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公开(公告)号：KR1020150135804A
公开(公告)日：2015-12-04
申请号：KR1020140062767
申请日：2014-05-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/768 , H01L21/31
CPC classification number: H01L45/1293 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/1675 , H01L27/11507 , H01L27/11512
Abstract: 가변저항메모리장치는제1 방향으로연장하는제1 도전라인들및 제2 방향으로연장하는제2 도전라인들의교차부들에각각배치되며가변저항소자를포함하는복수개의메모리셀들, 메모리셀들사이에서제1 방향으로연장되는복수개의제1 절연막패턴들, 메모리셀들사이에서제2 방향으로연장되는복수개의제2 절연막패턴들, 제1 절연막패턴들사이에서제2 방향으로메모리셀들과이격되고제1 방향으로연장되는복수개의제1 열장벽막패턴들및 제 2 절연막패턴들사이에서제1 방향으로메모리셀들과이격되고제2 방향으로연장되는복수개의제2 열장벽막패턴들을포함한다.
Abstract translation: 可变电阻存储器件包括：多个存储单元，其分别布置在第一方向上延伸的第一导线的相交部分和沿第二方向延伸的第二导线，并且包括可变电阻器件; 多个第一绝缘图案，其在所述存储单元之间沿所述第一方向延伸; 多个第二绝缘图案，其在所述存储单元之间沿所述第二方向延伸; 多个第一列阻挡层图案，其在所述绝缘层图案之间沿所述第二方向与所述存储单元分离，并且沿所述第一方向延伸; 以及多个第二列势垒层图案，其在绝缘层图案之间沿第二方向与存储单元分离，并且沿第二方向延伸。
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12.发明公开상변화 물질층과 그 제조방법과 이 방법으로 형성된 상변화물질층을 포함하는 상변화 메모리 소자와 그 제조 및 동작방법 有权相变材料层及其制造方法和包括使用其形成的相变材料层的相变存储器件以及制造和操作相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR1020080068282A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070005816
申请日：2007-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: C23C14/0623 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/143
Abstract: A phase change material layer, a method for manufacturing the same, a phase change memory device formed by the method, and a method for manufacturing the same, and an operation method thereof are provided to prevent interference between unit cells of PRAM by increasing a crystallization temperature. A method for forming a phase change material layer includes: preparing a co-sputtering target having first and second targets in a reaction chamber for a sputtering type phase change material deposition; loading a substrate on which the phase change material layer will be formed in the reaction chamber; and applying first and second RF powers to the first and second targets, respectively. The first target is a Ge-Sb-Te system target. The second target is any one of an In-Sb-Te system target, an In-Sb system target, and an In target. The first and second RF powers have different intensities. The phase change material layer is an IGST layer, a indium content(a) is 15%
Abstract translation: 提供相变材料层，其制造方法，通过该方法形成的相变存储器件及其制造方法及其操作方法，以通过增加结晶来防止PRAM的单元电池之间的干扰 温度。 形成相变材料层的方法包括：在用于溅射型相变材料沉积的反应室中制备具有第一和第二靶的共溅射靶; 加载其上将在反应室中形成相变材料层的基板; 以及分别将第一和第二RF功率应用于所述第一和第二目标。 第一个目标是Ge-Sb-Te系统目标。 第二个目标是In-Sb-Te系统目标，In-Sb系统目标和In目标中的任何一个。 第一和第二RF功率具有不同的强度。 相变材料层是IGST层，铟含量（a）为15％<= a <= 20％。
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公开(公告)号：KR1020080033815A
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：KR1020060100009
申请日：2006-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616
Abstract: A method of manufacturing a phase change memory device comprising a surface treatment process of a phase change layer is provided to form the phase change layer with a uniform thickness by attaching a source material of a phase change matter having an alkyl group when forming the phase change layer through the atomic layer deposition method. Before forming the phase change material layer, a coating layer is formed on the surface of a lower layer(62) on which a phase change material layer is to be formed. The coating layer has a chemical composition which facilitates adhesion of a radical of an alkyl group on the lower layer easily. After forming the coating layer, the phase change material layer is formed thereon by using the ALD(Atomic layer Deposition) method. The coating layer is formed by using a dip coating method or a spin coating method.
Abstract translation: 提供一种制造包括相变层的表面处理工艺的相变存储器件的方法，以在形成相变时通过连接具有烷基的相变物质的源材料来形成具有均匀厚度的相变层 层通过原子层沉积法。 在形成相变材料层之前，在要形成相变材料层的下层（62）的表面上形成涂层。 涂层具有易于在下层上粘合烷基基团的化学组成。 在形成涂层之后，通过使用ALD（原子层沉积）方法在其上形成相变材料层。 涂层通过浸涂法或旋涂法形成。
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公开(公告)号：KR102225782B1
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：KR1020140095716
申请日：2014-07-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L43/08 , H01L27/115 , H01L21/8247
Abstract: 가변저항메모리장치는제1 방향으로각각연장되는복수개의제1 도전구조물들, 제1 도전구조물들상부에배치되며제1 방향과교차하는제2 방향으로각각연장되는복수개의제2 도전구조물들, 및각각이제1 도전구조물들과제2 도전구조물들의교차부들에배치되어순차적으로적층된선택소자및 가변저항소자를포함하는복수개의메모리셀들을포함하며, 각제1 도전구조물의상면은이에접촉하는각 선택소자의저면보다상기제2 방향으로작은폭을갖는다.
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公开(公告)号：KR1020160020890A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：KR1020140106222
申请日：2014-08-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1675 , H01L27/11514 , H01L27/11507 , H01L27/11509
Abstract: 저항변화메모리소자는제1 방향을따라일렬로배치되고각각메모리층과상부전극층을포함하는복수의메모리셀 필라와, 복수의메모리셀 필라에연결되도록상기제1 방향을따라연장되고, 상부전극층을통해메모리층에연결되는복수의접속용돌출부와, 복수의접속용돌출부에의해한정되는복수의포켓부가상기제1 방향을따라 1 개씩교대로배치된요철형표면을가지는상부도전라인과, 복수의메모리셀 필라각각의사이에서메모리층의측벽및 상부전극층의측벽에의해한정되는복수의절연공간으로부터복수의포켓부내부까지연장되어있는복수의절연필라를포함한다.
Abstract translation: 一种电阻式随机存取存储器件包括沿第一方向排成一行的多个存储单元柱，并且分别包括存储层和上电极层; 上导电线，其沿第一方向延伸以连接到存储单元柱，并且具有不平坦表面，其中多个用于连接的突起部分通过上电极层连接到存储层，以及多个 由连接用突起部限制的口袋部分一个接一个地沿第一方向排列; 以及多个绝缘柱，其从由存储层的侧壁限制的多个绝缘空间和存储单元填充物之间的上电极层的侧壁延伸并且朝向袋部的内部延伸。
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Patent Agency Ranking16.发明授权상변화 물질층과 그 제조방법과 이 방법으로 형성된 상변화물질층을 포함하는 상변화 메모리 소자와 그 제조 및 동작방법 有权相变材料层及其制造方法和相变存储器件，其包括使用其形成的相变材料层和制造和操作相变存储器件的方法
公开(公告)号：KR101177284B1
公开(公告)日：2012-08-24
申请号：KR1020070005816
申请日：2007-01-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: C23C14/0623 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625
Abstract: 상변화 물질층과 그 제조방법과 이 방법으로 형성된 상변화 물질층을 포함하는 상변화 메모리 소자와 그 제조 및 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 인듐(In)을 포함하는 4성분 화합물층이고, 인듐 함량(a)이 15%≤a≤20%인 것을 특징으로 하는 상변화 물질층을 제공한다. 상기 상변화 물질층은 In
a Ge
b Sb
c Te
d 층일 수 있다. 이때, b는 10%≤b≤15%, c는 20%≤c≤25%, d는 40%≤d≤55%일 수 있다.-
公开(公告)号：KR101169395B1
公开(公告)日：2012-07-30
申请号：KR1020060100009
申请日：2006-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L45/1683 , G11C13/0004 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1616
Abstract: 상변화층의 표면처리공정을 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 여기서 본 발명은 상변화층의 표면처리공정을 포함하는 상변화 메모스토리지 노드에 상변화층을 포함하는 상변화 메모리 소자의 제조 방법에 있어서, 상기 상변화층을 형성하기 전에 상기 상변화층이 형성될 하부막의 표면에 코팅막을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 코팅막은 상기 하부막의 표면에 알킬계 라디칼의 부착을 용이하게 하는 화학구조를 갖는 것을 특징으로 하는 상변화 메모리 소자의 제조방법을 제공한다. 상기 코팅막을 형성한 후, 상기 상변화층은 원자층 적층 방법을 이용하여 형성한다.
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公开(公告)号：KR1020090068816A
公开(公告)日：2009-06-29
申请号：KR1020070136584
申请日：2007-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L45/148 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1625 , C23C16/305
Abstract: A phase change memory device employing a phase change material layer is provided to show faster phase change rate than the phase change material layer as well as excellent retention properties. A phase change memory device employing a phase change material layer comprises a chalcogen material and an element of Group III~V. The chalcogen material represents O(oxygen), S(sulfue), Se(seleium), Te(tellurium) or Po(polonium). The element of Group III is B, Al, In or Ga. The element of Group V is Sb or Bi. The phase change material layer includes TexInySbz(x+y+z=1). The crystalline temperature of the phase change material layer is 200-300°C.
Abstract translation: 提供了采用相变材料层的相变存储器件，以显示比相变材料层更快的相变速率以及优异的保持性能。 采用相变材料层的相变存储器件包括硫族元素材料和III〜V族元素。 硫族元素代表O（氧），S（亚硫酸），Se（seleium），Te（碲）或Po（pol）。 III族元素为B，Al，In或Ga，V族元素为Sb或Bi。 相变材料层包括TexInySbz（x + y + z = 1）。 相变材料层的结晶温度为200-300℃。
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公开(公告)号：KR1020150144995A
公开(公告)日：2015-12-29
申请号：KR1020140074167
申请日：2014-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/224 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/148 , H01L45/16 , H01L45/1683
Abstract: 반도체다이오드는제1 불순물을포함하는제1 반도체패턴, 제1 반도체패턴상에형성된제1 확산배리어패턴, 제1 확산배리어패턴상에형성된진성반도체패턴, 진성반도체패턴상에형성된제2 확산배리어패턴및 제2 확산배리어패턴상에형성된제2 불순물을포함하는제2 반도체패턴을포함한다. 확산배리어패턴들에의해불순물들의확산, 혼입을방지할수 있다.
Abstract translation: 半导体二极管包括：第一半导体图案，其包括第一杂质; 形成在第一半导体图案上的第一扩散阻挡图案; 形成在第一扩散阻挡图案上的本征半导体图案; 形成在本征半导体图案上的第二扩散阻挡图案; 以及第二半导体图案，其包括形成在第二扩散阻挡图案上的第二杂质。 可以通过扩散阻挡图案来防止杂质的扩散和掺杂。
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公开(公告)号：KR1020150054406A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：KR1020130136809
申请日：2013-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L27/249 , H01L45/04 , H01L45/085 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/142 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L27/11585
Abstract: 반도체소자및 그제조방법에서, 반도체소자는기판상에형성되는제1 전극을포함한다. 상기제1 전극상에는, 제1 폭을갖는선택소자패턴이구비된다. 상기선택소자패턴상에는상기제1 폭보다좁은제2 폭을갖는저항변화막패턴이구비된다. 상기저항변화막패턴의서로마주하는한 쌍의제1 측벽에는제1 보호막패턴이구비된다. 상기저항변화막패턴의서로마주하는다른한 쌍의제2 측벽에는제2 보호막패턴이구비된다. 또한, 상기저항변화막패턴상에는제2 전극이구비된다. 상기반도체소자는저항변화막패턴의측벽데미지가감소되어우수한특성을가질수 있다.
Abstract translation: 在半导体器件和制造方法中，半导体器件包括形成在衬底上的第一电极。 在第一电极上形成具有第一宽度的选择元件图案。 在选择元件图案上形成具有比第一宽度窄的第二宽度的电阻变化膜图案。 第一保护膜图案形成在彼此面对的电阻变化膜图案的一对第一侧壁上。 第二保护膜图案形成在彼此面对的电阻变化膜图案的一对第二侧壁上。 此外，在电阻变化膜图案上形成第二电极。 半导体器件具有优异的特性，因为电阻变化膜图案的侧壁损坏减小。
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