公开(公告)号：KR100688532B1

公开(公告)日：2007-03-02

申请号：KR1020050012037

申请日：2005-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  강윤호

IPC: C07C395/00

CPC classification number: C23C16/305 ,  C07F7/10 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 본 발명은 텔루르(Te), 질소 및 실리콘을 함유한 저온 증착용 텔루르 전구체, 이를 이용하여 제조된 질소 및 실리콘으로 도핑된 Te-함유 칼코게나이드(chalcogenide) 박막, 상기 박막의 제조 방법 및 상변화 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명을 따르는 저온 증착용 텔루르 전구체는 질소 및 실리콘으로 도핑된 Te-함유 칼코게나이드(chalcogenide) 박막 형성시 저온 증착이 가능하다는 장점을 갖는다. 특히, 상기 저온 증착용 텔루르 전구체는 저온 증착 온도 하에서의 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 PEALD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용할 수 있다. 상기 저온 증착용 텔루르 전구체를 이용하여 형성된 질소 및 실리콘으로 도핑된 GST 상변화 막은 감소된 리셋 전류를 가지는 바, 이를 구비한 메모리 소자는 집적화가 가능해지고, 고용량 및 고속 작동이 가능하다.
텔루르 전구체

公开(公告)号：KR100682946B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050046127

申请日：2005-05-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동석 ,  박용영 ,  박태상 ,  강윤호

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/143 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 상전이 램(PRAM) 및 그 동작 방법에 관해 개시되어 있다. 여기서, 본 발명은 스위칭 소자에 연결된 하부전극, 상기 하부전극 상에 형성된 하부전극 콘택층, 상기 하부전극 콘택층 상에 구비되고, 밑면의 일부 영역이 상기 하부전극 콘택층의 상부면과 접촉된 상전이층 및 상기 상전이층 상에 형성된 상부전극을 포함하되, 상기 하부전극 콘택층은 씨백 계수가 -11~-3000(㎶/K)이고, 열전도도가 0.0001-0.29(W/cm.K)이며, 전기 저항이 1-10(mOhm.cm)인 물질층인 것을 특징으로 하는 PRAM과 그 동작 방법을 제공한다.

公开(公告)号：KR100682937B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050013143

申请日：2005-02-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동석 ,  강윤호 ,  바실리레니아신 ,  송미정 ,  안토노브세르게이

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/16

Abstract: 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 제1전극 상에 형성된 유전층; 상기 유전층에 형성된 콘택홀에 형성된 도전성 콘택; 상기 유전층 상에서 상기 콘택을 덮는 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극; 및 상기 제1전극에 전기적으로 연결되는 트랜지스터;를 구비한다. 상기 도전성 콘택의 폭은 30 nm 이하로 형성된다.

公开(公告)号：KR1020060092551A

公开(公告)日：2006-08-23

申请号：KR1020050013531

申请日：2005-02-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동석 ,  강윤호 ,  노진서 ,  바실리레니아신 ,  송미정

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/124 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1691 ,  Y10S977/754

Abstract: 상전이 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 상전이 메모리 소자는, 기판에 형성된 트랜지스터; 상기 기판 상에서 상기 트랜지스터에 전기적으로 연결된 제1전극; 상기 제1전극 상에 수직으로 형성된 상전이 물질막; 상기 상전이 물질막 상에 형성된 제2전극;을 구비한다. 상기 상전이 물질막 및 상기 제2전극 사이의 콘택영역의 일 폭은 30 nm 이하로 형성된다.

Abstract translation: 公开了一种相变存储元件及其制造方法。 公开的相变存储元件包括：形成在衬底上的晶体管; 电连接到衬底上的晶体管的第一电极; 垂直形成在第一电极上的相变材料层; 并且在相变材料膜上形成第二电极。 并且相变材料膜和第二电极之间的接触区域的宽度为30nm或更小。

公开(公告)号：KR1020060091650A

公开(公告)日：2006-08-21

申请号：KR1020050012915

申请日：2005-02-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  이은혜 ,  이명재 ,  서순애 ,  안승언

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L21/28282 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0416 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/66825

Abstract: 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 소오스 및 드레인 영역과 채널영역이 마련된 반도체 기판, 상기 채널영역 위에 형성된 터널링 산화막, 상기 터널링 산화막 위에 전이금속 산화물로 형성된 플로우팅 게이트, 상기 플로우팅 게이트 위에 형성된 블로킹 산화막 및 상기 블로킹 산화막 위에 형성된 게이트전극을 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법이 제공된다.

公开(公告)号：KR1020060091160A

公开(公告)日：2006-08-18

申请号：KR1020050012037

申请日：2005-02-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정현 ,  강윤호

IPC: C07C395/00

CPC classification number: C23C16/305 ,  C07F7/10 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

Abstract: 본 발명은 텔루르(Te), 질소 및 실리콘을 함유한 저온 증착용 텔루르 전구체, 이를 이용하여 제조된 질소 및 실리콘으로 도핑된 Te-함유 칼코게나이드(chalcogenide) 박막, 상기 박막의 제조 방법 및 상변화 메모리 소자에 관한 것이다. 본 발명을 따르는 저온 증착용 텔루르 전구체는 질소 및 실리콘으로 도핑된 Te-함유 칼코게나이드(chalcogenide) 박막 형성시 저온 증착이 가능하다는 장점을 갖는다. 특히, 상기 저온 증착용 텔루르 전구체는 저온 증착 온도 하에서의 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 또는 PEALD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)를 이용할 수 있다. 상기 저온 증착용 텔루르 전구체를 이용하여 형성된 질소 및 실리콘으로 도핑된 GST 상변화 막은 감소된 리셋 전류를 가지는 바, 이를 구비한 메모리 소자는 집적화가 가능해지고, 고용량 및 고속 작동이 가능하다.
텔루르 전구체

公开(公告)号：KR1020060082510A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：KR1020050002889

申请日：2005-01-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서동석 ,  강윤호 ,  이상목 ,  노진서

IPC: G11C13/02 ,  H01L27/10 ,  B82Y30/00

CPC classification number: G11C13/0004 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/79 ,  G11C13/004

Abstract: Provided is a method of operating a phase change random access memory comprising a switching device and a storage node comprising a phase change layer. The method includes applying a reset current passing through the phase change layer from a lower portion of the phase change layer toward an upper portion of the phase change layer and being smaller than 1.6 mA to the storage node to change a portion of the phase change layer into an amorphous state. The set voltage is in an opposite direction is exemplary embodiments, and a connector is of small cross-sectional area.

公开(公告)号：KR1020060065807A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：KR1020040104222

申请日：2004-12-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강윤호 ,  김병주 ,  김장섭 ,  권성규

IPC: C09D11/30 ,  G03F7/004 ,  G02B5/20

CPC classification number: C09D11/30 ,  C09D11/322 ,  C09D11/36 ,  C09D11/38 ,  G02B5/201

Abstract: 컬러필터용 잉크 조성물은 안료 분산체 100 중량부, 상기 안료 분산체 100 중량부에 대하여 각각, 측쇄에 히드록시기를 갖는 열경화성 수지 7 내지 65 중량부, 열 개시제 0.015 내지 1.5 중량부, 플루오르기를 갖는 에폭시계 모노머 0.8 내지 15 중량부 및 용제 15 내지 165 중량부를 포함한다. 상기 잉크 조성물을 이용하여 제조되는 컬러필터 기판은 기판, 상기 기판 상에 형성되고, 상기 기판을 투과한 광을 차단하고 화소 공간을 형성하는 차광층 및 상기 화소 공간 내에 형성되어 상기 광에 응답하여 고유의 색을 발현하는 색 화소층을 포함한다. 상기 색 화소층은 측쇄에 히드록시기를 갖는 열경화성 수지와 플루오르기를 갖는 에폭시계 모노머가 가교 반응하여 형성된 가교 결합체를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020060054598A

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：KR1020040093203

申请日：2004-11-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김장섭 ,  김병주 ,  강윤호 ,  권성규

IPC: G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/133516 ,  B41J2/15 ,  G02B5/223 ,  G02F1/1303

Abstract: 제조원가를 감소시킬 수 있는 컬러필터 형성장치 및 방법이 개시된다. 컬러필터 형성장치는 제1 분사유닛 및 제2 분사유닛을 포함한다. 제1 분사유닛은 제1 분사량에 상응하는 제1 내지 제3 색화소 형성을 위한 컬러 잉크를 기판 상에 분사한다. 제2 분사유닛은 제2 분사량에 상응하는 제4 내지 제6 색화소 형성을 위한 컬러 잉크를 기판 상에 분사한다. 따라서, 제1 내지 제6 색화소 형성을 위한 컬러 잉크를 잉크젯 분사하여 제1 내지 제6 색화소를 갖는 컬러필터를 인쇄방식에 의해 형성하므로, 제조 공정수가 줄어들어 제조원가를 감소시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060021749A

公开(公告)日：2006-03-08

申请号：KR1020040070619

申请日：2004-09-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이주현 ,  강윤호

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B01J19/088 ,  B01J2219/0894 ,  B22F9/14 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32339 ,  H01J37/32706

Abstract: 레이저 어블레이션 장치 및 이를 이용한 나노입자의 제조방법이 개시된다. 본 발명에 따르면, 내부에 방전공간을 마련하는 반응챔버, 상기 반응챔버의 내부에 위치하는 것으로 타겟이 장착되는 서셉터, 레이저빔으로 상기 타겟을 스퍼터링하여 상기 방전공간 내에 양전하와 음전하를 포함하는 플라즈마 방전을 일으키는 레이저 발생부 및 상기 플라즈마 방전에 노출되는 소정위치에 양의 바이어스 전압을 인가하여 상기 플라즈마 방전으로부터 상기 소정위치로 상기 음전하를 끌어당기는 고전압 발생부를 구비하는 레이저 어블레이션 장치 및 이를 이용한 나노입자의 제조방법이 제공된다.