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公开(公告)号：KR100480635B1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：KR1020020072837
申请日：2002-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/1395
Abstract: 플레이트형 빔스프리터에 수렴 또는 발산광이 입사되는 광학적 구성을 가져, 프론트 광검출기의 유효 수광영역에서 플레이트형 빔스프리터에서의 내부 반사에 의한 광의 간섭없이 광을 수광할 수 있도록 된 광픽업이 개시되어 있다.
또한, 쐐기형 빔스프리터 및 이를 구비하여, 프론트 광검출기의 유효 수광영역에서 내부 반사에 의한 광의 간섭없이 광을 수광할 수 있도록 된 광픽업이 개시되어 있다.
개시된 광픽업에 의하면, 광원의 출사 광출력에 정확히 비례하는 광량을 검출할 수 있어, 광원의 광출력을 정확히 컨트롤할 수 있으며, 광원의 광출력의 선형성이 크게 개선된다.
또한, 개시된 쐐기형 빔스프리터는, 적정 반사, 투과율을 갖도록 형성될 수 있으며, 이를 광픽업에 적용하는 경우, 종래의 큐빅형 빔스프리터를 사용할 때 생길 수 있는 수광부에서의 광검출 광량 부족 및 광출력량 모니터링을 위해 프론트 광검출기에서 수광되어야할 광량 부족 현상을 방지할 수 있는 이점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020030085461A
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：KR1020020072837
申请日：2002-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/1395
Abstract: PURPOSE: An optical pickup and a wedge-shaped beam splitter are provided to receive beams without interference of the beams due to inner reflection in a plate type beam splitter at an effective light receiving area of a front photo detector. CONSTITUTION: At least one or more light sources emit beams(21a,31a). An objective lens(29) focuses the incident beams to be formed as optical spot on a recording medium(10). A plate type beam splitter(25) transmits and reflects the incident beams at a predetermined ratio. At least one or more main photo detectors receive the reflected beams for detecting an information signal and/or error signal. A front photo detector(26) is arranged on one side of the plate type beam splitter for receiving the transmitted or reflected beam to generating an automatic power control signal for controlling optical output of the light sources. At least one or more collimating lenses(24,34) are arranged between the light sources and the plate type beam splitter.
Abstract translation: 目的：提供光学拾取器和楔形光束分离器以在前光电检测器的有效光接收区域处的板式分束器中的内部反射而接收光束而不受到光束的干扰。 构成：至少一个或多个光源发射光束（21a，31a）。 物镜（29）将要形成的入射光束作为光点聚焦在记录介质（10）上。 板式分束器（25）以预定的比率透射和反射入射光束。 至少一个或多个主光电检测器接收用于检测信息信号和/或误差信号的反射光束。 前板光电检测器（26）布置在板式分束器的一侧，用于接收透射或反射的光束，以产生用于控制光源的光输出的自动功率控制信号。 在光源和板式分束器之间布置至少一个或多个准直透镜（24,34）。
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公开(公告)号：KR1020030008456A
公开(公告)日：2003-01-29
申请号：KR1020010043108
申请日：2001-07-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B7/126 , H01S5/0683
CPC classification number: G11B7/1263 , G01J1/44 , G11B2007/0006
Abstract: PURPOSE: A device and a method for detecting a light intensity in an optical driver are provided to amplify a detected light intensity according to an amplification gain determined according to the characteristics of respective light sources, thereby sufficiently considering the dynamic ranges of the light sources. CONSTITUTION: A light intensity detecting device includes a light receiving part such as a photodiode(PD1) for receiving light projected from one of a plurality of light sources, and an amplification part(202) for amplifying the received light by a selected gain and outputting the amplified light as a detected light intensity, wherein the gain selection of the amplification part is controlled according to a gain selection signal generated by the kind of light media used currently.
Abstract translation: 目的：提供一种用于检测光学驱动器中的光强度的装置和方法，以根据根据各个光源的特性确定的放大增益放大检测的光强度，从而充分考虑光源的动态范围。 构成：光强度检测装置包括：光接收部分，例如用于接收从多个光源中的一个投影的光的光电二极管（PD1）;以及放大部分（202），用于通过所选择的增益放大所接收的光，并输出 放大的光作为检测光强度，其中根据由当前使用的光介质的种类生成的增益选择信号来控制放大部分的增益选择。
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公开(公告)号：KR1020020020129A
公开(公告)日：2002-03-14
申请号：KR1020000053289
申请日：2000-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 조용준
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a wafer is provided to minimize fine particles on the wafer, by maintaining a uniform interval between a brush and the wafer even when the edge and center of the wafer is not horizontal or when fine vibration occurs. CONSTITUTION: A holder(20) to which the wafer(W) is absorbed is rotated. Cleaning liquid is supplied to the upper portion of the wafer. The brush(22) comes in contact with the upper surface of the wafer so that the brush is driven on the right and the left. The interval between the brush and the wafer is inspected. Numerical value data is outputted by using the inspected interval. The holder is vertically transferred to control the interval between the brush and the wafer by using the level of a solution(26) contained in a solution tank(24a) under the holder based upon the numerical value data.
Abstract translation: 目的：提供一种用于清洁晶片的方法，以便通过保持电刷和晶片之间的均匀间隔，即使当晶片的边缘和中心不是水平或当发生精细振动时，晶片上的微细颗粒最小化。 构成：将晶片（W）吸收到的支架（20）旋转。 清洁液被供应到晶片的上部。 刷子（22）与晶片的上表面接触，使得刷子在右侧和左侧被驱动。 检查刷子和晶片之间的间隔。 使用检查间隔输出数值数据。 基于数值数据，通过使用包含在保持器下方的溶液箱（24a）中的溶液（26）的水平来垂直转移保持器以控制刷子和晶片之间的间隔。
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公开(公告)号：KR1020000055594A
公开(公告)日：2000-09-15
申请号：KR1019990004287
申请日：1999-02-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: PURPOSE: A cleaning method of contact hole is to prevent corrosion of a metal interconnection line and simultaneously remove polymer and native oxide while removing a photoresist pattern. CONSTITUTION: A cleaning method of contact hole comprises the steps of: etching an insulating layer(12) formed on a metal interconnection line(10) using a photoresist pattern as a mask to form a contact hole(16); and cleaning the contact hole using a mixed cleaning solution including a first solution capable of removing the photoresist pattern, a second solution capable of removing a native oxide layer grown on the bottom place of the contact hole and a third solution capable of preventing the corrosion of the metal interconnection line. The first solution is a solution into which O3 is dissolved in deionized(DI) water.
Abstract translation: 目的：接触孔的清洁方法是防止金属互连线的腐蚀，同时去除聚合物和天然氧化物，同时去除光致抗蚀剂图案。 构成：接触孔的清洁方法包括以下步骤：使用光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻形成在金属互连线（10）上的绝缘层（12）以形成接触孔（16）; 以及使用包括能够去除光致抗蚀剂图案的第一溶液的混合清洗溶液清洁接触孔，能够去除在接触孔的底部生长的天然氧化物层的第二溶液和能够防止接触孔底部腐蚀的第三溶液 金属互连线。 第一种溶液是将O 3溶解在去离子（DI）水中的溶液。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980029398A
公开(公告)日：1998-07-25
申请号：KR1019960048653
申请日：1996-10-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 퀵 덤프트 드레인 세정조(Quick Dumped Drain Bath)를 개시하고 있다. 퀵 드레인 린스를 위한 세정조, 순수 샤우워 바(shower bar)가 위치하지 않는 상면 및 좌 우 면에 질소 가스를 공급하기 위해 설치된 다수개의 질소가스 공급노즐, 상기 세정조 내로 공급되는 질소가스의 와류 방지 및 제어를 위해 상기 질소가스 공급노즐과 연결된 배기 장치, 파티클들을 정류하기 위해 상기 세정조 내에 설치된 정류판, 세정액의 버블링이 가능하도록 상기 세정조 바닥면에 설치된 질소가스 버블러 및 세정액의 신속한 배출을 위해 상기 세정조의 바닥면에 설치된 드레인 홀을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, QDR 공정시 웨이퍼 표면에 파티클이 흡착될 가능성을 최소화하고, QDR 공정시 질소가스를 QDR 조 내부에 공급함으로써 파티클 제거력을 높일 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980021227A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960040014
申请日：1996-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 커패시터 제조방법 및 이에 사용되는 장비가 개시되어 있다. 이 방법 및 장비는 반도체기판 상에 스토리지 전극을 형성하는 단계와, 상기 결과물을 HSG 실리콘막 형성장비의 제1 세정챔버에 투입하고, 무수불산 가스 및 CH
3 OH 가스를 사용하여 그 표면을 세정하는 제1 건식 세정공정을 실시하는 단계와, 상기 제1 건식 세정된 결과물을 HSG 실리콘막 형성장비의 CVD 챔버 내에 투입하고, 상기 스토리지 전극의 표면에 실리콘 핵을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 핵이 형성된 결과물을 HSG 실리콘막 형성장비의 제1 세정챔버에 다시 투입하고, 상기 제1 건식 세정공정과 동일한 조건으로 세정하는 제2 건식 세정공정을 실시하는 단계와, 상기 제2 건식 세정된 결과물을 상기 CVD 챔버에 다시 투입하고, 590℃ 내지 650℃의 온도에서 어닐링시키어 상기 실리콘 핵을 성장시킴으로써, 상기 스토리지 전극 표면에 굴곡을 갖는 HSG 실� �콘막을 형성하는 단계와, 상기 HSG 실리콘막이 형성된 결과물을 HSG 실리콘막 형성장비의 제2 세정챔버에 투입하고, 무수불산 가스 및 CH
3 OH 가스를 사용하는 건식 식각 레서피로 상기 HSG 실리콘막 표면에 형성된 자연산화막을 제거하는 단계와, 상기 자연산화막이 제거된 결과물을 상기 제1 세정챔버에 다시 투입하고,상기 제1 및 제2 건식 세정공정과 동일한 조건으로 세정하는 제3 건식 세정공정을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, HSG 실리콘막 형성 전/후에 건식 세정공정 및 건식 식각공정을 인사이투(in-situ) 방식으로 실시하여 오염입자의 발생을 감소시킬 수 있고 생산성을 제고시킬 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1019980014483A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960033472
申请日：1996-08-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 반도체 장치 제조시 세정 방법이 개시되어 있다. 반도체 장치 제조시 금속오염을 제거하기 위해 킬레이트 시약을 세정 용액 및 린싱용액에 더 첨가하여 세정하는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조시 세정 방법을 제공하는 것이다. 상기 킬레이트 시약으로 암모늄 포스페이트(NH
4 H
2 PO
4 ), 암모늄 엘- 타르트레이트 (H
4 NOCOCH(OH)CH(OH)OCONH
4 ) 및 암모늄 옥살레이트(H
4 NOCOOCONH
4 )중 어느하나를 사용하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의하면 금속성 오염물을 효과적으로 제거하므로써 금속성 오염물에 의한 반도체 장치의 역바이어스 접합 누설 전류, 산화막 브레이크 다운, 캐퍼시턴스 누설전류 등을 사전에 방지할 뿐만아니라 금속오염물과 실리콘 또는 실리콘 산화막의 반응에 의해 생성되는 실리사이드 또는 실리케이트가 형성됨을 미연에 방지함으로써 산화막의 열화를 막을 수 있다. -
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