公开(公告)号：KR1020080069298A

公开(公告)日：2008-07-28

申请号：KR1020070006818

申请日：2007-01-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김병술 ,  이준희 ,  송재인 ,  조준호

IPC: G11C11/4074

CPC classification number: G11C11/4094 ,  G11C7/1042 ,  G11C11/4076

Abstract: A semiconductor memory device and a method for controlling operation of the same are provided to reduce loading according to a command by reducing the number of commands applied in a chip set. According to a semiconductor memory device, an operation control part(450) performs precharge operation and active operation continuously and automatically in response to one preactive command applied from an external chip set(300). An address control part(440) controls address signals provided from the external chip set, for the precharge operation and the active operation of the operation control part. The address control part comprises an address latch to latch a bank address signal and a row address signal until the active operation starts. The operation control part comprises a delay control part(410) to control delay from the start of the precharge operation to the start of the active operation.

Abstract translation: 提供半导体存储器件及其操作方法，通过减少芯片组中施加的命令数来根据命令减少负载。 根据半导体存储器件，操作控制部件（450）响应于从外部芯片组（300）施加的一个预先激活命令，连续且自动地执行预充电操作和有效操作。 地址控制部分（440）控制从外部芯片组提供的地址信号用于预充电操作和操作控制部分的主动操作。 地址控制部分包括用于锁存存储体地址信号和行地址信号的地址锁存器，直到有效操作开始。 操作控制部分包括延迟控制部分（410），用于控制从预充电操作开始到有效操作开始的延迟。

公开(公告)号：KR100449273B1

公开(公告)日：2004-11-26

申请号：KR1019970041301

申请日：1997-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이광욱 ,  송재인 ,  장규환

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: An apparatus and a method for fabricating a semiconductor device are provided to prevent a defect of a wafer generated between an RTP apparatus and a wet-cleaning apparatus by performing a fabrication process under the pure nitrogen atmosphere. CONSTITUTION: A first chamber(12) is used for performing a first silicide process on a wafer. A second chamber(14) is used for performing a predetermined cleaning process on the wafer after the first silicide process. A third chamber(16) is used for performing a second silicide process on the wafer. A robot arm(20) is moved among the first, the second, and the third chambers in order to transfer the wafer to the first, the second, and the third chambers. The first and the second silicide processes are continuously performed by the robot arm.

公开(公告)号：KR100266278B1

公开(公告)日：2000-10-02

申请号：KR1019980019867

申请日：1998-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  장규환

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A method for cleaning a contact hole is to secure an electrical property of the contact hole and to remove a natural oxide film under the contact hole and to remove a damaged insulating film(layer) produced when carrying out a dry-etching process. CONSTITUTION: An insulating layer(102) is formed on a semiconductor substrate(100). A photoresist pattern is formed on the insulating layer, and is used as a mask when the insulating layer is etched to form a contact hole(104). At that time, a damaged contact layer(106a,106b) is formed on a bottom and both sidewalls of the contact hole. After the contact hole is formed, a natural oxide film(108) is formed on the bottom of the contact hole when a wafer is exposed to an atmosphere. A residue(109) produced when carrying out a dry-etching process is existed around an edge of the bottom of the contact hole. After the wafer with the contact hole formed is loaded on a transfer module, the wafer is transferred to a pre-cleaning module. The natural oxide film and the damaged contact layers are simultaneously removed using the first and second etching gas.

Abstract translation: 目的：清洁接触孔的方法是确保接触孔的电气性能，并且在接触孔下方除去自然氧化膜，并且去除在进行干蚀刻工艺时产生的损坏的绝缘膜（层）。 构成：在半导体衬底（100）上形成绝缘层（102）。 在绝缘层上形成光致抗蚀剂图形，并且当绝缘层被蚀刻以形成接触孔（104）时用作掩模。 此时，在接触孔的底部和两个侧壁上形成损坏的接触层（106a，106b）。 在形成接触孔之后，当晶片暴露在大气中时，在接触孔的底部形成有自然氧化膜（108）。 在进行干蚀刻工艺时产生的残留物（109）在接触孔的底部的边缘周围存在。 在形成有接触孔的晶片装载在转移模块上之后，将晶片转移到预清洁模块。 使用第一和第二蚀刻气体同时去除自然氧化膜和损坏的接触层。

公开(公告)号：KR100238234B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019970009557

申请日：1997-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장규환 ,  송재인 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/67028 ,  B08B3/04 ,  B08B7/00 ,  Y10S134/902

Abstract: 본 발명은 건식 세정 수단, 습식 세정 수단 및 이들을 연결하는 공통 세정조를 포함하는 반도체 소자용 세정장치 및 그를 이용한 반도체 소자의 세정방법에 관한 것이다. 본 발명의 세정장치는 건식 세정수단과 습식 세정수단이 공통 세정조를 통하여 서로 연결된 구조를 갖는다. 따라서, 본 발명의 세정 장치를 이용하면 건식 세정 이후에 반도체 소자가 대기중에 방치되는 일이 없이 바로 습식 세정될 수 있기 때문에 자연 산화막 등과 같은 이차 오염 발생을 최대한 방지할 수 있을 뿐 아니라, 건식 세정이나 습식 세정만으로는 얻을 수 없는 탁월한 세정 효과, 즉 입자상 물질, 폴리머, 금속성 오염물질 등 대부분의 오염물질에 대하여 탁월한 세정 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR100230420B1

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019970015005

申请日：1997-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  장규환 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체기판의 세정장치 및 이를 이용한 반도체기판의 세정방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 반도체기판의 세정장치는 스트리핑 스테이션(stripping station)의 바닥면과 일단이 연결된 세정액 주입관, 상기 세정액 주입관의 타단에 의하여 지지되고, 상기 세정액 주입관으로부터 세정액을 공급받아 세정이 이루어지느 세정조, 상기 세정액 주입관과 상기 세정조를 수납하며, 합성수지로 이루어진 하우징(housing), 및 상기 하우징이 고온에 의하여 변형되는 것을 방지하고 세정액 증기의 배기효율을 증가시키기 위하여 상기 하우징의 측벽에 설치된 합성수지로 이루어진 냉각수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR100230394B1

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019960066945

申请日：1996-12-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박임수 ,  송재인

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체 제조 장치의 세정조 및 웨이퍼 세정 방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 오목한 그릇 모양의 베스, 베스의 하부에 설치된 제1 정류판, 베스 밑면에 설치된 유압 상쇄관, 베스와 접하는 유압 상쇄관 입구에 설치된 제2 정류판 및 유압 상쇄관의 측벽부에 대칭적으로 설치된 세정액 유입관들을 구비하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 베스 내부 전체에 걸쳐 균일하게 세정액이 공급되도록 할 수 있으므로, 결과적으로 세정 효율을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100156827B1

公开(公告)日：1998-12-01

申请号：KR1019950039206

申请日：1995-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  고용선 ,  권영민 ,  황인석

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 세정공정중에 사용되는 웨이퍼의 건조장치에 관한 것으로서, 그 구성은 커버(12)를 구비하고 있고 그리고 IPA증기를 이용하여 웨이퍼를 건조하기 위한 주챔버(10)와; 커버(22)를 구비하고 있고 그리고 도어를 통하여 상기 주챔버(10)와 연통되어 있는 부챔버(20)와; 상기 주챔버(10)에 있는 웨이퍼를 상기 도어를 통하여 상기 부챔버(20)로 이동되게 하는 이송수단을 구비하여서, 상기 부챔버(20)내에서 자연건조공정이 실행되도록 한다. 상술한 본 발명의 웨이퍼건조장치에 의하면, 상기 주챔버에서 1단계로서의 웨이퍼건조가 완료되면 그 웨이퍼를 부챔버로 이송하고 그리고 2단계로서 자연건조하는 구조를 갖고 있기 때문에, 몰림성과 라인성향의 파티클의 문제점 및 응축현상의 문제점을 제거할 수 있는 효과를 가지고 있다. 또한, 주챔버내의 IPA증기의 노출이 최소화될 수 있기 때문에 IPA증기와의 부반응에 따른 유니트의 오염을 최소화할 수 있는 효과를 갖는다.

公开(公告)号：KR1019980073948A

公开(公告)日：1998-11-05

申请号：KR1019970009549

申请日：1997-03-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 송재인 ,  장규환 ,  박흥수 ,  고영범

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체 장치의 제조공정에서 사용되는 웨트 스테이션 세정조 내의 금속 오염 여부를 인라인 모니터링할 수 있는 시스템 및 이를 이용한 웨트 세정 시스템을 제공한다. 본 발명의 금속오염 인라인 모니터링 시스템은 웨트 스테이션의 세정조 내의 케미컬을 자동으로 샘플링할 수 있는 샘플링 수단; 상기 샘플링 수단을 통해 얻어진 샘플의 온도를 변환시킬 수 있는 온도변환장치; 상기 샘플 내의 금속오염의 정도를 유도결합 플라즈마 질량분석법으로 측정하는 오염측정장치; 및 상기 샘플링 수단과 오염측정장치의 작동을 조절하는 자동제어장치를 포함한다.

公开(公告)号：KR1019980065668A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970000781

申请日：1997-01-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 장규환 ,  박흥수 ,  송재인

IPC: H01L21/302

Abstract: 게르마늄(Ge)을 포함하는 산화막 또는 질화막을 반사방지막으로 사용하는 경우의 반사방지막 제거용 현상 트랙 유닛에 관하여 개시한다. 이를 위하여 본 발명은, 내화학성 물질로 구성된 용기와, 용기에 강한 산화력을 지닌 세정액을 분사시킬 수 있는 주입구와, 용기의 하단에 구성된 세정액을 배출시키는 배수구와, 용기의 내부에 설치된 웨이퍼를 장착하는 스핀 선반을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 반사 방지막 제거용 현상 트랙 유닛(Developer Track Unit)을 제공한다.

公开(公告)号：KR1019980014483A

公开(公告)日：1998-05-25

申请号：KR1019960033472

申请日：1996-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이문희 ,  송재인 ,  박흥수 ,  조용준

IPC: H01L21/304

Abstract: 반도체 장치 제조시 세정 방법이 개시되어 있다. 반도체 장치 제조시 금속오염을 제거하기 위해 킬레이트 시약을 세정 용액 및 린싱용액에 더 첨가하여 세정하는 것을 특징으로하는 반도체 장치 제조시 세정 방법을 제공하는 것이다. 상기 킬레이트 시약으로 암모늄 포스페이트(NH
4 H
2 PO
4 ), 암모늄 엘- 타르트레이트 (H
4 NOCOCH(OH)CH(OH)OCONH
4 ) 및 암모늄 옥살레이트(H
4 NOCOOCONH
4 )중 어느하나를 사용하는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명에 의하면 금속성 오염물을 효과적으로 제거하므로써 금속성 오염물에 의한 반도체 장치의 역바이어스 접합 누설 전류, 산화막 브레이크 다운, 캐퍼시턴스 누설전류 등을 사전에 방지할 뿐만아니라 금속오염물과 실리콘 또는 실리콘 산화막의 반응에 의해 생성되는 실리사이드 또는 실리케이트가 형성됨을 미연에 방지함으로써 산화막의 열화를 막을 수 있다.