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公开(公告)号：KR1020100120974A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：KR1020090039886
申请日：2009-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G03F7/004
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/004 , G03F7/0041 , G03F7/0047 , G03F7/20 , G03F7/2002
Abstract: PURPOSE: A method for forming inorganic layer is provided to perform additional process(annealing) at low temperature in a short time and to save preparation cost. CONSTITUTION: A method for forming inorganic material layer comprises: a step of forming source layer of inorganic material on a substrate; a step of patterning the source layer; and a step of annealing the source layer by laser to change into inorganic layer. The source layer contains inorganic material precursor, solubilizing agent, and solvent. The substrate is a glass substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种形成无机层的方法，以在短时间内在低温下进行附加工艺（退火）并节省制备成本。 构成：形成无机材料层的方法包括：在基材上形成无机材料源层的步骤; 图案化源层的步骤; 以及通过激光将源层退火以变成无机层的步骤。 源层含有无机材料前体，增溶剂和溶剂。 基板是玻璃基板。
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公开(公告)号：KR1020180015851A
公开(公告)日：2018-02-14
申请号：KR1020160099366
申请日：2016-08-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/87 , H01L29/66 , H01L27/092 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/87 , H01L27/0921 , H01L29/42308 , H01L29/66363 , H01L2924/1301
Abstract: 본발명의사이리스터는이산화바나듐(vanadium dioxide)으로구성된채널(channel); 상기채널의일단에연결된캐소드(cathode); 상기채널의타단에연결된애노드(anode); 상기채널과물리적으로이격된게이트(gate); 및상기채널과상기게이트사이에개재된유전체(dielectric)를포함한다.
Abstract translation: 本发明的晶闸管包括由二氧化钒构成的通道; 连接到通道一端的阴极; 连接到通道另一端的阳极; 与通道物理隔开的门; 介质介于通道和门之间。
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公开(公告)号：KR1020150111563A
公开(公告)日：2015-10-06
申请号：KR1020140034989
申请日：2014-03-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본발명은전자소자및 광소자에서채널물질로사용되는 VO박막의활용에있어요구되는고품질의 VO박막합성및 제조방법에관한것으로, RF 스퍼터링방법을이용하여박막을합성하고, 기판으로 III-V족에피택셜웨이퍼 (GaN)를사용한다. 본발명의합성법에따르면, GaN은사파이어와격자구조가유사해고품질의 VO박막이합성되고, 도핑을통해전도도제어가가능하다는장점이있어 VO박막기반전자소자의전극으로의활용이가능하며및 GaN이가지고있는광소자로서의활용에이점을가지고있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于合成和制备可用作光学装置或电子装置中的通道材料的高品质VO_2薄膜的方法。 使用射频（RF）溅射法合成薄膜。 III-V族中的外延晶片（GaN）用作衬底。 根据本发明，合成方法使用具有类似于蓝宝石的栅格结构的GaN，以便合成高质量的VO_2薄膜。 VO_2薄膜还可以通过掺杂来控制电导率，并且可以在基于VO_2薄膜的电子器件的电极中或在包括GaN的光学器件中使用。
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公开(公告)号：KR1020070072269A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050136331
申请日：2005-12-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 강대준
CPC classification number: C12M21/18 , B82Y40/00 , G01N2035/00158
Abstract: A three-dimensional micro/nano-structure is provided to be able to increase the sensitivity of a biochip without non-specific absorption by having an active enzyme, thereby increasing the reliability of a bio-sensor. The three-dimensional nano-structure includes a functional enzyme which is controllably prepared by layer-by-layer assembling of surface templates patterned by using the micro-contact printing manner. The method comprises the steps of: (a) printing an SAM strip as a resistant coating agent on a substrate having a cold surface; (b) filling an un-stamped area with an SAM which is made of biotin-terminated thiol; (c) assembling avidin on the biotinylated SAM area; and (d) binding a biotin-HRP to the avidin, wherein the steps (c) and (d) are repeated.
Abstract translation: 提供了三维微/纳米结构，以便能够通过具有活性酶来提高生物芯片的灵敏度，而无需非特异性吸收，从而提高生物传感器的可靠性。 三维纳米结构包括通过使用微接触印刷方式图案化的表面模板的层叠组装可控地制备的功能性酶。 该方法包括以下步骤：（a）在具有冷表面的基底上印刷作为抗性涂层剂的SAM条; （b）用生物素终止的硫醇制成的SAM填充未加盖的区域; （c）在生物素化的SAM区域上组装抗生物素蛋白; 和（d）将生物素-HRP与抗生物素蛋白结合，其中重复步骤（c）和（d）。
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公开(公告)号：KR100663714B1
公开(公告)日：2007-01-03
申请号：KR1020050133293
申请日：2005-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A preparation method of ITO(indium tin oxide) synthesis composition is provided to apply the composition to ITO synthesis and ITO patterning processes and to derive formation of nano-scale structure through the ITO patterning and use of electron beam by using indium tert-butoxide and tin tert-butoxide as a precursor of the composition. The composition is produced by the steps of: forming first solution by mixing indium tert-butoxide, 1-benzoylacetone and methanol; forming second solution by mixing tin tert-butoxide, 1-benzolacetone and methanol; and blending the first solution and the second solution together. The first solution is obtained by admixing indium tert-butoxide and 1-benzoylacetone in 1:1 ratio, then adding methanol to the admixture. The second solution is obtained by admixing tin tert-butoxide and 1-benzoylacetone in 1:1 ration, then adding methanol to the admixture. All of the steps are conducted in a glove box with relative moisture of less than 5%.
Abstract translation: 提供ITO（铟锡氧化物）合成组合物的制备方法以将组合物应用于ITO合成和ITO图案化工艺，并通过ITO图案化和使用电子束通过使用叔丁醇铟形成纳米级结构 叔丁醇锡作为组合物的前体。 通过以下步骤制备组合物：通过混合叔丁醇铟，1-苯甲酰丙酮和甲醇形成第一溶液; 通过混合叔丁醇锡，1-苯并丙酮和甲醇形成第二溶液; 并将第一溶液和第二溶液混合在一起。 第一溶液通过以1:1的比例混合叔丁醇铟和1-苯甲酰丙酮，然后向混合物中加入甲醇而获得。 第二溶液通过以1:1配比混合叔丁醇锡和1-苯甲酰丙酮，然后向混合物中加入甲醇而获得。 所有步骤都在相对湿度小于5％的手套箱中进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101870860B1
公开(公告)日：2018-06-27
申请号：KR1020160099366
申请日：2016-08-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/87 , H01L29/66 , H01L27/092 , H01L29/423
Abstract: 본발명의사이리스터는이산화바나듐(vanadium dioxide)으로구성된채널(channel); 상기채널의일단에연결된캐소드(cathode); 상기채널의타단에연결된애노드(anode); 상기채널과물리적으로이격된게이트(gate); 및상기채널과상기게이트사이에개재된유전체(dielectric)를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020090088625A
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：KR1020080014018
申请日：2008-02-15
Applicant: 삼성에스디아이 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Inventor： 강대준
CPC classification number: H01B1/08 , H01M4/0404 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/366 , H01M4/483 , H01M4/485
Abstract: A negative electrode active material is provided to improve high efficient discharge capability of a battery and to obtain the increase of flat-band voltage zone, the decrease of over potential and the increase of battery capacity. A negative electrode active material comprises a titanium-based oxide core and titanium oxynitride formed on at least a part of the core surface. The titanium-based oxide core is coated by a coating layer consisting of titanium oxynitride. The titanium oxynitride is one or more oxides selected from group consisting of TiO2 and Li4+xTi5O12(-0.3
Abstract translation: 提供负极活性材料以提高电池的高效放电能力，并获得平带电压带的增加，过电位的降低和电池容量的增加。 负极活性物质包含形成在芯表面的至少一部分上的钛基氧化物核和氧氮化钛。 钛基氧化物芯被由氮氧化钛组成的涂层涂覆。 氮氧化钛是选自TiO 2和Li 4+ x Ti 5 O 12（-0.3
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公开(公告)号：KR100748355B1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：KR1020050133290
申请日：2005-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명에 따른, 재료 합성 및 연속 도핑을 수행하기 위한 이중영역 열 화학 기상 증착 장치는 기판 상에 원하는 재료층을 합성하기 위한 제 1 반응로; 도핑 공정을 수행하기 위한 제 2 반응로; 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로로부터 폐쇄 또는 개방시키기 위한 게이트 밸브를 포함하며 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 연결시키는 연결부; 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 중 적어도 하나에 반응 가스를 공급하기 위한 반응 가스 공급부; 및 상기 제 2 반응로에 도핑 가스를 공급하기 위한 도핑 가스 공급부; 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부; 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 상승시키기 위한 제 1 가열 수단 및 상기 제 1 반응로 내의 온도를 제어하기 위한 제 1 온도 제어부를 포함하며, 상기 게이트 밸브는, 상기 제 1 반응로에서의 재료 합성 및 상기 제 2 반응로에서의 도핑 중에는 상기 제 1 반응로와 상기 제 2 반응로를 서로 폐쇄시키며 상기 기판을 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로 사이에서 이동시키는 경우에는 상기 제 1 반응로 및 상기 제 2 반응로를 서로 개방시킨다.
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公开(公告)号：KR1020070070591A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050133290
申请日：2005-12-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: A dual zone thermal chemical vapor deposition apparatus capable of doping the synthesized nano-materials without exposing the nano-materials to the air after synthesizing nano-materials, and a method for thermal chemical vapor deposition of wanted materials, particularly nano-materials, and in situ doping of the synthesized nano-materials without exposing the nano-materials to the outside by using the apparatus are provided. A dual zone thermal chemical vapor deposition apparatus(1) for performing synthesis and in situ doping of materials comprises: a first reactor(2) for synthesizing a material layer on a substrate; a second reactor(3) for conducting a doping process; a connecting part(4) which includes a gate valve(5) for opening or closing the first and second reactors and connects the first and second reactors; a reaction gas supply part(7) for supplying a reaction gas into at least one of the first and second reactors; a doping gas supply part(8) for supplying a doping gas into the second reactor; a first heating means(10), and a first temperature control part(9); and a second heating means(12), and a second temperature control part(11), wherein the gate valve is closed during a material synthesizing process in the first reactor and a doping process in the second reactor such that the first and second reactors are cut off from each other, and the gate valve is opened such that the first and second reactors are connected to each other when the substrate is moved between the first and second reactors.
Abstract translation: 一种双区热化学气相沉积装置，其能够在合成纳米材料之后掺杂合成的纳米材料而不将纳米材料暴露于空气，以及用于所需材料，特别是纳米材料的热化学气相沉积的方法，以及 提供了通过使用该装置不将纳米材料暴露于外部的合成纳米材料的原位掺杂。 一种用于进行材料合成和原位掺杂的双区热化学气相沉积装置（1）包括：用于在衬底上合成材料层的第一反应器（2） 用于进行掺杂过程的第二反应器（3）; 连接部分（4），其包括用于打开或关闭第一和第二反应器并连接第一和第二反应器的闸阀（5） 用于将反应气体供应到第一和第二反应器中的至少一个的反应气体供应部分（7） 用于向第二反应器供应掺杂气体的掺杂气体供应部分（8）; 第一加热装置（10）和第一温度控制部分（9）; 和第二加热装置（12）和第二温度控制部分（11），其中在第一反应器中的材料合成过程期间关闭闸阀，并且在第二反应器中进行掺杂过程，使得第一和第二反应器 彼此切断，并且打开闸阀，使得当基板在第一和第二反应器之间移动时，第一和第二反应器彼此连接。
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公开(公告)号：KR100878980B1
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：KR1020050136330
申请日：2005-12-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 강대준
Abstract: 본 발명은 신규한 FRET (fluorescence resonance energy transfer) 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 FRET 시스템은 공여체로서 QD (quantum dot) 및 수용체로서 염료-표지된 DNA로 구성되어 있다. 본 발명의 공여체와 수용체는 티올 링커로 직접 커플링되어 있다. 이러한 직접적인 커플링은 공여체-수용체 거리를 감소시킴으로써 고도로 향상된 FRET 효율을 유도하게 된다. 본 발명에 따르면, 2의 낮은 수용체-대-공여체 비에서 고도로 효율적인 FRET (~88%)이 단일-분자 수준에서 달성되었다.
FRET, QD, DNA, 컨쥬게이트
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