公开(公告)号：KR102235611B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020140072349A

申请日：2014-06-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  김동원 ,  김주영 ,  김태훈 ,  김혜지 ,  박수민 ,  이형래

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

Abstract: 패턴 형성 방법 및 집적회로 소자의 제조 방법을 제공한다. 패턴 형성 방법에서, 피식각막의 제1 영역을 노출시키는 제1 개구가 형성된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 제1 개구를 한정하는 포토레지스트 패턴의 측벽에 캡핑층을 형성한다. 캡핑층으로부터의 산을 포토레지스트 패턴의 내부로 확산시켜 제1 개구 주위에 불용성 영역을 형성한다. 포토레지스트 패턴 중 불용성 영역을 사이에 두고 제1 개구와 이격된 가용성 영역을 제거하여 피식각막의 제2 영역을 노출시키는 제2 개구를 형성한다. 불용성 영역을 식각 마스크로 이용하여 피식각막을 식각한다.

公开(公告)号：KR101573464B1

公开(公告)日：2015-12-02

申请号：KR1020090068978

申请日：2009-07-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 문성호 ,  강율 ,  김형희 ,  오석환 ,  한소라 ,  최성운

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/32139 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/31144

Abstract: 반도체소자의미세패턴형성방법이제공된다. 이미세패턴형성방법은기판상에기판의표면과평행한방향을따라제 1 거리로서로이격되어있는복수의예비제 1 마스크패턴들을형성하는것, 복수의예비제 1 마스크패턴들을덮도록기판상에산 용액층을형성하는것, 산용액층내의산 소스로부터얻어지는산을복수의예비제 1 마스크패턴들의내부로확산시켜, 복수의예비제 1 마스크패턴들각각의상부및 측부들을용해제에대해제 1 용해도를갖는산 확산영역들로전환하여제 1 거리보다큰 제 2 거리로서로이격되면서산 확산영역들각각에의해상부및 측부들이둘러싸인복수의제 1 마스크패턴들을형성하는것, 산용액층을제거하여제 1 산확산영역들을노출하는것, 용해제에대해제 1 용해도보다낮은제 2 용해도를갖는제 2 마스크층을산 확산영역들사이의공간들내에형성하는것 및용해제로산 확산영역들을제거하여복수의제 1 마스크패턴들사이에개별적으로위치하는복수의제 2 마스크패턴들을형성하는것을포함한다.

公开(公告)号：KR101200938B1

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：KR1020050092329

申请日：2005-09-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  강율 ,  우상균 ,  오석환 ,  여기성 ,  이지영

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: 반도체 장치의 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 기판 상에 복수개의 제 1 마스크 패턴을 형성하고, 각각의 제 1 마스크 패턴의 측벽에 제 2 마스크 패턴을 형성하고, 상기 제 2 마스크 패턴들 사이를 채우는 제 3 마스크 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 제 2 마스크 패턴을 제거하고, 상기 제 1 및 제 3 마스크 패턴들을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 일부를 제거한다. 본 발명에 따르면, 이중 노광에서 발생하는 1차 노광 및 2차 노광 사이의 오정렬이 발생하지 않고 일정한 피치로 반복되는 미세 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 포토레지스트의 트리밍 및 화학 흡착의 두께 조절을 통하여 사진 공정으로 정의할 수 없는 선폭 및 피치의 규칙적인 패턴을 형성할 수 있다.
포토레지스트, 이중노광, 화학흡착

公开(公告)号：KR1020110109561A

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：KR1020100029346

申请日：2010-03-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한소라 ,  강율 ,  문성호 ,  윤경환 ,  김형희 ,  최성운 ,  오석환

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0273 ,  G03F7/40 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/0274

Abstract: 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법에서는 산에 의해 탈보호될 수 있는 보호기를 가지는 폴리머를 포함하는 재료를 사용하여 기판상에 홀이 형성된 제1 마스크 패턴을 형성한다. 제1 마스크 패턴의 노출 표면에 산 소스를 포함하는 캡핑층을 형성한다. 캡핑층 내에 있는 산 소스를 제1 마스크 패턴 내부에 확산시킨다. 캡핑층을 사이에 두고 제1 마스크 패턴과 이격된 상태로 홀 내부를 채우는 제2 마스크층을 형성한다. 캡핑층 및 제1 마스크 패턴을 제거한다. 홀 내부에 있던 제2 마스크층으로 이루어지는 제2 마스크 패턴을 형성한다.

公开(公告)号：KR1020080066220A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：KR1020070003393

申请日：2007-01-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 윤진영 ,  김현우 ,  최상준 ,  강율 ,  이시용 ,  장윤경

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/31133 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139

Abstract: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to obtain 1/2 pitch of a first pattern by using a self-alignment method in a post-process. A hard mask layer(130) and a photoresist pattern including silicon are formed on a target layer(120). An oxide layer pattern(160) is formed on a later surface and an upper surface of the photoresist pattern. A polymer layer(170) is formed on an entire surface of the target layer including the oxide layer pattern. A polymer layer pattern is formed by etching back the polymer layer. The oxide layer pattern is etched by using the polymer layer pattern and the photoresist pattern as mask layers. A hard mask layer pattern is formed by etching the hard mask layer. A target layer pattern is formed by etching the target layer.

Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，通过在后处理中使用自对准方法来获得第一图案的1/2间距。 在目标层（120）上形成硬掩模层（130）和包括硅的光致抗蚀剂图案。 氧化物层图案（160）形成在光致抗蚀剂图案的后表面和上表面上。 聚合物层（170）形成在包括氧化物层图案的靶层的整个表面上。 通过蚀刻聚合物层形成聚合物层图案。 通过使用聚合物层图案和光致抗蚀剂图案作为掩模层来蚀刻氧化物层图案。 通过蚀刻硬掩模层形成硬掩模层图案。 通过蚀刻目标层形成目标层图案。

公开(公告)号：KR100781542B1

公开(公告)日：2007-12-03

申请号：KR1020060051383

申请日：2006-06-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이두열 ,  이석주 ,  강율 ,  조한구 ,  강창진 ,  유재옥 ,  박성찬

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0337 ,  H01L21/0276

Abstract: A method for forming fine patterns of semiconductor devices is provided to develop easily high performance semiconductor devices by forming stably fine patterns without exchanging exposure equipment. A first mask pattern for exposing selectively a lower material film is formed(S110). An intermediate material film pattern is formed on overall surfaces of the first mask pattern and the exposed lower material film(S120). A mask layer covers an upper surface of the intermediate material film pattern. By thinning a surface portion of the mask layer, a second mask pattern, which the upper surface of the intermediate material film pattern is partially exposed, is formed(S130). The exposed intermediate material film pattern is removed until a surface of a lower material film, thereby exposing the first mask pattern(S140). Patterning is performed on the lower material film by using the first and second mask patterns as a patterning mask(S150). Then, the first and second mask patterns are removed(S160).

Abstract translation: 提供一种用于形成精细图案的半导体器件的方法，以通过在不交换曝光设备的情况下形成稳定的精细图案来开发容易的高性能半导体器件。 形成用于选择性地曝光下部材料膜的第一掩模图案（S110）。 在第一掩模图案和暴露的下部材料膜的整个表面上形成中间材料膜图案（S120）。 掩模层覆盖中间材料膜图案的上表面。 通过使掩模层的表面部分变薄，形成中间材料膜图案的上表面部分露出的第二掩模图案（S130）。 去除暴露的中间材料膜图案直到下部材料膜的表面，从而暴露第一掩模图案（S140）。 通过使用第一和第二掩模图案作为图案掩模，在下部材料膜上进行图案化（S150）。 然后，去除第一和第二掩模图案（S160）。

公开(公告)号：KR100734249B1

公开(公告)日：2007-07-02

申请号：KR1020000053152

申请日：2000-09-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최상준 ,  강율

IPC: G03F7/004

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/111

Abstract: 축합환의 방향족 환을 포함하는 보호기를 가지는 감광성 폴리머 및 이를 포함하는 레지스트 조성물에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 감광성 폴리머는, 폴리머 백본에 결합되는 보호기로서 산 존재 하에 쉽게 가수분해될 수 있고 다음 식으로 표시되는 축합환의 방향족 환을 포함하는, 산에 의해 분해 가능한 보호기를 포함한다.

식중, R
1 은 수소 원자 또는 C
1 ∼ C
4 의 알킬기이고, X는 수소 원자, 할로겐, 알킬기 또는 알콕시기이고, y는 1 ∼ 3의 정수이고, y = 2 이상일 때 상기 축합환의 방향족 환은 선형환 또는 분기상의 환으로 이루어진다.

Abstract translation: 具有含有稠合多环芳香环的保护基团被启动相对于抗蚀剂组合物包括光敏聚合物，以及此。 酸：光敏聚合物根据本发明，可以容易地在酸存在，其结合到聚合物主链可以包括通过可切割的保护基团，包括由下式表示的稠合多环芳香环的保护基团水解。

公开(公告)号：KR100684888B1

公开(公告)日：2007-02-20

申请号：KR1020050107902

申请日：2005-11-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고차원 ,  정병홍 ,  우상균 ,  남정림 ,  오석환 ,  송재혁 ,  박현 ,  강율

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

公开(公告)号：KR100575001B1

公开(公告)日：2006-04-28

申请号：KR1020040104022

申请日：2004-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강율 ,  조한구 ,  우상균 ,  이석주 ,  하타미쯔히로 ,  이형래 ,  류만형

IPC: H01L21/027

公开(公告)号：KR1020020078087A

公开(公告)日：2002-10-18

申请号：KR1020010017948

申请日：2001-04-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김현우 ,  우상균 ,  강율

IPC: G03F7/033

CPC classification number: G03F7/0758 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115

Abstract: PURPOSE: A photosensitive polymer comprising the polymer of alkyl vinyl ether containing silicon and a resist composition containing the polymer are provided, to improve the heat stability and the wettability to a developing solution of the resist composition. CONSTITUTION: The photosensitive polymer contains the polymer of alkyl vinyl ether represented by the formula 1. Also the photosensitive polymer contains the polymer of alkyl vinyl ether and maleic anhydride represented by the formula 2. In the formulas 1 and 2, R1 is H, OSi(CH3)2C(CH3)3 or OSi(CH3)3; R2 is H, OH, OCOCH3, OSi(CH3)2C(CH3)3 or OSi(CH(CH3)2)3; R3 is H, OH or OCOCH3; R4 is H, OSi(CH3)2C(CH3)3, CH2OSi(CH3)2C(CH3)3 or CH2OSi(CH(CH3)2)3; and at least one among R1, R2, R3 and R4 contains Si. The resist composition comprises the photosensitive polymer; 1-30 wt% of a photoacid generator; and optionally an organic base and/or a surfactant. Preferably the mean mass molecular weight of the photosensitive polymer is 1,000-100,000.

Abstract translation: 目的：提供包含含有硅烷基乙烯基醚的聚合物和含有该聚合物的抗蚀剂组合物的光敏聚合物，以提高抗蚀剂组合物的显影溶液的热稳定性和润湿性。 构成：光敏聚合物含有由式1表示的烷基乙烯基醚的聚合物。光敏聚合物还含有由式2表示的烷基乙烯基醚和马来酸酐的聚合物。在式1和2中，R1是H，OSi （CH 3）2 C（CH 3）3或OSi（CH 3）3; R2是H，OH，OCOCH3，OSi（CH3）2C（CH3）3或OSi（CH（CH3）2）3; R3是H，OH或OCOCH3; R4是H，OSi（CH3）2C（CH3）3，CH2OSi（CH3）2C（CH3）3或CH2OSi（CH（CH3）2）3; R1，R2，R3和R4中的至少一个含有Si。 抗蚀剂组合物包含光敏聚合物; 1-30重量％的光酸产生剂; 和任选的有机碱和/或表面活性剂。 光敏聚合物的平均质量分子量优选为1,000-100,000。