公开(公告)号：KR1020000061462A

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019990010511

申请日：1999-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An apparatus for controlling pressure for manufacturing semiconductor device is provided to control vortex in an etch chamber and to impurity particles, by improving the structure of a pressure control valve. CONSTITUTION: An apparatus for controlling the pressure of a processor chamber(100) for manufacturing semiconductor device comprises a pump(210), a pumping line(220), a pressure control valve(230) and a motor(240). The pump pumps the processor chamber. The pumping line provides an air transfer path according to the pumping operation of the pump, of which one end is connected to the pump and the other end is connected the top surface of the processor chamber. And, the pressure control valve moves in the vertical direction to switch on/off the path between the processor chamber and the pumping line, of which the side surface is connected to the pump and the bottom end surface is connected to the top surface of the processor chamber. Finally, the motor enables the pressure control valve to move in the vertical direction.

Abstract translation: 目的：提供一种用于控制用于制造半导体器件的压力的装置，以通过改进压力控制阀的结构来控制蚀刻室和杂质颗粒中的涡流。 构造：用于控制用于制造半导体器件的处理器室（100）的压力的装置包括泵（210），泵送管线（220），压力控制阀（230）和电动机（240）。 泵泵送处理器室。 泵送线根据泵的泵送操作提供空气传送路径，其一端连接到泵，另一端连接在处理器室的顶表面上。 并且，压力控制阀在垂直方向上移动以打开/关闭处理器室和泵送管线之间的路径，其中侧表面连接到泵，并且底端表面连接到泵的顶表面 处理器室。 最后，马达使压力控制阀在垂直方向上移动。

公开(公告)号：KR102171258B1

公开(公告)日：2020-10-28

申请号：KR1020140061163

申请日：2014-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최윤정 ,  이동복 ,  임기빈 ,  황인석

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

公开(公告)号：KR1020140136143A

公开(公告)日：2014-11-28

申请号：KR1020130056248

申请日：2013-05-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김은중 ,  정규찬 ,  남신우 ,  이동복

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76838 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/10817

Abstract: 커패시터의 형성 방법에서, 기판 상에 기판 상면을 노출시키는 개구를 갖는 몰드막을 형성한다. 개구의 측벽, 노출된 기판 상면 및 몰드막 상에 하부 전극막을 형성한다. 몰드막 상의 하부 전극막 부분을 제거하여 예비 하부 전극을 형성한다. 예비 하부 전극 표면을 산화시켜 산화막을 형성하며, 이에 따라 산화막 하부의 예비 하부 전극 부분을 하부 전극으로 전환시킨다. 산화막을 제거한다. 하부 전극 상에 유전막 및 상부 전극을 순차적으로 형성한다.
실린더형 하부 전극을 형성할 때, 예비 하부 전극의 표면을 산화시키고 이를 제거함으로써 보다 얇은 두께의 하부 전극을 형성할 수 있으며, 이에 따라 큰 커패시턴스를 갖는 커패시터를 형성할 수 있다.

Abstract translation: 根据形成电容器的方法，在基板上形成具有露出基板上表面的开口部的模层。 下部电极形成在开口部分的侧壁，暴露的基板的上表面和模具上。 通过去除模具层的下电极部分形成初级下电极。 通过氧化预备下电极的表面形成氧化物层，从而将氧化物层的下部的预备下电极部分变成下电极。 去除氧化物层。 电介质层和上电极依次形成在下电极上。 当形成圆筒型下电极时，预备下电极的表面被氧化，然后被除去以形成较薄的下电极。 由此，可以形成具有大电容的电容器。

公开(公告)号：KR1020060089886A

公开(公告)日：2006-08-10

申请号：KR1020050009972

申请日：2005-02-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명은 반도체 식각장치에서 웨이퍼의 에지부분에 식각 시 잔류하는 막질이 남지않도록 식각할 수 있는 반도체 식각장치 및 그 정전척에 관한 것이다.
식각공정 진행 시 웨이퍼의 에지부분에 잔류된 막질이 남아있지 않도록 식각하여 불량발생을 방지하는 본 발명의 반도체 식각장치의 정전척은, 하우징 내부에 위치되어 웨이퍼를 고정하고, 상부전극부에 대향하는 고주파 파워가 인가되는 하부전극부를 갖으며, 상면 가장자리 부위가 상기 웨이퍼의 싸이즈보다 작고, 상기 상면으로부터 하측으로 소정 두께의 단차를 갖는 평탄한 면을 이루며, 상기 평탄한 면의 외주크기가 웨이퍼의 크기와 동일한 크기로 형성한다.
반도체 식각장치에서 정전척과 웨이퍼 간에 공극이 형성되도록 하여 플라즈마를 이용한 식각공정 시 웨이퍼의 에지부위에 식각이 이루어지도록 하여 잔류막질이 남지않도록 하면 후속공정에서 잔류막질이 들뜨는 현상으로 인하여 웨이퍼 표면에 전사되어 오염이 발생되는 것을 방지한다.
정전척, 에지식각불량, 웨이퍼 식각, 플라즈마식각

公开(公告)号：KR1020050026765A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：KR1020030062887

申请日：2003-09-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복

IPC: H01L21/18

Abstract: A pendulum valve assembly is provided to keep stably a vacuum condition in a process chamber and to prolong the lifetime by improving airtightness using an enhanced sealing structure. A pendulum valve assembly includes a housing connected through an exhaust line between a chamber and a vacuum pump, a breaker plate, a locking ring and a sealing structure. The breaker plate(18) is used for opening/closing one side of the exhaust line. The locking ring(20) is selectively attached to the breaker plate by using a cylinder(24). The sealing structure(30) is used for guiding the locking ring along a sidewall of the housing. At this time, an attachment state between the sidewall of the housing and the sealing structure is completely kept by at least two portions of the sealing structure.

Abstract translation: 提供摆阀组件以在处理室中保持稳定的真空状态并且通过使用增强的密封结构改善气密性来延长使用寿命。 摆阀组件包括通过室和真空泵之间的排气管连接的壳体，断路器板，锁定环和密封结构。 断路器板（18）用于打开/关闭排气管线的一侧。 锁定环（20）通过使用气缸（24）选择性地附接到断路器板。 密封结构（30）用于沿着壳体的侧壁引导锁定环。 此时，壳体的侧壁与密封结构之间的连接状态通过密封结构的至少两个部分完全保持。

公开(公告)号：KR1020020009189A

公开(公告)日：2002-02-01

申请号：KR1020000042692

申请日：2000-07-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복

IPC: H01L21/18

Abstract: PURPOSE: A semiconductor fabricating apparatus using plasma is provided to control easily an impedance component by preventing an arching phenomenon generated from a variable portion of a matching unit. CONSTITUTION: An matching unit(18) is used for matching power provided to a process chamber by controlling an impedance component. Two coils(180a,180b) are installed in the matching portion(18). A variable portion(20) is installed in the matching portion(18) in order to generate an induced electromotive force by varying locations of the coils(180a,180b). The variable portion(20) has motors(200a,200b) and gears(202a,202b). The motors(200a,200b) are used for providing a varied force for varying the coils(180a,180b). The gears(202a,202b) are used for converting the varied force. The gears(202a,202b) are formed by an insulating material such as a polypropylene, a peek, an ardel, and a vespel.

Abstract translation: 目的：提供使用等离子体的半导体制造装置，通过防止从匹配单元的可变部分产生的拱起现象来容易地控制阻抗分量。 构成：匹配单元（18）用于通过控制阻抗分量来匹配提供给处理室的功率。 两个线圈（180a，180b）安装在匹配部分（18）中。 可变部分（20）安装在匹配部分（18）中，以通过改变线圈（180a，180b）的位置来产生感应电动势。 可变部分（20）具有电动机（200a，200b）和齿轮（202a，202b）。 电动机（200a，200b）用于提供用于改变线圈（180a，180b）的变化的力。 齿轮（202a，202b）用于转换变化的力。 齿轮（202a，202b）由绝缘材料形成，例如聚丙烯，窥视，拱形和手镯。

公开(公告)号：KR1020150134164A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：KR1020140061163

申请日：2014-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최윤정 ,  이동복 ,  임기빈 ,  황인석

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31

CPC classification number: H01L23/528 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10885 ,  H01L27/10891 ,  H01L27/115 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 본발명에따른반도체소자는복수의활성영역을가지는기판상에형성된복수의비선형비트라인과, 복수의활성영역을지나는복수의워드라인과, 복수의비선형비트라인의양쪽측벽을덮고, 복수의활성영역중 상호인접한두 개의활성영역을각각노출시키는복수의공간을한정하는일체형스페이서와, 복수의공간중 선택된하나의공간내에상호인접한두 개의활성영역에각각접하는두 개의도전패턴과, 두개의도전패턴사이에형성된콘택분리용절연막을포함하는것이다.

Abstract translation: 根据本发明的半导体器件包括形成在具有有源区的衬底上的非线性位线，具有有源区的字线，覆盖非线性位线的两侧的集成空间，并限制用于暴露两个有源区的空间 与有源区相邻的两个导电图案在两个空间中选择的空间中接触彼此相邻的两个有源区，以及形成在两个导电图案之间的用于接触分离的绝缘层。

公开(公告)号：KR100470999B1

公开(公告)日：2005-03-11

申请号：KR1020020071518

申请日：2002-11-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32458 ,  H01J37/321

Abstract: 본 발명은 유도결합 플라즈마 식각장치의 챔버구조에 관한 것으로, 유도 결합 플라즈마 식각장치의 챔버구조에 있어서: 식각공정이 수행되는 식각챔버와; 플라즈마가 생성되는 플라즈마 챔버와; 상기 식각챔버와 상기 플라즈마 챔버를 서로 이격하고, 상기 식각챔버와 대향하는 부분을 세라믹재질로 하고, 상기 플라즈마 챔버와 대향하는 부분을 석영 재질로 하는 격벽부;를 구비한다.

公开(公告)号：KR1020040084079A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：KR1020030018898

申请日：2003-03-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이동복

IPC: H03H7/38

CPC classification number: H03H7/38 ,  H01L21/02 ,  H03H7/40 ,  H05H1/46

Abstract: PURPOSE: An RF matching device and a matching method thereof are provided to enhance the productivity by setting automatically an initial impedance value on the basis of a matching impedance value of a total process. CONSTITUTION: A variable impedance unit(210) is connected between an output terminal of an RF generator and an input terminal of a chamber in order to vary an impedance value. A detection unit(230) detects an output signal of the RF generator and a reflective wave signal according to the output signal. An impedance setup unit(240) detects a matching impedance value for minimizing a generation ratio of the reflective signals from the detected signals of the detection unit. A variable impedance control unit(250) controls an operation of the variable impedance unit in order to vary the impedance value of the variable impedance unit.

Abstract translation: 目的：提供RF匹配装置及其匹配方法，以通过基于总过程的匹配阻抗值自动设置初始阻抗值来提高生产率。 构成：可变阻抗单元（210）连接在RF发生器的输出端子和室的输入端之间，以改变阻抗值。 检测单元（230）根据输出信号检测RF发生器的输出信号和反射波信号。 阻抗设置单元（240）检测匹配阻抗值，以使来自检测单元的检测信号的反射信号的产生比最小化。 可变阻抗控制单元（250）控制可变阻抗单元的操作，以便改变可变阻抗单元的阻抗值。

公开(公告)号：KR101843443B1

公开(公告)日：2018-05-15

申请号：KR1020110107064

申请日：2011-10-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  티오에스주식회사

Inventor： 전현수 ,  김용규 ,  박두병 ,  이동복 ,  김봉선 ,  이동윤 ,  정재홍 ,  나민재

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/32944 ,  H01J37/32972

Abstract: 본발명은생산성을증대또는극대화할수 있는플라즈마설비및 그의관리방법을개시한다. 그의설비는, 플라즈마반응을유도하는챔버와, 상기챔버내부의상기플라즈마반응으로부터스펙트럼신호를검출하는검출기와, 상기스펙트럼신호의진폭변화로부터플라즈마반응의아킹또는헌팅의발생을판별하는플라즈마모니터링모듈을포함한다.