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公开(公告)号：KR101652792B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020100014738
申请日：2010-02-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L33/46
Abstract: 발광소자및 그제조방법이개시된다. 발광소자는, 기판상에서로다른전도성타입의제1 및제2반도체물질층, 제1 및제2반도체물질층사이에위치되며광이발생되는활성층을포함하는적층구조물및 적층구조물에대해비 평행면을가져난반사를유도하고내부전반사를줄이도록된 자기조립폴리머패턴을구비한다.
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公开(公告)号：KR1020130051240A
公开(公告)日：2013-05-20
申请号：KR1020110116471
申请日：2011-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/24 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/387 , Y10S977/932
Abstract: PURPOSE: A nanorod light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce power consumption by decreasing a leakage current using an electrode of a grid pattern. CONSTITUTION: A nanorod cluster(30) covers light emitting nanorods(26) with conductors. A filling layer(33) is laminated on the nanorod clusters. An electrode(40) is formed on the filling layer and includes a grid pattern. A connection part connects the conductors to a first electrode.
Abstract translation: 目的：提供纳米棒发光器件及其制造方法，以通过使用栅格图案的电极减少漏电流来降低功耗。 构成：纳米棒簇（30）覆盖具有导体的发光纳米棒（26）。 填充层（33）层叠在纳米棒簇上。 电极（40）形成在填充层上并且包括网格图案。 连接部将导体连接到第一电极。
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公开(公告)号：KR101258582B1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：KR1020110089207
申请日：2011-09-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 나노로드발광소자및 그제조방법이개시된다. 개시된발광소자는, 복수의관통홀을구비하는마스크층과, 관통홀을통해수직성장된제1형으로도핑된반도체나노코어, 반도체나노코어의표면을둘러싸도록형성된활성층, 및활성층의표면을둘러싸도록형성된제2형으로도핑된제1반도체층을포함하는발광나노로드를포함한다. 패시베이션층이발광나노로드의코너부를덮으며상단부는노출시키도록형성되며, 제1전극으로서역할을하는반사금속층이노출된발광나노로드의제1반도체층을덮도록형성되어제1반도체층에전기적으로연결된다.
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公开(公告)号：KR1020130040518A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：KR1020110105342
申请日：2011-10-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0083
Abstract: PURPOSE: A semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to control an emission wavelength of a light emitting device by differently setting a composition ratio of indium and the thickness of an active layer on a bottom side and a pyramid slope of a second conductive semiconductor layer. CONSTITUTION: A first conductive semiconductor layer(300) is formed on a substrate. A second conductive semiconductor layer(500) protrudes from the first conductive semiconductor layer. A part of the second conductive semiconductor layer is grown again in a region without a dielectric pattern on the first conductive semiconductor layer to expose a part of the first conductive semiconductor layer. An active layer(600) is formed on the second conductive semiconductor and includes a first crystal surface and a second crystal surface to generate light of different wavelengths. A third conductive semiconductor layer(700) is formed on the active layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体发光器件及其制造方法，以通过不同地设定铟的组成比和底部的有源层的厚度和第二个的金字塔斜率来控制发光器件的发射波长 导电半导体层。 构成：在基板上形成第一导电半导体层（300）。 第二导电半导体层（500）从第一导电半导体层突出。 第二导电半导体层的一部分在第一导电半导体层上的没有电介质图案的区域中再次生长，以暴露第一导电半导体层的一部分。 在第二导电半导体上形成有源层（600），并且包括第一晶体表面和第二晶体表面以产生不同波长的光。 在有源层上形成第三导电半导体层（700）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170141308A
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：KR1020160073871
申请日：2016-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02 , H01L21/78 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02381 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/02507 , H01L21/0251 , H01L21/02513 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/304 , H01L21/30604
Abstract: 본발명의일 실시예는, 서로대향하는제1 면과제2 면을갖는실리콘기판을마련하는단계와, 제1 성장챔버에서상기실리콘기판의제1 면에질화물템플릿을성장시키는단계 - 상기질화물템플릿의성장과정에서상기실리콘기판의제2 면에실리콘화합물층이형성됨 - 와, 상기실리콘기판의제2 면으로부터상기실리콘화합물층을제거하는단계와, 제2 성장챔버에서상기질화물템플릿상에Ⅲ족질화물단결정을성장시키는단계와, 상기제2 성장챔버에서상기실리콘기판을제거하는단계를포함하는질화물반도체기판제조방법을제공한다.
Abstract translation: 一个实施例中，第一表面的分配方法包括：提供具有第二表面的硅衬底，和在彼此面对本发明的第一个生长室中在氮化物模板生长到硅衬底的第一表面的第二步骤，其中所述氮化物模板 在周围去除从硅衬底，在生长室中的第二ⅲ族氮化物单晶在氮化物模板的第二表面的硅化合物层形成在硅衬底的第二表面上该硅化合物层，和城堡的部分 本发明还提供了一种制造氮化物半导体衬底的方法。
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公开(公告)号：KR1020170029678A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：KR1020150126184
申请日：2015-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/02005 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02664 , H01L21/30604 , H01L21/6835 , H01L21/7806 , H01L33/0066 , H01L33/0079
Abstract: 본발명의실시예에따른반도체기판의제조방법은, 성장기판상에제1 반도체층을형성하는단계, 상기제1 반도체층상에, 복수의트렌치들을갖는제2 반도체층을형성하는단계, 상기복수의트렌치들을통해서제1 반도체층에복수의보이드들을형성하는단계, 상기제2 반도체층으로부터성장되며, 상기복수의트렌치들을덮고상기제2 반도체층의상부로연장되는제3 반도체층을형성하는단계, 상기제2 및제3 반도체층이상기성장기판으로부터분리되는단계를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的制造半导体衬底的方法包括以下步骤：在生长衬底上形成第一半导体层;在第一半导体层上形成具有多个沟槽的第二半导体层; 通过沟槽在第一半导体层中形成多个空隙;形成从第二半导体层生长并覆盖多个沟槽并在第二半导体层上延伸的第三半导体层; 并将第二和第三半导体层与理想基板分离。
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公开(公告)号：KR1020160008028A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020140087466
申请日：2014-07-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/06 , H01L27/153 , H01L33/0025 , H01L33/08 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/62 , H01L2224/16245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H05B33/0803 , H01L2924/00014
Abstract: 본발명의일 측면은, 제1 도전형반도체로이루어진베이스층과, 상기베이스층상에형성되며, 상기베이스층의일부영역이노출된복수의개구를갖는절연막과, 상기베이스층의노출된영역각각에형성되며, 제1 도전형반도체로이루어진나노코어와상기나노코어의측면에순차적으로형성된활성층과제2 도전형반도체층을갖는복수의나노발광구조물을포함하며, 상기복수의나노발광구조물은동일한성장공정에의해형성되며, 각각 2개이상의나노발광구조물을갖는 n개의그룹(n은 2 이상인정수)으로구분되고, 상기각 그룹의활성층은각각서로다른광을방출하도록상기각 그룹의나노코어의직경, 높이및 피치중 적어도하나가상이한나노구조반도체발광소자를제공할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种纳米结构半导体发光器件。 根据本发明的一个方面，纳米结构半导体发光器件包括：基底层，包括第一导电半导体; 绝缘层，其形成在所述基底层上并且具有多个开口，所述基底层的部分区域暴露在所述开口中; 以及具有分别形成在基底层的每个暴露区域上并且包括第一导电半导体的纳米孔的多个纳米发光结构以及依次形成在纳米孔一侧的有源层和第二导电半导体。 纳米发光结构在相同的生长工艺中形成，并分成具有两个或更多个纳米发光结构的n个基团（n为2以上的整数）。 每组中纳米孔的直径，高度和间距中的至少一个是不同的，使得每组的活性层分别发射不同的光。
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公开(公告)号：KR101916274B1
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：KR1020130008311
申请日：2013-01-24
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L33/005 , H01L33/24
Abstract: 본발명은반도체발광소자및 그제조방법에관한것으로서, 기판; 상기기판상에형성된제1 도전형반도체베이스층; 상기제1 도전형반도체베이스층상에서로이격되어형성된복수의제1 도전형반도체코어와, 상기제1 도전형반도체코어의표면에순차적으로형성된활성층와제2 도전형반도체층을포함하는복수의나노발광구조물을포함하며, 상기나노발광구조물의측면에형성된상기제2 도전형반도체층부분은상기제1 도전형반도체코어의측면과다른결정면을가짐으로서, 반도체발광소자의광추출효율을향상시킬수 있는효과가있다.
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