公开(公告)号：KR100821348B1

公开(公告)日：2008-04-11

申请号：KR1020070011636

申请日：2007-02-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  정주환 ,  홍승범 ,  박철민

IPC: G11B5/127

Abstract: A read/write head structure of an information storage device and a manufacturing method thereof are provided to form an external interconnection pad easily by installing a metal pad electrically connected to a read/write head. A method for manufacturing a read/write head structure of an information storage device comprises the steps of: patterning an etching mask on a silicon wafer; slantly etching the silicon wafer in the sectional direction through dry or wet process using the patterned etching mask; removing the etching mask; forming a read/write head(13) on the upper part of the silicon wafer; forming a metal pad(15) electrically connected with the read/write head on a slant surface(14); and splitting the read/write head by cutting the slant surface of the silicon wafer.

Abstract translation: 提供信息存储装置的读/写头结构及其制造方法，通过安装与读/写头电连接的金属垫，容易地形成外部互连衬垫。 一种用于制造信息存储装置的读/写头结构的方法包括以下步骤：在硅晶片上图案化蚀刻掩模; 使用图案化的蚀刻掩模，通过干法或湿法在横截面方向上倾斜蚀刻硅晶片; 去除蚀刻掩模; 在所述硅晶片的上部形成读/写头（13）; 在倾斜表面（14）上形成与所述读/写头电连接的金属焊盘（15）; 以及通过切割硅晶片的倾斜表面来分割读/写头。

公开(公告)号：KR100682921B1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：KR1020050005535

申请日：2005-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철민 ,  정주환 ,  김준오 ,  홍승범

IPC: H01L21/66

Abstract: 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침이 개시된다. 개시된 수직 PN 접합구조의 압전저항센서를 구비한 반도체 탐침은, 기판의 일측에서 연장된 캔티레버의 자유단에 형성된 팁과, 상기 캔티레버의 일면 상에 형성되어서 상기 캔티레버의 수직변형에 따라 저항이 변하는 수직 PN접합구조의 압전저항센서를 구비한다. 상기 PN접합 압전저항센서는: 상기 캔티레버의 일면에서 상기 캔티레버의 길이방향으로 n형불순물로 도핑된 n형 영역과, 상기 n형 영역의 표면에서 p형 불순물로 도핑된 p형 영역으로 이루어진 PN 접합구조를 구비한다.

公开(公告)号：KR100519774B1

公开(公告)日：2005-10-07

申请号：KR1020030062376

申请日：2003-09-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  김성동 ,  정주환 ,  민동기 ,  박홍식 ,  백경록 ,  박철민 ,  김윤석

IPC: G11B9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/14 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B13/00 ,  G11B2005/0021

Abstract: 프로브 기술을 이용한 저장 기기의 데이터 기록방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 데이터 기록 방법은 데이터 읽기 및 쓰기에 사용되는 저항 탐침(resistive probe)과 상기 저항 탐침에 의해 데이터가 기록되는 강유전막 기록매체와 상기 강유전막 기록매체 밑면에 하부전극을 구비하는 메모리 소자의 데이터 기록방법에 있어서, 상기 저항 탐침과 상기 하부전극에 전압을 인가하여 상기 강유전막 기록매체의 데이터가 기록될 영역에 열과 전기장을 동시에 가하는 단계를 포함하되, 상기 저항 탐침에 크기가 다른 제1 및 제2 전압(V1, V2)을 인가하여 상기 저항 탐침의 상기 강유전막 기록매체에 근접한 부분에 소정의 전압(Vr)이 걸리게 하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1020020080921A

公开(公告)日：2002-10-26

申请号：KR1020010020787

申请日：2001-04-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철민

IPC: H01L21/265

Abstract: PURPOSE: A beam gate driving apparatus of semiconductor ion implantation equipment is provided to prevent phenomenon of short circuit between a beam gate and an aperture by locating a beam gate in parallel to an aperture. CONSTITUTION: A housing(26) is installed at a predetermined position separated from an ion beam tube for forming a path of ion beam. A cylinder is installed in the inside of the housing(26). The cylinder is selectively driven by a controller. A support bar(36) is installed at a cylinder shaft of the cylinder. A beam gate(38) is installed at an end portion of the support portion. An ion beam through-hole(32b) is formed in the beam gate(38). An aperture is formed at a front end portion of the ion beam tube. The beam gate(38) is used for opening or shutting the path of ion beam. A guide rail(42) is installed in parallel to the support bar(36). A slider(44) is installed on the guide rail(42). The beam gate(38) is connected with the slider(44) by a fixing member(46).

Abstract translation: 目的：提供半导体离子注入设备的光束栅极驱动装置，通过将光束门平行定位成孔径来防止光束门和孔之间的短路现象。 构成：将壳体（26）安装在与用于形成离子束路径的离子束管分离的预定位置处。 气缸安装在壳体（26）的内部。 气缸由控制器选择性地驱动。 支撑杆（36）安装在气缸的气缸轴上。 梁支架（38）安装在支撑部分的端部。 离子束通孔（32b）形成在光束门（38）中。 在离子束管的前端部形成有孔。 光束门（38）用于打开或关闭离子束的路径。 导轨（42）平行于支撑杆（36）安装。 滑块（44）安装在导轨（42）上。 光束门38通过固定部件46与滑块44连接。

公开(公告)号：KR101675130B1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：KR1020090082949

申请日：2009-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  연세대학교 산학협력단

Inventor： 이정엽 ,  박철민 ,  최승태 ,  이승완 ,  권종오 ,  정희준

IPC: G02B3/14 ,  G02B3/12

CPC classification number: G02B3/14 ,  C08G77/04 ,  C08G77/16

Abstract: 가변초점액체렌즈를개시한다. 액체렌즈는광학멤브레인과광학유체를포함한다. 광학멤브레인은투명한탄성중합체로형성되며, 광학유체는적어도광학멤브레인의렌즈면과접촉하도록소정의공간에채워져있다. 그리고광학멤브레인과광학유체는친수성과소수성또는친유성과소유성과같이서로반발력을일으키는물질로형성한다. 광학유체와광학멤브레인사이에반발력이작용하도록함으로써, 광학유체가광학멤브레인으로흡수되거나새어나오는현상을방지할수 있다.

公开(公告)号：KR100695139B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：KR1020050011410

申请日：2005-02-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  김은식 ,  김성동 ,  정주환 ,  박홍식 ,  박철민 ,  홍승범

IPC: H01L27/115

CPC classification number: G11B9/02 ,  G11C11/5657 ,  Y10S977/947

Abstract: 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법이 개시된다.
개시되는 본 발명에 따른 강유전체 기록 매체는 극성 반전(polarization reversal)이 이루어지는 소정의 강제 전압(coercive voltage)을 가지는 강유전체층(ferroelectric layer); 상기 강유전체층 위에 형성되는 것으로, 상기 강제 전압보다 낮은 전압인 제 1 전압에서 저항이 작아지고, 상기 강제 전압보다 높은 전압인 제 2 전압에서 저항이 커지는 비휘발성의 이방성 전도층(anisotropic conduction layer);을 구비하고, 상기 강유전체층의 분극 상태와 상기 이방성 전도층의 저항 상태의 조합에 의해 다중 비트의 정보를 저장하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 강유전체 기록 매체 및 그의 기록 방법에 의하면, 강유전체 기록 매체의 하나의 도메인에서도 다중 비트를 구현할 수 있다.

公开(公告)号：KR100590564B1

公开(公告)日：2006-06-19

申请号：KR1020040087040

申请日：2004-10-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고형수 ,  정주환 ,  홍승범 ,  박홍식 ,  박철민 ,  백경록

IPC: G11B9/02

CPC classification number: B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/1472

Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.

公开(公告)号：KR100580652B1

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：KR1020040068007

申请日：2004-08-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철민 ,  박홍식 ,  고형수 ,  홍승범

IPC: H01L21/66 ,  G01R1/073

CPC classification number: G01Q70/10 ,  G01Q70/16

Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은, 제1 및 제2마스크막을 기판의 상면에 사각형상으로 형성하고, 상기 기판의 상면을 1차적으로 식각한 다음, 상기 제1마스크막을 식각하여 팁 네크의 폭에 해당하는 제3마스크막을 형성한다. 상기 제3마스크막으로 상기 기판을 2차적으로 식각하여 팁 네크의 폭이 소정의 폭으로 되게 한다. 상기 제3마스크막을 제거한 후 상기 기판을 열처리하여 팁의 첨두부를 형성한다. 이에 따르면, 팁 네크의 폭이 일정해지고 따라서 팁의 높이가 일정한 반도체 탐침을 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060039109A

公开(公告)日：2006-05-08

申请号：KR1020040088163

申请日：2004-11-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 홍승범 ,  정주환 ,  고형수 ,  박홍식 ,  민동기 ,  김은식 ,  박철민 ,  김성동 ,  백경록

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/02 ,  G11C11/22 ,  H01L27/1159

Abstract: 탐침 어레이를 가지는 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 저항성 메모리 소자 제조 방법은, 제1기판 상에 바닥 전극 및 강유전층을 순차적으로 형성하고, 제2기판 상에 데이터 기록 및 재생을 위한 저항성 탐침들의 어레이를 형성하는 과정을 포함한다. 탐침의 팁 부분이 강유전층의 표면에 대향되게 제1기판을 제2기판에 폴리머층을 포함하는 결합층을 이용하여 웨이퍼 수준 결합(wafer level bonding)시키는 과정을 포함한다.
저항성 탐침, 유전 분극, 도메인, 도핑, 공핍층

公开(公告)号：KR1020050112304A

公开(公告)日：2005-11-30

申请号：KR1020040037345

申请日：2004-05-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박철민 ,  허진 ,  김철환 ,  오필용

IPC: H05K7/20

CPC classification number: H05K7/20172 ,  F04D29/668 ,  H05K7/20963

Abstract: 본 발명은 방열용 팬모터 조립체의 회전축가 각각 나란한 상태로 배열되는 가상의 제1축선군과, 팬모터 조립체의 회전축과 소정 각도 어긋나게 교차하도록 배열되는 가상의 제2축선군, 및 팬모터 조립체의 회전축과 직교하도록 배열되는 가상의 제3축선군에 각각 복수의 제1방진부재와 제2방진부재 및 제3방진부재를 동축상으로 개재되도록 배치한 개량구조에 의해 진동소음 억제효과를 더욱 향상시킬 수 있는 팬모터 조립체의 방진구조 및 방진방법을 제공한다.