公开(公告)号：KR100688570B1

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020050080616

申请日：2005-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  하타미쯔히로 ,  류만형 ,  하정환

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/00

Abstract: A coating composition for forming etch mask patterns of semiconductor device is provided to form an over-coating film with excellent resistance against dry etching on a resist pattern without limitation of wavelength in lithography, and to improve dry etching resistance and LER property by comprising novolak resin or poly(hydroxystyrene) partially substituted with vinyl ether functional group. The coating composition(130) includes a polymer having aromatic ring substituted by vinyl ether functional group, and an organic solvent. The polymer consists of novolak resin partially substituted with vinyl ether functional group. Alternatively, the polymer consists of poly(hydroxystyrene) partially substituted with vinyl ether functional group. Amount of the polymer ranges from 10ppm to 10wt.%, based on total weight of the organic solvent. The composition further includes acid in amount of 0.1 to 10wt.% based on total weight of the composition. The acid is selected from trifluoroacetic acid, trifluoromethanesulfonic acid and mixture thereof.

Abstract translation: 提供一种用于形成半导体器件的蚀刻掩模图案的涂层组合物，以形成具有优异耐抗蚀剂图案上的干蚀刻的外涂膜，而不限制光刻中的波长，并通过包含酚醛清漆树脂来提高耐干蚀刻性和LER特性 或部分被乙烯基醚官能团取代的聚（羟基苯乙烯）。 涂料组合物（130）包含具有被乙烯基醚官能团取代的芳环的聚合物和有机溶剂。 该聚合物由部分被乙烯基醚官能团取代的酚醛清漆树脂组成。 或者，聚合物由部分被乙烯基醚官能团取代的聚（羟基苯乙烯）组成。 基于有机溶剂的总重量，聚合物的量为10ppm至10重量％。 基于组合物的总重量，组合物还包含0.1-10重量％的酸。 酸选自三氟乙酸，三氟甲磺酸及其混合物。

公开(公告)号：KR1020070019805A

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050073727

申请日：2005-08-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하타미쯔히로 ,  우상균 ,  최상준 ,  류만형

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0392

Abstract: 포스파인-보란 배위 화합물을 포함하는 포지티브형 화학증폭형 레지스트 조성물에 대하여 개시한다. 상기 포스파인-보란 배위 화합물은 레지스트 조성물 내에서 산 소멸인자 (acid quencher) 역할을 한다. 상기 산 소멸인자는 P(R
1 )
p (R
2 )
3-p B(X
1 )
q (X
2 )
3-q (식중, R
1 및 R
2 는 각각 알킬기 또는 아릴기이고, X
1 및 X
2 는 각각 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 할로겐 원자이고, p 및 q는 각각 1 ∼ 3의 정수), 또는 BH
2 X-PR
2 -(CH
2 )
n -PR'
2 -BH
2 X' (식중, R 및 R'은 각각 알킬기 또는 아릴기이고, X 및 X'은 각각 수소 원자, 알킬기, 아릴기, 또는 할로겐 원자이고, n은 1 또는 2)로 표시되는 화합물로 이루어질 수 있다.
포스파인-보란 배위 화합물, 레지스트, 산 소멸인자, 인, 붕소

公开(公告)号：KR100652425B1

公开(公告)日：2006-12-01

申请号：KR1020050074482

申请日：2005-08-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  하타미쯔히로

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/075 ,  G03F7/004

公开(公告)号：KR100640587B1

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：KR1020040076349

申请日：2004-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  김현우 ,  하타미쯔히로 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144

Abstract: 실록산 네트워크막을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 이를 이용하여 미세 패턴을 가지는 반도체 소자를 제조하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴 위에 형성되어 있는 유기-무기 혼성(hybrid) 실록산 네트워크막을 포함한다. 실록산 네트워크막은 테트라알콕시 실란 (tetraalkoxy silane) 가교제와 트리알콕시-모노알킬 실란 (trialkoxy-monoalkyl silane) 커플링제와의 반응 산물로 이루어진다. 실록산 네트워크막을 형성하기 위하여, 먼저 실록산 올리고머를 레지스트 패턴의 표면에 코팅한다. 그 후, 레지스트 패턴의 표면에서 실록산 올리고머의 졸-겔 반응을 유도한다. 실록산 네트워크막을 형성한 후, 실록산 네트워크막 주위에 잔류하는 미반응 실록산 올리고머는 순수로 제거한다.
실록산 올리고머, 실록산 네트워크, 졸-겔, 레지스트 패턴

Abstract translation: 包含硅氧烷网络膜的掩模图案，形成掩模图案的方法以及使用该掩模图案的半导体装置的制造方法。 根据本发明的掩模图案包括形成在半导体衬底上的抗蚀剂图案和形成在抗蚀剂图案上的有机 - 无机混合硅氧烷网络膜。 硅氧烷网络膜由四烷氧基硅烷交联剂和三烷氧基 - 单烷基硅烷偶联剂的反应产物组成。 为了形成硅氧烷网络膜，首先将硅氧烷低聚物涂布在抗蚀剂图案的表面上。 此后，在抗蚀剂图案的表面上诱导硅氧烷低聚物的溶胶 - 凝胶反应。 在形成硅氧烷网膜之后，残留在硅氧烷网膜周围的未反应的硅氧烷低聚物用纯水除去。

公开(公告)号：KR100618850B1

公开(公告)日：2006-09-01

申请号：KR1020040057142

申请日：2004-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  홍진 ,  김현우 ,  하타미쯔히로 ,  콜라케마야수바라마냐 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0274

Abstract: 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴 위에 코팅되어 있고 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 포함한다. 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층은 졸-겔 반응으로부터 얻어지는 실리카 네트워크로 구성된다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상의 하지막 위에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴의 표면에 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 형성한다. 반도체 기판상에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴의 표면에만 선택적으로 실리콘을 함유하는 자기조립 분자층을 형성하여 하지막이 제1 폭 보다 작은 제2 폭 만큼 노출되도록 한다. 레지스트 패턴 및 자기조립 분자층을 식각 마스크로 하여 하지막을 식각하여 미세 패턴을 구현한다.
자기조립, 레지스트, 실리케이트 올리고머, 가수분해 산물, 졸-겔 반응

公开(公告)号：KR1020060056712A

公开(公告)日：2006-05-25

申请号：KR1020040095893

申请日：2004-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하타미쯔히로 ,  우상균 ,  강율 ,  류만형 ,  하정환 ,  김현우

IPC: G03F7/004

CPC classification number: C08G61/12 ,  C08G61/02 ,  C08G65/4081 ,  G03F7/0388 ,  G03F7/091 ,  G03F7/09

Abstract: 3,3'-디인데닐 구조를 가지는 모노머 유니트를 베이스로 하여 그보다 확장된 p-전자 짝계를 가지는 바텀 레지스트용 폴리머 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 바텀 레지스트용 폴리머는 3,3'-디인데닐 구조를 가지는 다음 식의 반복 단위로 이루어진다.

3,3'-디인데닐, 폴리머, 가교 결합, BLR, 바텀 레지스트

公开(公告)号：KR1020060027523A

公开(公告)日：2006-03-28

申请号：KR1020040076349

申请日：2004-09-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  김현우 ,  하타미쯔히로 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0274 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  G03F7/075

Abstract: 실록산 네트워크막을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 이를 이용하여 미세 패턴을 가지는 반도체 소자를 제조하는 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴 위에 형성되어 있는 유기-무기 혼성(hybrid) 실록산 네트워크막을 포함한다. 실록산 네트워크막은 테트라알콕시 실란 (tetraalkoxy silane) 가교제와 트리알콕시-모노알킬 실란 (trialkoxy-monoalkyl silane) 커플링제와의 반응 산물로 이루어진다. 실록산 네트워크막을 형성하기 위하여, 먼저 실록산 올리고머를 레지스트 패턴의 표면에 코팅한다. 그 후, 레지스트 패턴의 표면에서 실록산 올리고머의 졸-겔 반응을 유도한다. 실록산 네트워크막을 형성한 후, 실록산 네트워크막 주위에 잔류하는 미반응 실록산 올리고머는 순수로 제거한다.
실록산 올리고머, 실록산 네트워크, 졸-겔, 레지스트 패턴

公开(公告)号：KR1020050098745A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1020040057163

申请日：2004-07-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하타미쯔히로 ,  하정환 ,  김현우 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/075

Abstract: 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머가 수소 결합에 의하여 네트워크를 형성하고 있는 불용성 인터폴리머 콤플렉스 (inter-polymer complex)로 이루어지는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 미세 패턴 형성용 코팅 조성물 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴의 표면에 형성되어 있는 인터폴리머 콤플렉스층을 포함한다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상에 레지스트 패턴을 형성한 후, 양성자 주게 폴리머 및 양성자 받게 폴리머를 포함하는 코팅 조성물을 상기 레지스트 패턴의 표면에 접촉시킨 상태에서 가열하여 인터폴리머 콤플렉스층을 형성한다. 코팅 조성물은 산 및 염기 중 어느 하나, 또는 이들을 모두 포함할 수 있다. 실리콘 알콕사이드 모노머, 실리콘 알콕사이드 올리고머, 또는 이들의 부분적 가수분해 산물과 같은 실리콘 함유 물질을 포함하는 코팅 조성물을 사용하여 BLR의 상부 레지스트 패턴에 인터폴리머 콤플렉스층을 형성하면, 증가된 실리콘 함량에 의하여 건식 식각에 대하여 증가된 내성을 가지고 미세 패턴을 형성할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050098599A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：KR1020040024022

申请日：2004-04-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 하정환 ,  김현우 ,  윤진영 ,  하타미쯔히로 ,  콜라케마야수바라마냐 ,  우상균

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F7/40 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  G03F7/11

Abstract: 자기조립 분자층을 포함하는 마스크 패턴 및 그 형성 방법과, 반도체 소자의 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 마스크 패턴은 반도체 기판상에 형성된 레지스트 패턴과, 레지스트 패턴의 적어도 측벽에 코팅되어 있는 자기조립 분자층을 포함한다. 마스크 패턴을 형성하기 위하여, 먼저 기판상의 하지막 위에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한다. 이어서, 상기 레지스트 패턴의 표면에 자기조립 분자층을 형성한다. 반도체 기판상에 상기 하지막을 제1 폭 만큼 노출시키는 개구부를 갖춘 레지스트 패턴을 형성한 후, 상기 레지스트 패턴의 표면에만 선택적으로 자기조립 분자층을 형성하여 하지막이 제1 폭 보다 작은 제2 폭 만큼 노출되도록 한다. 레지스트 패턴 및 자기조립 분자층을 식각 마스크로 하여 하지막을 식각하여 미세 패턴을 구현한다.