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公开(公告)号：KR101906968B1
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：KR1020120157337
申请日：2012-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 인셀 방식의 터치스크린 장치 및 상기 터치스크린 장치의 구동 방법이 개시된다. 개시된 터치스크린 장치는, 영상을 표시하기 위한 다수의 화소들이 배열되어 있는 다수의 화소행; 인접한 두 화소행 사이에 배열된 것으로, 물리적 접촉을 감지하기 위한 터치센싱부와 입사광을 감지하기 위한 광센싱부; 상기 광센싱부를 활성화시키고 상기 터치센싱부를 리셋시키기 위한 게이트 신호를 제공하도록 상기 광센싱부 및 터치센싱부와 연결된 제 1 센서 게이트 라인; 상기 터치센싱부를 활성화시키고 상기 광센싱부를 리셋시키기 위한 게이트 신호를 제공하도록 상기 광센싱부 및 터치센싱부와 연결된 제 2 센서 게이트 라인; 및 상기 화소들이 활성화된 동안 상기 화소들에 공통 전압을 제공하고, 상기 광센싱부 또는 상기 터치센싱부가 활성화된 동안 상기 화소들에 공통 전압을 제공하지 않도록 구성된 리셋 회로;를 포함할 수 있다.
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公开(公告)号：KR101912714B1
公开(公告)日：2018-10-29
申请号：KR1020170127835
申请日：2017-09-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 광센싱소자로서산화물반도체트랜지스터를이용한광터치스크린장치및 상기광터치스크린장치의구동방법을개시한다. 개시된광터치스크린장치는입사광을감지하는다수의광센싱화소, 각각의광센싱화소에게이트전압및 리셋신호를순차적으로제공하기위한게이트구동부, 및각각의광센싱화소로부터광센싱신호를받아데이터신호를출력하기위한신호출력부를포함할수 있다. 또한, 게이트구동부는행 방향을따라배열된다수의게이트라인과적어도하나의리셋라인을포함할수 있다. 여기서, 각각의게이트라인은동일한행을따라배열되어있는광센싱화소들에연결될수 있으며, 적어도하나의리셋라인은광터치스크린장치내의복수개의광센싱화소들에전기적으로연결될수 있다.
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公开(公告)号：KR101906974B1
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：KR1020110038442
申请日：2011-04-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/14
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/1446 , H01L27/14603 , H01L27/14623
Abstract: 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터가각각동일한구조의산화물반도체트랜지스터로이루어지는광센싱장치및 상기광센싱장치의동작신뢰성을향상시킬수 있는구동방법이개시된다. 개시된광센싱장치에따르면, 광센싱화소내의광센서트랜지스터와스위치트랜지스터는하나의기판위에서동일한구조로인접하여형성되며, 스위치트랜지스터에광이입사하는것을방지하기위하여스위치트랜지스터의광입사면에는광차폐막이더 배치된다. 또한, 개시된광센싱장치의구동방법에따르면, 시간의흐름에따른스위치트랜지스터의문턱전압시프트를방지하기위하여, 광차폐막에는음(-)의바이어스전압이인가된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101906971B1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：KR1020120108264
申请日：2012-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F3/0421 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G06F3/044 , G06F2203/04106
Abstract: 본발명의실시예에따른터치패널은, 제1 게이트라인의활성화에응답하여제1 터치변화값에대응되는센싱전류를센싱라인으로출력하고상기제1 게이트라인의비활성화및 제2 게이트라인의활성화에응답하여리셋되는제1 서브센싱부, 및제3 게이트라인의활성화에응답하여상기제1 터치변화값과유형이상이한제2 터치변화값에대응되는센싱전류를상기센싱라인으로출력하고상기제3 게이트라인의비활성화및 제4 게이트라인의활성화에응답하여리셋되는제2 서브센싱부를포함하는센싱부; 및상기제1 게이트라인내지상기제4 게이트라인중 대응되는게이트라인의활성화에응답하여, 디스플레이하고자하는이미지데이터에대응되는이미지전압을생성하는디스플레이부를구비하여, 상기이미지전압또는공통전압이인가되는제1 전극과제2 전극의전압차이로액정을구동한다.
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公开(公告)号：KR101705251B1
公开(公告)日：2017-02-10
申请号：KR1020100030510
申请日：2010-04-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H01L31/0264 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14645 , H01L31/0264
Abstract: 광민감성소자로서광민감성산화물반도체트랜지스터를사용한이미지센서및 상기이미지센서에서입사광의 RGB 값을구하는이미지센서의동작방법을개시한다. 개시된이미지센서에따르면, 하나의광센싱층을갖는하나의단일한셀이입사광의 RGB 성분을모두검출할수 있는하나의단위화소의역할을할 수있다. 따라서, 단위화소의크기를소형화할수 있으며, 별도의컬러필터를필요로하지않기때문에, 이미지센서의제조공정을단순화하고제조비용을저감시킬수 있다.
Abstract translation: 提供了使用感光氧化物半导体材料作为感光装置的图像传感器和操作用于获取图像传感器中的入射光的RGB值的图像传感器的方法，该图像传感器包括多个光的阵列 其中每个感光单元包括形成氧化物半导体晶体管的沟道区的光敏氧化物半导体层。 光敏氧化物半导体层的电子特性根据照射在光敏氧化物半导体层上的光量而变化。 每个感光单元构成单个单色彩像素。
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公开(公告)号：KR101631652B1
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：KR1020090132825
申请日：2009-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14647 , H01L27/14603 , H01L27/14621 , H01L29/41733
Abstract: 다수의광민감성투명산화물반도체를적층한이미지센서를개시한다. 개시된이미지센서는하나의단위화소영역내에서다수의광센서를적층시킨구조를가질수 있다.
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公开(公告)号：KR101608886B1
公开(公告)日：2016-04-05
申请号：KR1020090131840
申请日：2009-12-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 비휘발성메모리소자에대해개시된다. 개시된비휘발성메모리소자는, 액티브영역을 n형또는 p형물질중 어느하나인제 1형물질로형성하고, 소스영역을액티브영역과다른제 2형물질로형성함으로써메모리소자구동시의전기적특성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101547325B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020080105474
申请日：2008-10-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 트랜지스터 및 이를 포함하는 반도체 소자에 관해 개시되어 있다. 개시된 트랜지스터는 채널층에 접촉된 문턱전압 조절층을 포함할 수 있다. 상기 문턱전압 조절층은 상기 채널층과 일함수가 다른 층일 수 있고, 상기 채널층은 상기 문턱전압 조절층과 게이트절연층 사이에 구비될 수 있다. 상기 채널층은 산화물층일 수 있고, 상기 문턱전압 조절층은 금속 및 반도체 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
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