨어, 응용 프로그램, 드라이버, 설정, 보조UI, 메인UI-
公开(公告)号：KR1020060057224A
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：KR1020040096312
申请日：2004-11-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034
Abstract: 본 발명은 반도체 기판을 세정후 아이피에이(IPA)를 이용한 아이피에이 증기 건조장치에 대해 개시되어 있다. 아이피에이 용액 저장 탱크내에 기포를 형성하기 위한 기체 공급 라인과 상기 아이피 용액 저장 탱크에 초음파를 발생시키는 장치를 추가 설치하여 아이피에이 기체를 형성함으로써 충분한 농도의 아이피에이 건조 기체를 챔버내에 공급할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100495653B1
公开(公告)日：2005-09-30
申请号：KR1019970048573
申请日：1997-09-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명에 따른 웨이퍼 세정 방법은 먼저, 오존수 또는 UV-오존을 이용하여 자연 산화막(예컨대, 20Å 이하)을 생성시켜 웨이퍼 전 표면을 친수화되도록 하고, 이후 자연 산화막을 묽은 산화 용액(예컨대, 유기용제 또는 산 계열의 화학 물질)을 이용하여서 소정 두께(예컨대, 3Å 이상) 이상 식각함으로써 세정 효과를 극대화시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100493033B1
公开(公告)日：2005-06-07
申请号：KR1020020070057
申请日：2002-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/1263
CPC classification number: G11B7/00456 , G11B7/126
Abstract: 레이저가 고속으로 변조되는 펄스 트레인 방식 기록에서 종래에 피크 파워를 정확히 검출할 수 없어 레이저 파워 제어를 행하는데 중요한 피크 파워 제어가 정확히 이루어지지 못했던 문제점을 해소하기 위해 소거 파워는 물론 피크 파워도 샘플 홀드하여 레이저 파워 제어에 이용할 수 있도록 하였고, 아울러 펄스 트레인 방식과 단일 펄스 방식 모두에 적용될 수 있도록 하였다.
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公开(公告)号：KR100421047B1
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：KR1020010043108
申请日：2001-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/126 , H01S5/0683
CPC classification number: G11B7/1263 , G01J1/44 , G11B2007/0006
Abstract: An apparatus and method for detecting beam power generated by a plurality of light sources, using a single device. The apparatus includes a light-receiving unit that receives the beam power generated by one of a plurality of light sources, and an amplifying unit that selects a gain, amplifies the beam power received by the light-receiving unit according to the selected gain, and outputs the beam power amplified as a detected beam power. According to the apparatus and method, received beam power (or amplification gain) is amplified by a gain determined according to the characteristics of the respective light sources. Thus, it is possible to provide the detected beam power in consideration of a sufficient dynamic range for the each light source, thereby realizing effective APC.
Abstract translation: 一种使用单个装置检测由多个光源产生的光束功率的装置和方法。 该设备包括：光接收单元，其接收由多个光源中的一个生成的光束功率;以及放大单元，其选择增益，根据选择的增益放大由光接收单元接收的光束功率，以及 输出放大的光束功率作为检测到的光束功率。 根据该设备和方法，接收到的光束功率（或放大增益）被根据各个光源的特性确定的增益放大。 因此，考虑到每个光源的足够的动态范围，可以提供检测到的光束功率，从而实现有效的APC。
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公开(公告)号：KR1019980068051A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970004483
申请日：1997-02-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 화학기계적연마 장치를 개시한다. 본 발명은 회전할 수 있어 접촉되는 반도체 웨이퍼의 표면을 연마할 수 있는 연마 패드를 포함하는 화학기계적 연마장치에 있어서, 상기 연마 패드 상에 X축 및 Y축으로 이동할 수 있는 이동수단과 초음파를 포함한 순수를 공급할 수 있는 노즐이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 화학기계적연마 장치를 제공한다. 본 발명에 의하면, 연마량을 매 반도체 웨이퍼 진행시마다 일정하게 해 줄 수 있고 연마 패드 위에 파티클을 유발시키지 않음은 물론 남아있는 오염물들을 제거시켜주어 경제적으로도 효과적이다.
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公开(公告)号：KR1019980065737A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000850
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 웨이퍼 세정방법을 개시하고 있다. 이는, 폴리싱 후 웨이퍼 세정방법에 있어서, 세정을 위한 케미컬로써 HBF
4 와 H
3 PO
4 를 DI로 희석한 산성 케미컬 및 NH
4 OH를 DI에 희석한 알칼리 케미컬 중 선택된 어느 하나 또는 이들을 조합하여 사용하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 브러쉬로부터 역오염 문제를 방지할 수 있으며, 오염을 최소화할 수 있다.
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