公开(公告)号：KR100706237B1

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：KR1020040098677

申请日：2004-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최중섭 ,  이승건 ,  남창현

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 세정 장치에 관한 것으로, 장치는 몸체와 덮개를 가진다. 몸체의 측벽에는 이를 감싸도록 배치되며 액체가 수용되는 액 수용조가 설치되고, 덮개에는 아래방향으로 돌출된 차단벽이 설치된다. 덮개가 닫힌 상태에서 차단벽은 액 수용조에 채워진 액체 내로 잠겨 챔버 내부를 외부로부터 밀봉한다. 또한, 몸체와 덮개가 접촉되는 부분에 고무패킹이 장착되어, 외부로부터 챔버 내부의 밀봉이 이중으로 이루어진다.
세정 장치, 밀봉, 액체

公开(公告)号：KR1020060087221A

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：KR1020050008153

申请日：2005-01-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안덕민 ,  이승건 ,  남창현

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: B08B3/04 ,  B08B2203/007

Abstract: 본 발명은 반도체 제조용 약액 승온장치 및 방법에 관한 것으로, 본 발명의 제1관점에 따르면, 약액이 내부에 저장되는 약액조; 약액이 순환되도록 약액조에 연결된 약액순환배관; 및, 약액조 내부에 저장된 약액과 약액순환배관을 따라 순환되는 약액을 가열하는 약액 가열유닛을 포함하는 반도체 제조용 약액 승온장치가 제공된다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조용 약액 승온장치 및 방법에 따르면, 약액을 가열할 시 약액조에 저장된 약액과 약액순환배관을 따라 순환하는 약액을 한꺼번에 가열하기 때문에 전체 약액의 온도를 공정에 적합한 온도에까지 빠르고 신속하게 승온시킬 수 있다.
약액, 가열

公开(公告)号：KR1020060059554A

公开(公告)日：2006-06-02

申请号：KR1020040098677

申请日：2004-11-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최중섭 ,  이승건 ,  남창현

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6719

Abstract: 본 발명은 반도체 소자 제조에 사용되는 세정 장치에 관한 것으로, 장치는 몸체와 덮개를 가진다. 몸체의 측벽에는 이를 감싸도록 배치되며 액체가 수용되는 액 수용조가 설치되고, 덮개에는 아래방향으로 돌출된 차단벽이 설치된다. 덮개가 닫힌 상태에서 차단벽은 액 수용조에 채워진 액체 내로 잠겨 챔버 내부를 외부로부터 밀봉한다. 또한, 몸체와 덮개가 접촉되는 부분에 고무패킹이 장착되어, 외부로부터 챔버 내부의 밀봉이 이중으로 이루어진다.
세정 장치, 밀봉, 액체

公开(公告)号：KR1020030035035A

公开(公告)日：2003-05-09

申请号：KR1020010066895

申请日：2001-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남창현

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/048 ,  B08B3/12

Abstract: PURPOSE: An apparatus for cleaning a wafer is provided to protect the wafer from contaminant by selectively performing a spin dry process or an isopropyl alcohol(IPA) reduced pressure dry process according to a pattern condition of the wafer. CONSTITUTION: A plurality of cleaning solution supply units supply a cleaning solution to a chemical bath(11) having a wafer mounting unit on which the wafer is mounted. A plurality of exhausting units(26) selectively exhaust the chemical solution supplied by the cleaning solution supply unit after a cleaning process. The wafer mounting unit in side the chemical bath is capable of rotating. An IPA vapor supply unit(30) is additionally installed in a side of the chemical bath so that either one of a spin dry process or an IPA reduced pressure dry process is selectively performed according to the pattern condition of the wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁晶片的设备，以根据晶片的图案状况选择性地进行旋转干燥工艺或异丙醇（IPA）减压干燥工艺来保护晶片免受污染。 构成：多个清洁溶液供应单元向具有安装晶片的晶片安装单元的化学浴（11）提供清洁溶液。 多个排气单元（26）在清洁处理之后选择性地排出由清洁溶液供应单元供应的化学溶液。 化学浴池侧的晶片安装单元能够旋转。 IPA蒸气供给单元（30）另外安装在化学浴的一侧，使得根据晶片的图案状态选择性地进行旋转干燥工艺或IPA减压干燥工艺中的任一个。

公开(公告)号：KR2020000005326U

公开(公告)日：2000-03-25

申请号：KR2019980016117

申请日：1998-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남창현

IPC: H01L21/304

Abstract: 세정조에서 웨이퍼를 세정하는 세정 장치에 있어서, 상기 세정조의 바닥면이 원형으로 이루어진 세정 장치가 제공된다. 세정액으로 사용되는 약액이나 초순수가 상기 세정조 내에서 와류하는 것을 방지하고, 웨이퍼 내에서의 식각량 균일성을 개선할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019990049864A

公开(公告)日：1999-07-05

申请号：KR1019970068868

申请日：1997-12-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정대혁 ,  남창현

IPC: H01L21/304

Abstract: 약액의 혼합시 격렬한 반응으로 약액이 반응조를 넘쳐 흐르는 현상을 방지할 수 있는 반도체 소자용 세정용액의 제조방법이 개시되어 있다. 우선 과산화수소(H
2 O
2 )를 반응조에 공급한다. 이어서, 상기 과산화수소에 소정량의 황산(H
2 SO
4 )을 1차 공급한다. 황산과 과산화수소의 반응이 종료되기를 기다린 후, 상기 결과물에 소정량의 H
2 SO
4 를 2차 공급한다.

公开(公告)号：KR100189779B1

公开(公告)日：1999-06-01

申请号：KR1019950046458

申请日：1995-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남창현 ,  고용선

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67034

Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 세정 후 그 웨이퍼를 건조하는 웨이퍼건조장치에 관한 것으로서, 그 구성은 상기 IPA증기를 발생하는 제1챔버(20)를 구비한 IPA증기발생부와 ; 상기 IPA증기발생수단과는 IPA공급라인을 통하여 연결되고, 상기 IPA증기를 공급받아 웨이퍼를 건조하는 제2챔버(40)를 구비한 웨이퍼건조부를 구비한다. 상술한 웨이퍼건조장치에 의하면, 두 개의 챔버(20, 40)에 의해서 IPA증기발생공정과 건조공정을 별도로 실행시킬 수 있기 때문에, 하나의 챔버내에서 IPA용액공급-가열-IPA증기발생-건조-응축 냉각하는 순환에 의해서 발생될 수 있는 파티클의 발생을 완전히 제거할 수 있다. 또한, 제2챔버에서의 웨이퍼의 건조공정이 온도변화없이 실행되기 때문에 웨이퍼에 여러 형태의 결함을 유발시키는 문제점을 방지할 수 있다. 따라서, 양호한 웨이퍼의 건조에 의해서 반도체장치의 수율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970077267A

公开(公告)日：1997-12-12

申请号：KR1019960015561

申请日：1996-05-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남창현

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 제조용 세정 장치에 관한 것으로, 본 발명에 따른 세정 장치는 세정 설비의 입구에 설치되고, 초순수 제조 시스템에서 배관을 통해 공급되는 초순수를 세정 설비 내로 공급되기 전에 정화시키는 자외선 살균 장치를 포함한다. 본 발명에 의하면, 반도체 세정 공정에 사용되는 순수의 오염도를 효과적으로 낮추어서 반도체 장치 표면의 세정 효과를 향상시킬 수 있고, 전기적 특성이 악화되는 것을 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970052624A

公开(公告)日：1997-07-29

申请号：KR1019950046458

申请日：1995-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남창현 ,  고용선

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 웨이퍼의 세정후 그 웨이퍼를 건조하는 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 그 구성은 상기 IPA증기를 발생하는 제1챔버(20)를 구비한 IPA증기발생부와; 상기 IPA증기발생수단과는 IPA공급라인을 통하여 연결되고, 상기 IPA증기를공급받아 웨이퍼를 건조하는 제2챔버(40)를 구비한 웨이퍼건조부를 구비한다. 상술한 웨이퍼의 건조장치에 의하면, 두개의 챔버(20,40)에 의해서 IPA증기발생공정과 건조공정을 별도로 실행시킬 수 있기 때문에, 하나의 챔버내에서 IPA용액공급-가열-건조-응축 냉각하는 순환에 의해서 발생될 수 있는 파티클의 발생을 완전히 제거할 수 있다. 또한, 제2챔버에서 웨이퍼의 건조공정이 온도변화없이 실행되기 때문에 웨이퍼에 여러 형태의 결함을 유발시키는 문제점을 방지할 수 있다. 따라서, 양호한 웨이퍼의 건조에 의해서 반도체장치의 수율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019970023892A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950035610

申请日：1995-10-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  장규환 ,  남창현 ,  이현재

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/24

Abstract: 본 발명은 반도체소자의 세정장비에 관한 것으로 특히 웨이퍼의 최종 린스 이후 사용되는 IPA증기 건조기에 대한 것이다.
종래의 건조장치는 경우에 따라 다르지만 대개 IPA의 온도가 떨어지고 드레인되는데 수시간이 소요되는 문제점을 가지고 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 극복하기 위한 것으로, 반도체소자의 세정공정 중 웨이퍼의 최종 린스 후 수분을 건조하는 조와 IPA를 배출하는 배출라인을 구비하고, 상기 IPA를 배출하는 조에 연결된 배출라인과 IPA를 배출하는 배출라인 상에 쿨링 컬럼이 연결된 구조로 형성하여, IPA를 냉각컬럼을 통해 강제로 냉각시켜 배출하므로써 공정 시간을 단축하고 제품의 생산성(Through-put)을 향상시킬 수 있도록 한 것이다.