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公开(公告)号：KR100590564B1
公开(公告)日：2006-06-19
申请号：KR1020040087040
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020060039109A
公开(公告)日：2006-05-08
申请号：KR1020040088163
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11C11/22 , H01L27/1159
Abstract: 탐침 어레이를 가지는 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 저항성 메모리 소자 제조 방법은, 제1기판 상에 바닥 전극 및 강유전층을 순차적으로 형성하고, 제2기판 상에 데이터 기록 및 재생을 위한 저항성 탐침들의 어레이를 형성하는 과정을 포함한다. 탐침의 팁 부분이 강유전층의 표면에 대향되게 제1기판을 제2기판에 폴리머층을 포함하는 결합층을 이용하여 웨이퍼 수준 결합(wafer level bonding)시키는 과정을 포함한다.
저항성 탐침, 유전 분극, 도메인, 도핑, 공핍층-
公开(公告)号：KR100552687B1
公开(公告)日：2006-02-20
申请号：KR1020030058286
申请日：2003-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02N1/06
CPC classification number: H02N1/008
Abstract: 본 발명은 대면적 스테이지를 구비한 2축 액츄에이터에 관하여 개시한다. 개시된 대면적 스테이지를 구비한 2축 액츄에이터는, 콤전극의 정전력으로 2축으로 구동되는 관성부의 상부에 연결되어서 2축방향으로 구동되는 스테이지를 구비한다. 이에 따르면, 구동장치 전면적에 대해 스테이지 면적(저장면적)이 최대가 되도록 효율적인 면적을 사용하는 구조를 구현할 수 있으므로 상기 스테이지의 정보저장용량을 현저하게 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100519774B1
公开(公告)日：2005-10-07
申请号：KR1020030062376
申请日：2003-09-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/149 , G11B13/00 , G11B2005/0021
Abstract: 프로브 기술을 이용한 저장 기기의 데이터 기록방법에 관해 개시되어 있다. 개시된 본 발명의 데이터 기록 방법은 데이터 읽기 및 쓰기에 사용되는 저항 탐침(resistive probe)과 상기 저항 탐침에 의해 데이터가 기록되는 강유전막 기록매체와 상기 강유전막 기록매체 밑면에 하부전극을 구비하는 메모리 소자의 데이터 기록방법에 있어서, 상기 저항 탐침과 상기 하부전극에 전압을 인가하여 상기 강유전막 기록매체의 데이터가 기록될 영역에 열과 전기장을 동시에 가하는 단계를 포함하되, 상기 저항 탐침에 크기가 다른 제1 및 제2 전압(V1, V2)을 인가하여 상기 저항 탐침의 상기 강유전막 기록매체에 근접한 부분에 소정의 전압(Vr)이 걸리게 하는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020050020872A
公开(公告)日：2005-03-04
申请号：KR1020030058286
申请日：2003-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02N1/06
CPC classification number: H02N1/008
Abstract: PURPOSE: A 2-axis actuator having large-area stage is provided to obtain a maximized stage area by disposing a stage over a driving unit such that the stage region and the driving unit region are formed independently from each other. CONSTITUTION: A 2-axis actuator comprises a substrate(11); a quadrilateral inertia portion spaced upward apart from the center of the substrate; a quadrilateral stage(50) connected to a upper part of the inertia portion; a plurality of driving frame portions including a plurality of driving frames arranged in parallel to sides of the inertia portion; a plurality of comb vertical direction deformable spring portions including springs(53,54) for vertically connecting each of the sides of the inertia portion and insides of driving frames corresponding to the sides of the inertia portion; a plurality of fixed frame portions including a plurality of fixed frames arranged alternately with the driving frames of the driving frame portions; driving comb electrodes arranged in each of the driving frames, and extended in the direction vertical to one side of the inertia portion; and fixed comb electrodes arranged in the fixed frames of the fixed frame portion, alternately with the driving comb electrodes; and a plurality of comb direction deformable spring portions arranged at one sides and the other sides of the driving frame portions. The comb direction deformable spring portions provide elastic restoring forces in the direction vertical to one side of the inertia portion.
Abstract translation: 目的：提供具有大面积级的2轴致动器，以通过在驱动单元上设置平台以使得台区域和驱动单元区域彼此独立地形成来获得最大化的台面区域。 构成：2轴致动器包括衬底（11）; 四边形惯性部分，其与衬底的中心向上隔开; 与所述惯性部的上部连接的四边形台（50） 多个驱动框架部分，其包括平行于所述惯性部分的侧面布置的多个驱动框架; 多个梳子垂直方向可变形弹簧部分，包括用于垂直地连接惯性部分的每个侧面的弹簧和与惯性部分的侧面对应的驱动框架的内部; 多个固定框架部分，包括与驱动框架部分的驱动框架交替布置的多个固定框架; 驱动梳电极，其布置在每个驱动框架中，并且在垂直于惯性部分的一侧的方向上延伸; 以及固定梳状电极，与固定框架部分的固定框架交替地与驱动梳状电极配置; 以及布置在所述驱动框架部分的一侧和另一侧的多个梳状可变形弹性部分。 梳方向可变形弹簧部分沿垂直于惯性部分一侧的方向提供弹性恢复力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100624434B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020040071221
申请日：2004-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 제조방법은 제1불순물을 도핑한 기판의 상면에 스트라이프형의 마스크막을 형성하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판의 영역에 제2불순물을 고농도로 도핑하여 제1 및 제2반도체 전극영역을 형성하는 단계와, 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 반도체 전극영역의 외곽에 상기 제2분순물이 저농도로 도핑된 저항영역을 형성하는 단계와, 상기 마스크막과 직교하는 방향으로 스트라이프 형상의 제1감광제를 형성하고, 식각공정을 수행하여 상기 마스크막을 사각형상으로 형성하는 단계와, 상기 제1감광제의 일부를 덮으며 캔티레버 영역을 한정하는 제2감광제를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제외한 영역을 식각하여 상기 캔티레버 영역을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제거하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판을 식각하여 반사각뿔 형상의 저항성 팁을 형성하는 단계를 구비한다.
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公开(公告)号：KR1020060037937A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087040
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR100612867B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020040088163
申请日：2004-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/02 , G11C11/22
Abstract: 탐침 어레이를 가지는 저항성 메모리 소자 및 그 제조 방법을 제시한다. 본 발명에 따른 저항성 메모리 소자 제조 방법은, 제1기판 상에 바닥 전극 및 강유전층을 순차적으로 형성하고, 제2기판 상에 데이터 기록 및 재생을 위한 저항성 탐침들의 어레이를 형성하는 과정을 포함한다. 탐침의 팁 부분이 강유전층의 표면에 대향되게 제1기판을 제2기판에 폴리머층을 포함하는 결합층을 이용하여 웨이퍼 수준 결합(wafer level bonding)시키는 과정을 포함한다.
저항성 탐침, 유전 분극, 도메인, 도핑, 공핍층-
公开(公告)号：KR1020060022411A
公开(公告)日：2006-03-10
申请号：KR1020040071221
申请日：2004-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: Provided are a semiconductor probe with a resistive tip, and a method of fabricating the semiconductor probe. The method includes forming a stripe-shaped mask layer on a substrate doped with a first impurity, and forming first and second electrode regions by heavily doping portions of the substrate not covered by the mask layer with a second impurity opposite in polarity to the first impurity; annealing the substrate to decrease a gap between the first and second semiconductor electrode regions, and forming resistive regions lightly doped with the second impurity at portions contiguous with the first and second semiconductor electrode regions; forming a stripe-shaped first photoresist orthogonal to the mask layer, and etching the mask layer such that the mask layer has a square shape; forming a second photoresist on the substrate to cover a portion of the first photoresist and define a cantilever region; forming the cantilever region by etching portions not covered by the first and second photoresists; and removing the first and second photoresists, and forming a resistive tip having a semi-quadrangular pyramidal shape by etching portions of the substrate not covered by the mask layer.
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公开(公告)号：KR100552686B1
公开(公告)日：2006-02-20
申请号：KR1020030058285
申请日：2003-08-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02N1/06
CPC classification number: H02N1/008 , H02K2201/18
Abstract: 본 발명은 대면적 스테이지를 구비한 2축 액츄에이터에 관하여 개시된다. 개시된 2축 액츄에이터는, 기판; 상기 기판 상에 고정된 대략 4각형상 변을 가지는 앵커부; 상기 앵커부 내의 양측에서 상기 기판으로부터 이격되어서 각각 서로 마주보는 제1방향으로 구동되는 제1구동부들; 상기 제1구동부들 사이에서 양측에서 서로 마주보는 방향으로 구동되는 제2구동부들; 상기 제2구동부들의 상부에 배치되어 상기 제2방향으로 구동되는 사각형상의 스테이지; 상기 스테이지 및 상기 앵커부로부터 소정거리 이격되며, 상기 각 제1구동부의 상부에서 그 양측에서 서로 마주보게 연장되어 하나의 몸체로 형성된 제3구동부; 상기 제1구동부가 상기 앵커부의 내면에 지지된 제1방향 변형 스프링부; 및 상기 제2구동부가 상기 제3구동부의 내면에 지지되도록 형성된 제2방향 변형 스프링부;를 구비한다. 이에 따르면, 스테이지를 구동부의 상부에 별도로 형성함으로써 구동장치 면적에 대해 스테이지 면적(저장면적)이 현저하게 증가되며, 또한 X 축 및 Y 축 이동시 축간 간섭이 없는 저장장치용 XY 스테이지 마이크로구동기가 된다.
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