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公开(公告)号：KR101269053B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110116471
申请日：2011-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/387 , Y10S977/932
Abstract: 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시된 나노 로드 발광 소자는 적어도 하나의 질화물 반도체층과, 상기 적어도 하나의 질화물 반도체층 상에 구비된 것으로, 관통홀들을 포함하는 마스크층과, 광이 발광되는 복수 개의 발광 나노 로드와, 상기 복수 개의 발광 나노 로드를 그루핑하고, 그루핑된 발광 나노 로드들을 서로 이격되게 도전체로 덮은 나노 로드 클러스터들을 포함할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020120083084A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：KR1020110004533
申请日：2011-01-17
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/20 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A nano lod light emitting device and a method manufacturing the same are provided to stably grow a nano lod in a high temperature by using a graphene mask layer. CONSTITUTION: A mask layer(15) with some patterns(17) is formed on a substrate(10). A nano lod(20) whose surface includes a light emitting layer(25) is protrudingly formed in response to the patterns. A semiconductor layer(30) is formed above the mask layer and nano lod.
Abstract translation: 目的：提供纳米级发光器件及其制造方法，以通过使用石墨烯掩模层来稳定地生长高温下的纳米磁盘。 构成：在衬底（10）上形成具有一些图案（17）的掩模层（15）。 响应于图案突出地形成其表面包括发光层（25）的纳米级（20）。 半导体层（30）形成在掩模层和纳米层上。
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公开(公告)号：KR1020120067158A
公开(公告)日：2012-06-25
申请号：KR1020100128612
申请日：2010-12-15
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5072 , H01L51/5076 , H01L51/52
Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device is provided to increase quantum efficiency with a surface Plasmon effect by forming a light emitting layer into a multilayer structure including a quantum dot layer. CONSTITUTION: An electron transport layer(13) is formed on a substrate(10). A light emitting layer(20) is formed on the electron transport layer. The light emitting layer emits light having a certain wavelength by bonding electrons and holes. The light emitting layer includes a graphene quantum dot layer(15) and an inorganic quantum dot layer(17). A hole transport layer(25) is formed on the light emitting layer.
Abstract translation: 目的：提供量子点发光器件，通过将发光层形成为包括量子点层的多层结构，通过表面等离子体效应来提高量子效率。 构成：在基板（10）上形成电子传输层（13）。 在电子传输层上形成发光层（20）。 发光层通过键合电子和空穴发射具有一定波长的光。 发光层包括石墨烯量子点层（15）和无机量子点层（17）。 在发光层上形成空穴传输层（25）。
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公开(公告)号：KR1020120029279A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100091275
申请日：2010-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A nitride mono-crystal and a method for manufacturing a nitride compound semiconductor light emitting device are provided to minimize the generation of defects of a light emitting structure by separating the light emitting structure from a nitride mono-crystal substrate for growth. CONSTITUTION: A nitride mono-crystal substrate(110) for growth is prepared. A graphene layer(120) is formed in the substrate. A light emitting structure in which a first conductivity type nitride semiconductor layer, an active layer, and a second conductive type nitride semiconductor layer are successively formed is grown up on the graphene layer. A first electrode layer is formed on the light emitting structure. The graphene layer is chemically eliminated by using etchant in order to separate the light emitting structure from the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物单晶和一种制造氮化物化合物半导体发光器件的方法，用于通过将发光结构与用于生长的氮化物单晶衬底分离来最小化发光结构的缺陷的产生。 构成：制备用于生长的氮化物单晶衬底（110）。 在衬底中形成石墨烯层（120）。 在石墨烯层上生长连续形成第一导电型氮化物半导体层，有源层和第二导电型氮化物半导体层的发光结构。 在发光结构上形成第一电极层。 通过使用蚀刻剂来化学地除去石墨烯层，以将发光结构与基底分离。
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公开(公告)号：KR1020120029173A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100091104
申请日：2010-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/50 , H01L51/5203 , H01L51/5265 , H01L2251/305 , H01L2251/56
Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device which uses a graphene structure is provided to improve quantum efficiency by preventing defects such as dislocation and etc. by selectively forming a quantum dot using a patterned graphene layer. CONSTITUTION: An electron transport layer(130) is arranged on a substrate(110). A quantum dot light emitting layer(150) is arranged on the electron transport layer. The quantum dot light emitting layer comprises a quantum dot(154) which is formed within a graphene layer(152) and a plurality of nano holes. The graphene layer comprises one or more graphene sheets. A hole transport layer(170) is arranged on the quantum dot light emitting layer.
Abstract translation: 目的：提供一种使用石墨烯结构的量子点发光器件，以通过使用图案化的石墨烯层选择性地形成量子点来防止诸如位错等的缺陷来提高量子效率。 构成：电子传输层（130）布置在衬底（110）上。 量子点发光层（150）布置在电子传输层上。 量子点发光层包括在石墨烯层（152）内形成的量子点（154）和多个纳米孔。 石墨烯层包括一个或多个石墨烯片。 在量子点发光层上配置空穴传输层（170）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120028104A
公开(公告)日：2012-03-22
申请号：KR1020100090117
申请日：2010-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , Y10S977/816
Abstract: PURPOSE: A III family nitride nano rod light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to grow a III family nitride nano rod light emitting device of a different diameter on the same substrate, thereby realizing light of various wavelengths. CONSTITUTION: An insulating film(120) is formed on a substrate. The insulating film exposes a portion of the substrate. The insulating film includes a plurality of openings of different diameters. A first conductive III family nitride nano rod(160) has a different diameter. The first conductive III family nitride nano rod is formed on each opening. An active layer and a second conductive semiconductor layer(162) are successively formed on a surface of each first conductive III family nitride nano rod.
Abstract translation: 目的：提供III族氮化纳米棒发光器件及其制造方法，以在相同的衬底上生长不同直径的III族氮化纳米棒发光器件，从而实现各种波长的光。 构成：在基板上形成绝缘膜（120）。 绝缘膜暴露基板的一部分。 绝缘膜包括多个不同直径的开口。 第一导电III族氮化物纳米棒（160）具有不同的直径。 在每个开口上形成第一导电III族氮化物纳米棒。 在每个第一导电III族氮化物纳米棒的表面上依次形成有源层和第二导电半导体层（162）。
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公开(公告)号：KR1020110132162A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100052019
申请日：2010-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0008 , H01L33/42 , H01L33/50 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to include a plurality of light emitting parts emitting light with different wavelengths in a single chip, thereby enabling the semiconductor light emitting device to emit white light without a phosphor. CONSTITUTION: A first light emitting structure(120) is arranged on a substrate(110). The first light emitting structure comprises a first n-type semiconductor layer(121), a first p-type semiconductor layer(123), and a first active layer(122). A second light emitting structure(130) is arranged on the first light emitting structure. The second light emitting structure comprises a second n-type semiconductor layer(131), a nano rod(131'), a second active layer(132), and a second p-type semiconductor layer(133). The second active layer is arranged in order to cover the upper surface and side surface of the nano rod.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，其包括在单个芯片中发射具有不同波长的光的多个发光部件，从而使半导体发光器件能够发射不含荧光体的白光。 构成：第一发光结构（120）布置在基板（110）上。 第一发光结构包括第一n型半导体层（121），第一p型半导体层（123）和第一有源层（122）。 第二发光结构（130）布置在第一发光结构上。 第二发光结构包括第二n型半导体层（131），纳米棒（131'），第二有源层（132）和第二p型半导体层（133）。 布置第二活性层以覆盖纳米棒的上表面和侧表面。
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公开(公告)号：KR200183616Y1
公开(公告)日：2000-06-01
申请号：KR2019960022136
申请日：1996-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈재
IPC: G01R27/00
Abstract: 본 고안은 전자 또는 전기회로에 사용되는 측정기기에 관한 것으로, 특히 저항기 및 커패시터의 시험용 장치에 관한 것이다.
저항기 및 커패시터의 시험용 장치에 있어서, 시험용 저항기 또는 커패시터가 장착된 시험용 저항기 또는 시험용 커패시터(100); 상기 시험용 저항기 또는 시험용 커패시터(100)의 저항치 또는 커패시턴스를 표시하는 표시부(102); 손으로 잡기위해 절연체로 된 손잡이(104); 및 상기 손잡이(104)와 시험용 저항기 또는 시험용 커패시터(100) 및 표시부(102)를 연결하는 지지대를 구비한다.
따라서, 사용자는 설계하고자 하는 회로의 소정의 위치에 어느 정도의 저항치 또는 커패시턴스를 갖는 저항기 또는 커패시터를 사용해야 하는지를 알고자 할 때, 소정의 위치에 본 고안에 따른 저항 및 커패시터의 시험용 장치를 납땜하기 않고 접촉만 하여 간단하게 선별할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101710159B1
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020100090117
申请日：2010-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/04 , H01L27/156 , H01L33/08 , H01L33/16 , H01L33/24 , Y10S977/816
Abstract: 본발명의실시예에따른 III족질화물나노로드발광소자는기판, 상기기판위에형성되고, 상기기판의일부분을노출하고서로다른직경을가지는복수의개구를포함하는절연막및 상기복수의개구각각에형성되는서로다른직경을가지는제1 도전형 III족질화물나노로드를포함하고, 상기제1 도전형 III족질화물나노로드각각의표면에활성층, 제2 도전형반도체층이순차적으로형성되어있다.
Abstract translation: 公开了III族氮化物纳米棒发光器件及其制造方法。 III族氮化物纳米棒发光器件包括：衬底，形成在衬底上的绝缘膜，并且包括暴露部分基底并具有不同直径的多个开口，以及分别具有不同直径的第一导电III族氮化物纳米棒 所述多个开口，其中所述第一导电III族氮化物纳米棒中的每一个具有有源层和在其表面上顺序地形成的第二导电半导体层。
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公开(公告)号：KR101689664B1
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020100120664
申请日：2010-11-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 양자점을포함하는적층구조물과그 제조방법및 상기적층구조물을적용한발광소자가개시되어있다. 개시된양자점을포함하는적층구조물은일면에적어도하나의홀(hole)이형성된베이스층과, 상기홀의저면에구비된양자점, 그리고상기베이스층상에상기양자점을덮도록구비된도전성물질층을포함할수 있다. 상기도전성물질층은그래핀층일수 있다. 상기도전성물질층상에상기홀을메우는평탄화층이구비될수 있다. 상기적층구조물은반복적층구조를가질수 있다.
Abstract translation: 目的：提供一种叠层结构及其制造方法及其应用发光器件，通过容易地控制量子点的位置和尺寸来提高量子点的使用效率。 构成：在半导体层（10）的一侧形成多个孔（H1）。 在半导体层的上侧形成下层（20）。 沿着半导体层的上侧保形地包括底层。 量子点（30）形成在多个孔的底部。 在底层上形成覆盖量子点的石墨烯层（40）。 在石墨烯层上形成平坦化层（50）。 多个孔填充有平坦化层。
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