公开(公告)号：KR102251775B1

公开(公告)日：2021-05-12

申请号：KR1020140091127

申请日：2014-07-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 곽찬 ,  최재영 ,  김광희 ,  노종욱 ,  박현철 ,  신원호 ,  우윤성 ,  이효석 ,  황진영

IPC: G06F3/041

Abstract: 제1 부도체막, 상기제1 부도체막위에형성되어있는제1 도전막, 상기제1 도전막위에형성되어있으며, 상기제1 도전막의적어도일부를덮고있는제2 부도체막, 상기제2 부도체막위에형성되어있는제2 도전막, 상기제2 도전막위에형성되어있는제3 부도체막을포함하고, 상기제1 도전막과상기제2 도전막중 적어도하나는 2차원도전소재를포함하는전극구조체.

公开(公告)号：KR102154733B1

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：KR1020130005120

申请日：2013-01-16

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  한국과학기술원

Inventor： 최충환 ,  노용만 ,  오도관 ,  김대회 ,  최재영 ,  한우섭

IPC: A61B6/03 ,  G06T7/00

公开(公告)号：KR102140147B1

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：KR1020130017654

申请日：2013-02-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍승현 ,  김원영 ,  백승현 ,  이상훈 ,  최재영

IPC: H01L35/22 ,  H01L35/12 ,  H01L35/34 ,  B32B9/00 ,  C01B32/182 ,  C01B32/19

公开(公告)号：KR102140146B1

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：KR1020130017653

申请日：2013-02-19

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 홍승현 ,  김원영 ,  백승현 ,  이상훈 ,  최재영

IPC: H01L35/22 ,  H01L35/12 ,  H01L35/34 ,  H01L29/16 ,  B32B9/00 ,  C01B32/182

公开(公告)号：KR101984694B1

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：KR1020120076281

申请日：2012-07-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 우윤성 ,  윤선미 ,  신현진 ,  이동욱 ,  최재영

IPC: C01B31/02 ,  C01B31/36 ,  B01J19/10

公开(公告)号：KR101917744B1

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：KR1020120038705

申请日：2012-04-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  페도로브블라디미르이.

IPC: C01B21/064 ,  H01L21/02

Abstract: 육방정계질화붕소시트및 그제조방법이제공되며, 이온성작용기를질화붕소에결합시킴으로써분산성및 안정성이우수한육방정계질화붕소시트를얻을수 있다.

公开(公告)号：KR101878740B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020120035595

申请日：2012-04-05

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  야오페이 ,  이영희 ,  페츌라귀네슈 ,  채승진

IPC: C23C28/00 ,  C23C16/44 ,  C01B31/02

Abstract: 금속부식방지시스템이제공된다. 금속층위에그래핀층을형성함으로써반응성이큰 금속이온에의한인터컬레이션을방지할수 있다.

公开(公告)号：KR101878735B1

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：KR1020110076143

申请日：2011-07-29

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  이영희 ,  한강희

IPC: C01B31/02 ,  C23C16/26 ,  H01B1/04 ,  H01L21/335

Abstract: 그래핀의제조방법이제공되며, 균일한두께를가지고정공이동도가우수한그래핀을제조하는방법및 상기방법에의해얻어지는그래핀이제공된다.

公开(公告)号：KR101878734B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020110061796

申请日：2011-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 신현진 ,  최재영 ,  안종렬 ,  서정탁

IPC: C01B31/02 ,  B32B18/00 ,  H01B1/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: B32B9/04 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02656 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/778 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/1884 ,  H01M4/96 ,  H01M8/0234 ,  H01M8/086 ,  H01M8/1007 ,  H01M8/1011 ,  H01M8/103 ,  H01M8/1041 ,  Y02E10/50 ,  Y02E60/523 ,  Y02P70/56

Abstract: 그래핀의직성장방법이제공되며, 상기직성장방법에따르면기판상에서그래핀을직접성장시킨후 그결정성을향상시킴으로써별도의전사공정이요구되지않아그래핀의손상을최소화시키는것이가능해진다.

公开(公告)号：KR101878732B1

公开(公告)日：2018-07-16

申请号：KR1020110061793

申请日：2011-06-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 우윤성 ,  최재영 ,  신현진 ,  윤선미

IPC: H01B5/14 ,  H01B1/04 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/778 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01G9/2031 ,  H01G9/2059 ,  H01L29/1606 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/542 ,  Y02E10/549

Abstract: 소수성인그래핀및 친수성인기판사이에이들중간정도의극성을갖는중간층을개재시켜이들의접착력을개선할수 있다. 그래핀과기판의접착력이개선됨으로써패터닝등의공정에서그래핀의이탈을억제하는것이가능해진다. 이와같은그래핀, 중간층, 기판을구비하는그래핀기재는트랜지스터나투명전극등에다양하게사용될수 있다.