公开(公告)号：KR102128474B1

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：KR1020190049383

申请日：2019-04-26

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 박진홍 ,  김승준 ,  허근 ,  김형준 ,  오세용

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

公开(公告)号：KR1020070040924A

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：KR1020050096494

申请日：2005-10-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허근

IPC: H01L21/205

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02274

Abstract: 연속되는 PEOXIDE 막과 SiON 막을 동일한 장비에서 연속하여 진행하는 방법을 제공한다. 반응 챔버에서 PEOXIDE 막을 형성한 후 웨이퍼를 반응 챔버로부터 언로드하고 반응 챔버를 N
2 또는 Ar 가스와 같은 불활성 가스로 퍼지하고 펌프하여 반응 가스 및 상기 반응 가스가 반응한 후에 생성되는 부산물이 반응 챔버에 잔류하는 것을 방지한다. 이후 연속하여 SiON 막을 형성할 수 있다. 일련의 막을 동일한 장비에서 연속하여 진행함으로써 공정 진행 시간과 공정 대기 시간을 감축할 수 있다.

公开(公告)号：KR100703007B1

公开(公告)日：2007-04-06

申请号：KR1020050110044

申请日：2005-11-17

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  재단법인서울대학교산학협력재단

Inventor： 윤상웅 ,  이종찬 ,  권기옥 ,  차상호 ,  허근

IPC: G03F7/027

Abstract: 감광성 유기 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법에서, 폴리머막 형성용 조성물은 에폭시기와 산 발생제(PGA)에 의해 분해가 일어나는 산 분해형 열 가교제 0.5 내지 5중량%와 안트라센을 함유하는 아크릴레이트 단량체 또는 안트라센을 함유하는 메타 아크릴레이트 단량체를 포함하는 공중합체 수지 10 내지 22중량%와 광산 발생제 0.1 내지 1중량% 및 여분의 용매를 포함하는 조성을 갖는다. 상기 폴리머막을 식각하여 폴리머막 패턴을 형성한다. 상기한 조성물은 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 현상공정을 수행할 때 함께 현상되는 감광성 유기 반사 방지막을 형성할 수 있다.

Abstract translation: 在组合物中的光敏有机防反射膜，并使用相同的用于形成聚合物层的形成，它包含0.5％至5％的酸可分解的热交联剂（重量）蒽的发生通过与环氧基如权利要求所产生的酸分解的丙烯酸类的组合物的图案形成方法（PGA） 它具有包括单体或甲基丙烯酸酯单体的共聚物树脂10〜22％（重量），0.1至1％（重量）的光酸产生剂和包含含有蒽多余的溶剂的组合物。 聚合物膜被蚀刻以形成聚合物膜图案。 上述组合物可形成光敏有机防反射膜，当进行形成光致抗蚀剂图案的显影工艺时，光敏有机防反射膜与光致抗蚀剂图案一起显影。

公开(公告)号：KR1020010018673A

公开(公告)日：2001-03-15

申请号：KR1019990034715

申请日：1999-08-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 허근

IPC: H01L21/68

Abstract: PURPOSE: A zero station is provided to more effectively correct a position of a wafer in a loading/unloading process, by making a side surface of a position correcting pin become inclined so that an upper portion of the position correcting pin is pointed. CONSTITUTION: A zero station corrects a position of a loaded/unloaded wafer in a tungsten evaporation process for evaporating a tungsten layer on the wafer. A wafer position correcting pin(102) whose side surface in contact with the wafer is inclined, is included in the zero station so that the position of the wafer is more precisely corrected.

Abstract translation: 目的：通过使位置校正销的侧面变得倾斜，使得位置校正销的上部被指向，来提供零站以更有效地校正加载/卸载过程中晶片的位置。 构成：零电台在钨蒸发过程中校正加载/卸载晶片的位置，以蒸发晶片上的钨层。 与该晶片接触的侧面倾斜的晶片位置校正销（102）被包括在零站中，使得晶片的位置被更精确地校正。