-
公开(公告)号：KR101335945B1
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020110087248
申请日：2011-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 발광소자는, 두께와 인듐(In)의 함량이 다른 결정면들을 갖는 활성층 및 박막 형태의 도전형 반도체층으로 인해 인가되는 전압에 따라 상기 결정면들에서 발생되는 발광 파장이 연속적으로 변하며, 형광체 없이 백색광을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 측에 따른 반도체 발광소자는, 마이크로 또는 나노 구조물인 코어부 상에 활성층을 형성함으로써 발광 면적을 확대할 수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020120029276A
公开(公告)日：2012-03-26
申请号：KR1020100091272
申请日：2010-09-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nitride mono-crystal, and a nitride semiconductor light emitting diode using the same are provided to control lattice defects created due to thermal expansion and lattice mismatch by forming a mask layer in the inner side of a semiconductor layer by using grapheme. CONSTITUTION: A first electrical conduction semiconductor layer(22) is formed on a substrate(21). The first electrical conduction semiconductor layer comprises a nitride base layer(22A) and a nitride single crystal layer(22B). An active layer(23) is formed on the first electrical conduction semiconductor layer. A second electrical conduction semiconductor layer(24) is formed on the active layer. A mask layer(25) is formed the nitride base layer and the nitride single crystal layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造氮化物单晶的方法和使用其的氮化物半导体发光二极管，以通过在半导体层的内侧形成掩模层来控制由于热膨胀和晶格失配而产生的晶格缺陷， 使用图形。 构成：在基板（21）上形成第一导电半导体层（22）。 第一导电半导体层包括氮化物基底层（22A）和氮化物单晶层（22B）。 在第一导电半导体层上形成有源层（23）。 在有源层上形成第二导电半导体层（24）。 掩模层（25）形成为氮化物基底层和氮化物单晶层。
-
公开(公告)号：KR1020110132163A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：KR1020100052021
申请日：2010-06-01
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/08 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L33/36 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device is provided to include a plurality of light emitting parts which emits light with different wavelengths, thereby enabling the semiconductor light emitting device to emit white light without a phosphor. CONSTITUTION: A substrate includes first and second major surfaces which are facing each other. A first light emitting structure(120) is arranged on the first major surface of the substrate. The first light emitting structure comprises a first n-type semiconductor layer(121), a first active layer(122), and a second p-type semiconductor layer(123). A second light emitting structure(130) is arranged on the second major surface of the substrate. The second light emitting structure comprises a second n-type semiconductor layer(131), a nano rod(131'), a second active layer(132), and a second p-type semiconductor layer(133).
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件，其包括发射不同波长的光的多个发光部，能够使半导体发光元件发射不含荧光体的白光。 构成：衬底包括彼此面对的第一和第二主表面。 第一发光结构（120）布置在基板的第一主表面上。 第一发光结构包括第一n型半导体层（121），第一有源层（122）和第二p型半导体层（123）。 第二发光结构（130）布置在基板的第二主表面上。 第二发光结构包括第二n型半导体层（131），纳米棒（131'），第二有源层（132）和第二p型半导体层（133）。
-
公开(公告)号：KR1020110117856A
公开(公告)日：2011-10-28
申请号：KR1020100037323
申请日：2010-04-22
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/06 , H01L33/42 , H01L33/501 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명은 발광다이오드 소자 및 그 제조 방법을 개시한다.
발광다이오드 소자는 기판상에 배치된 제 1 전도층; 상기 제 1 전도층상에 배치되며, 나노 사이즈의 너비를 가지며 상기 제 1 전도층을 노출하는 다수의 개구를 갖는 유전체 패턴; 상기 각 개구의 상기 제 1 전도층상에 배치된 나노 격벽을 포함하는 활성 패턴; 상기 유전체 패턴에 의해 상기 제 1 전도층과 절연되며, 상기 나노 격벽의 외주면을 따라 배치된 제 2 전도층; 및 상기 제 1 및 제 2 전도층과 각각 전기적으로 연결된 전극들;을 포함할 수 있다.-
公开(公告)号：KR2019980009262U
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR2019960022136
申请日：1996-07-25
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정훈재
IPC: G01R27/00
Abstract: 본고안은전자또는전기회로에사용되는측정기기에관한것으로서, 특히저항기및 커패시터의시험용장치에관한것이다. 저항기및 커패시터의시험용장치에있어서, 시험용저항기또는커패시터가장착된시험용저항기또는시험용커패시터(100); 상기시험용저항기또는시험용커패시터(100)의저항치또는커패시턴스를표시하는표시부(102); 손으로잡기위해절연체로된 손잡이 (104); 및상기손잡이(104)와시험용저항기또는시험용커패시터 (100) 및표시부(102)를연결하는지지대를구비한다. 따라서, 사용자는설계하고자하는회로의소정의위치에어느정도의저항치또는커패시턴스를갖는저항기또는커패시터를사용해야하는지를알고자할 때, 소정위치에본 고안에따른저항기및 커패시터의시험용장치를납땜하지않고접촉만하여간단하게선별할수 있다.
Abstract translation: 纸内侧，涉及在电子或电气线路中使用的测量仪器，更具体地涉及的电阻器和电容器的测试装置。 在电阻器和电容器，所述测试电阻器或电阻器的测试装置，或用于测试所述测试电容器100的电容器安装; 的测试电阻器或用于显示的电阻或电容测试电容器100，102的值的显示单元; 绝缘材料，以采取手柄（104）; 和支撑连接在手柄104和测试电阻器或电容器测试100和显示单元102。 因此，仅当你想知道如何使用电阻器或具有电阻值或电容在一定程度上，而不是在与该电路的预定位置接触在预定位置处焊接根据本发明的电阻器和电容器的测试装置中的电容器的用户被设计 并且可以容易地选择。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：KR101691906B1
公开(公告)日：2017-01-02
申请号：KR1020100090115
申请日：2010-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의일 실시예에따른 III족질화물나노로드발광소자의제조방법은기판을마련하는단계, 상기기판위에상기기판의일부분을노출하는적어도하나의개구를갖는절연막을형성하는단계, III족원소공급원가스와 N 공급원가스를공급하여상기개구에제1 도전형 III족질화물나노로드시드층을성장하는제1 성장공정단계, III족원소공급원가스및 불순물공급원가스를펄스모드로공급하고 N 공급원가스를지속적으로공급하여상기제1 도전형 III족질화물나노로드시드층위에제1 도전형 III족질화물나노로드를성장하는단계, 상기제1 도전형 III족질화물나노로드각각의표면에활성층을형성하는단계및 상기활성층의위에제2 도전형반도체층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种III族氮化物纳米棒发光器件及其制造方法。 该方法包括：准备衬底，形成绝缘膜，该绝缘膜包括一个或多个开口，暴露在衬底上的衬底的部分;通过提供第III族源气体，在通过开口暴露的衬底上生长第一导电III族氮化物纳米棒晶种层; 通过向第一导电III族氮化物纳米棒种子层生长第一导电III族氮化物纳米棒，通过以脉冲模式提供第III族源气体和杂质源气体并连续供应N源气体，形成氮 在所述第一导电III族氮化物纳米棒中的每一个的表面上的有源层，以及在所述有源层上形成第二导电氮化物半导体层。
-
公开(公告)号：KR101351484B1
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：KR1020120029413
申请日：2012-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/10
Abstract: 질화물계 반도체 리플렉터를 구비한 발광소자가 개시된다. 개시된 질화물계 반도체 리플렉터를 구비한 발광소자는, 질화물계 리플렉터와 상기 질화물계 리플렉터 상의 발광부를 포함한다.
상기 질화물계 리플렉터는 언도프 질화물 반도체층과 고농도로 도핑된 질화물 반도체층이 교대로 적층되며, 상기 고농도 질화물 반도체층은 가장자리로부터 식각이 되어서 이웃하는 언도프 질화물 반도체층 사이에 에어층이 형성된다.-
公开(公告)号：KR101309112B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020120029407
申请日：2012-03-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/36 , H01L21/76817 , H01L2933/0016
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a light emitting device is provided to reduce costs by reducing the number of processes and processing time. CONSTITUTION: A light emitting structure (L10) is formed on a substrate. The light emitting structure includes a first conductive semiconductor, a second conductive semiconductor, and an active layer. An electrode layer (500) is formed on the light emitting structure. A resin layer (600) is formed on the electrode layer. A first groove and a second groove are formed on the resin layer.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造发光器件的方法，通过减少处理次数和处理时间来降低成本。 构成：在基板上形成发光结构（L10）。 发光结构包括第一导电半导体，第二导电半导体和有源层。 在发光结构上形成电极层（500）。 在电极层上形成树脂层（600）。 第一凹槽和第二凹槽形成在树脂层上。
-
公开(公告)号：KR101269053B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020110116471
申请日：2011-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/387 , Y10S977/932
Abstract: 나노 로드 발광 소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시된 나노 로드 발광 소자는 적어도 하나의 질화물 반도체층과, 상기 적어도 하나의 질화물 반도체층 상에 구비된 것으로, 관통홀들을 포함하는 마스크층과, 광이 발광되는 복수 개의 발광 나노 로드와, 상기 복수 개의 발광 나노 로드를 그루핑하고, 그루핑된 발광 나노 로드들을 서로 이격되게 도전체로 덮은 나노 로드 클러스터들을 포함할 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
67
records
(took 0.022 seconds)
