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1.发明专利
公开(公告)号：KR20210029995A
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：KR1020190111369A
申请日：2019-09-09
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H04W36/0069 , H04W76/15 , H04W36/0058 , H04W36/00837 , H04W36/0085 , H04W48/18 , H04W76/16 , H04W8/245 , H04W48/16 , H04W60/04 , H04W88/06
Abstract: 다양한 실시예에 따른 전자 장치는, 제 1 네트워크 통신 및 제 2 네트워크 통신을 지원하는 적어도 하나의 커뮤니케이션 프로세서, 및 상기 전자 장치가 지원하는 상기 제 1 네트워크 통신에 대응하는 복수 개의 밴드들 중 상기 제 1 네트워크 통신 및 상기 제 2 네트워크 통신의 듀얼 커넥티비티를 지원하는 적어도 하나의 제 1 밴드에 대한 정보를 저장하는 메모리를 포함하고, 상기 적어도 하나의 커뮤니케이션 프로세서는, 상기 제 1 네트워크 통신을 지원하는 제 1 셀에 캠프-온하고, 상기 제 1 셀에 캠프 온한 이후 아이들(idle) 상태에서, 상기 복수 개의 밴드들 중 상기 적어도 하나의 제 1 밴드의 적어도 일부에 대한 측정을 수행하고, 상기 적어도 하나의 제 1 밴드의 상기 적어도 일부에 대한 측정 결과에 기반하여, 셀 재선택(reselection)을 수행하도록 설정될 수 있다. 상기 복수 개의 밴드들 중, 상기 적어도 하나의 제 1 밴드를 제외한 나머지 밴드에 대하여서는 탐색이 수행되지 않을 수 있다. 그 밖의 다양한 실시예가 가능하다.
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公开(公告)号：KR101636911B1
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020090039886
申请日：2009-05-07
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G03F7/004
Abstract: 무기물층의형성방법에관해개시되어있다. 개시된무기물층의형성방법은무기물의소오스층을레이저로어닐링하여무기물층으로변화시키는단계를포함할수 있다. 상기소오스층은반고체(semisolid) 상태일수 있다. 상기어닐링전, 예컨대, 전기유체역학적리소그래피(electrohydrodynamic lithography)(EHL) 법으로상기소오스층을패터닝할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020140075971A
公开(公告)日：2014-06-20
申请号：KR1020120143824
申请日：2012-12-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B01J35/004 , B01J21/18 , B01J23/52 , B01J35/0013 , B01J35/0033 , B01J35/006 , H01L31/028 , Y02E10/547
Abstract: Disclosed graphene-nanoparticle structure includes a substrate; a graphene layer disposed on the substrate; and a nanoparticle layer disposed on the graphene layer. The graphene-nanoparticle structure may be formed by alternately stacking the graphene layer and the nanoparticle layer. The graphene-nanoparticle structure may play a role of a complex functional layer performing various functions according to the number of stacking and the selection of materials of the nanoparticles.
Abstract translation: 公开的石墨烯 - 纳米颗粒结构包括基材; 设置在基板上的石墨烯层; 以及设置在石墨烯层上的纳米颗粒层。 可以通过交替堆叠石墨烯层和纳米颗粒层来形成石墨烯纳米颗粒结构。 石墨烯纳米颗粒结构可以起到复合功能层的作用，根据层叠数量和纳米颗粒材料的选择来执行各种功能。
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公开(公告)号：KR1020140027602A
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020120083517
申请日：2012-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01G11/36 , B82Y99/00 , H01G11/26 , H01G11/28 , H01G11/40 , Y02E60/13 , Y02T10/7022
Abstract: The disclosed electrode structure includes: a fabric conductive substrate; a first layer which is formed on the fabric conductive substrate and is composed of a plurality of one dimensional nanostructures; and a second layer which is formed on the first layer and is made of graphene materials. The first layer and the second layer are alternately stacked on the fabric conductive substrate one or more times. The disclosed electrode structure is used as a porous electrode for an energy storage device.
Abstract translation: 所公开的电极结构包括：织物导电基底; 第一层，其形成在所述织物导电基底上，并且由多个一维纳米结构构成; 以及形成在第一层上并由石墨烯材料制成的第二层。 第一层和第二层交替地层叠在织物导电基板上一次或多次。 所公开的电极结构用作能量存储装置的多孔电极。
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公开(公告)号：KR1020090108853A
公开(公告)日：2009-10-19
申请号：KR1020080034165
申请日：2008-04-14
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: G03F7/0002 , B81C1/00031 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0042 , Y10T428/24322 , Y10T428/24479 , Y10T428/24942 , B82B3/00 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0047
Abstract: PURPOSE: A composition for forming inorganic pattern is provided to form inorganic pattern of nano or micro scale with low cost. CONSTITUTION: A composition for forming inorganic pattern comprises inorganic precursor, stabilizing agent, and solvent. The stabilizing agent is one or more selected from β-diketone and β-keto ester. A method for producing reaction mixture solution (20) of inorganic precursor, stabilizing agent of inorganic precursor and solvent comprises: a step of patterning mixture solution by electrohydrodynamic lithography and a step of evaporating solvent to obtain inorganic pattern.
Abstract translation: 目的：提供用于形成无机图案的组合物以低成本形成纳米或微尺度的无机图案。 构成：用于形成无机图案的组合物包括无机前体，稳定剂和溶剂。 稳定剂是选自β-二酮和β-酮酯中的一种或多种。 制备无机前体，无机前体和溶剂的稳定剂的反应混合物溶液（20）的方法包括：通过电动动力学光刻将混合溶液图案化的步骤和蒸发溶剂以获得无机图案的步骤。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020130064484A
公开(公告)日：2013-06-18
申请号：KR1020110131118
申请日：2011-12-08
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B19/004 , B01J23/52 , C01P2004/16
Abstract: PURPOSE: A TeO2 nanowire forming method is provided to control the diameter and speed of growth to gain regular TeO2 nanowire with a small diameter. CONSTITUTION: A TeO2 nanowire forming method comprises the following steps. In a chamber(100) for growth, gold(Au) coated plate(110) and a tellurium(Te) source are arranged but they are not connected. The inside of the chamber is heated at a temperature over 330°C and below 400°C to grow TeO2 nanowire(150) on the plate. The distance from the plate to the tellurium is 1-10mm. The tellurium source is powder type and is prepared on a plate(120).
Abstract translation: 目的：提供TeO2纳米线形成方法来控制生长的直径和速度，以获得具有小直径的规则TeO 2纳米线。 构成：TeO2纳米线形成方法包括以下步骤。 在用于生长的室（100）中，布置金（Au）涂覆板（110）和碲（Te）源，但是它们不连接。 将室内加热至330℃以上且低于400℃，以在板上生长TeO 2纳米线（150）。 从板到碲的距离为1-10mm。 碲源是粉末类型，并在板（120）上制备。
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公开(公告)号：KR1020160004643A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020140083235
申请日：2014-07-03
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01G9/03
Abstract: 징크옥사이드마이크로와이어의제조방법이개시된다. 개시된제조방법은챔버내에기판, 비소포함고체촉매, 및 ZnO 소스를배치하는단계와, 상기챔버의일측으로부터캐리어개스를상기챔버로공급하면서상기고체촉매를기화시켜서상기기판상으로상기비소를포함하는산화물로이루어진중간층을형성하는단계와, 상기중간층의비소를상기 ZnO 소스의 Zn으로치환하여상기기판상에 ZnO 시드층을형성하는단계와상기시드층으로부터징크옥사이드마이크로와이어를성장시키는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种氧化锌微丝的制造方法。 所公开的制造方法包括：在室内放置基板，含有砷的固体催化剂和ZnO源的工序; 通过在将所述载体气体从所述室的一侧供应到所述室的同时使所述固体催化剂气化，同时在所述基板上形成包括含有所述砷的氧化物的中间层的步骤; 通过用ZnO源的Zn代替中间层的砷，在衬底上形成ZnO种子层的步骤; 以及从种子层生长氧化锌微丝的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140080204A
公开(公告)日：2014-06-30
申请号：KR1020120149751
申请日：2012-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: C01G23/047 , B01J2/00 , B01J6/00
Abstract: The present invention provides a method for manufacturing doped mesoporous titanium dioxide (TiO_2) microsphere particles that can mass-produce mesoporous titanium dioxide (TiO_2) microsphere particles effectively doped with a metallic or non-metallic material. According to the manufacturing method, Ti precursor-based mesoporous microsphere particles, which have the size of the pores expanded, are impregnated with a solution containing a doping material precursor, so that the doping material precursor can be easily filled into the expanded pores of the Ti precursor-based mesoporous microsphere particles even if the molecular size of the doping material precursor such as zinc acetate is relatively large.
Abstract translation: 本发明提供了可以大量生产有效掺杂金属或非金属材料的介孔二氧化钛（TiO_2）微球颗粒的掺杂介孔二氧化钛（TiO_2）微球颗粒的制造方法。 根据制造方法，将具有膨胀孔的尺寸的Ti前体基介孔微球颗粒用含有掺杂材料前体的溶液浸渍，使得掺杂材料前体可以容易地填充到 即使掺杂材料前体如乙酸锌的分子尺寸相对较大，Ti前体基介孔微球颗粒也是如此。
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公开(公告)号：KR1020130056016A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：KR1020110121734
申请日：2011-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a sodium vanadate nanowire is provided to simply manufacture a sodium vanadate nanowire in high quality single crystal by controlling the spreading thickness of a precursor solution, heat treatment temperature, and/or time. CONSTITUTION: A manufacturing method of a sodium vanadate nanowire comprises: a step of spreading a solution(20) containing sodium and vanadium on a substrate(30); a step of forming a sodium vanadate crystal core by heat-treating the substrate; and a step of heat-treating the substrate to grow the sodium vanadate nanowire from the sodium vanadate core. The solution contains 1-6 mols of vanadium per 1 mol of sodium. The substrate is an electric conductive substrate or electric nonconductive substrate. The spreading thickness of the solution is 10-1,000nm. The first heat treatment is conducted at 70-130 deg. C and the second heat treatment is conducted at 300-600 deg. C.
Abstract translation: 目的：提供钒酸钠纳米线的制造方法，通过控制前体溶液的铺展厚度，热处理温度和/或时间简单地制造高品质单晶的钒酸钠纳米线。 构成：钒酸钠纳米线的制造方法包括：将含有钠和钒的溶液（20）撒在基材（30）上的步骤; 通过对基材进行热处理形成钒酸钠晶体核心的步骤; 以及对底物进行热处理以从钒酸钠核心生长钒酸钠纳米线的步骤。 该溶液每1mol钠含有1-6摩尔的钒。 衬底是导电衬底或电非导电衬底。 溶液的铺展厚度为10-1000nm。 第一次热处理在70-130度进行。 并且第二热处理在300-600度进行。 C。
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