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公开(公告)号：KR1020080012061A
公开(公告)日：2008-02-11
申请号：KR1020060073048
申请日：2006-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/349
CPC classification number: H04N1/3876 , G02B3/0056 , G02B5/201 , H01L27/14621 , H04N1/028 , H04N1/02805
Abstract: An image sensor for improving image quality and a method for sensing an image using the same are provided to change the position of a color filter by using the size of a conventionally used photoelectric semiconductor device and a color filter array, thereby improving the image quality of a sensed image without an increase of cost and the deterioration of sensing capabilities. An image sensor for improving image quality comprises a scanner unit(100), a color filter array(120) and a photoelectric semiconductor device(110). The scanner unit is movable on a plate. The color filter array is fixed on the scanner unit. The photoelectric semiconductor device has plural pixels arranged in the lower part of the color filter array. A microlens array(130) is additionally included in the image sensor. The microlens array is formed in the upper part of the color filter array corresponding to the pixels to concentrate light.
Abstract translation: 提供了一种用于提高图像质量的图像传感器和使用其的图像感测方法，以通过使用常规使用的光电半导体器件和滤色器阵列的尺寸来改变滤色器的位置，由此提高了图像质量 感测图像而不增加成本和感测能力的恶化。 用于提高图像质量的图像传感器包括扫描器单元（100），滤色器阵列（120）和光电半导体器件（110）。 扫描仪单元可在板上移动。 滤色器阵列固定在扫描仪单元上。 光电半导体器件具有布置在滤色器阵列的下部的多个像素。 图像传感器中另外包括微透镜阵列（130）。 微透镜阵列形成在与像素对应的滤色器阵列的上部以集中光。
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公开(公告)号：KR1020080004769A
公开(公告)日：2008-01-10
申请号：KR1020060063480
申请日：2006-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146 , H04N1/028
Abstract: An image sensor having improved resolution and a method for sensing an image using the same are provided to improve image resolution by detecting the image as moving a photoelectric conversion semiconductor device fixed on a scanner unit. A scanner unit(100) moves on the plane. A photoelectric conversion semiconductor device(110) is mounted and fixed on the scanner unit. The photoelectric conversion semiconductor device has plural pixels arranged on the whole surface thereof. A color filter array(120) is arranged on the photoelectric conversion semiconductor device by corresponding to the pixel. A micro lens array(130) is formed on an upper portion of the color filter array by corresponding to the pixel to condense light. The scanner unit moves in horizontal and vertical directions. The scanner unit moves by an interval less than a distance from the pixel.
Abstract translation: 提供了具有改进的分辨率的图像传感器和用于感测使用其的图像的方法，以通过检测图像来移动固定在扫描仪单元上的光电转换半导体器件来提高图像分辨率。 扫描仪单元（100）在平面上移动。 光电转换半导体器件（110）安装并固定在扫描器单元上。 光电转换半导体器件具有布置在其整个表面上的多个像素。 滤色器阵列（120）通过与像素对应地布置在光电转换半导体器件上。 微透镜阵列（130）通过与像素对应而形成在滤色器阵列的上部以使光缩小。 扫描仪单元在水平和垂直方向上移动。 扫描仪单元移动距离像素小于距离的间隔。
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公开(公告)号：KR1020070082192A
公开(公告)日：2007-08-21
申请号：KR1020060014696
申请日：2006-02-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02K41/02
CPC classification number: G11B9/1436 , G01Q10/04 , G01Q80/00
Abstract: An X-Y stage driving apparatus having a locking device and a storage system having the same are provided to store or record high density information by precisely controlling a position of an X-Y stage without displacement expect required direction. An X-Y stage driving apparatus having a locking device includes an X-Y stage(20), a supporting unit, a driving unit, a stiffener(40), and a locking device(50). The supporting unit elastically supports the X-Y stage(20), and has an elastic beam which supports a corner of the X-Y stage(20). The driving unit drives the X-Y stage(20) to a first direction and a second direction which is perpendicular to the first direction. The stiffener(40) stops a rotation of the X-Y stage(20). The locking device(50) fixes the stiffener(40) by an electrostatic force. The locking device(50) has a first anchor, a plurality of first comb electrodes, and a plurality of second comb electrodes. The first anchor is arranged to be opposite to a side plane of the stiffener(40). The plurality of first comb electrodes are formed on an opposite plane of the stiffener(40). The plurality of second comb electrodes are arranged alternatively with the first comb electrodes on the opposite plane of the stiffener(40).
Abstract translation: 提供具有锁定装置和具有该锁定装置的存储系统的X-Y平台驱动装置，以通过精确地控制X-Y平台的位置而不需要所期望的方向来存储或记录高密度信息。 具有锁定装置的X-Y平台驱动装置包括X-Y平台（20），支撑单元，驱动单元，加强件（40）和锁定装置（50）。 支撑单元弹性地支撑X-Y平台（20），并且具有支撑X-Y平台（20）的角部的弹性梁。 驱动单元将X-Y平台（20）驱动到与第一方向垂直的第一方向和第二方向。 加强件（40）停止X-Y平台（20）的旋转。 锁定装置（50）通过静电力固定加强件（40）。 锁定装置（50）具有第一锚定器，多个第一梳状电极和多个第二梳状电极。 第一锚定件布置成与加强件（40）的侧面相对。 多个第一梳状电极形成在加强件（40）的相对平面上。 多个第二梳状电极与第一梳状电极交替地布置在加强件（40）的相对平面上。
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公开(公告)号：KR100718140B1
公开(公告)日：2007-05-14
申请号：KR1020050108294
申请日：2005-11-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
Abstract: 반도체 탐침과 이를 이용한 기록재생방법이 개시된다. 개시된 반도체 탐침은 하부면에 전극층이 마련된 강유전성 매체에 정보를 기록 또는 기록된 정보를 재생하는 반도체 탐침으로서, 저항성 팁;과 매체와 대향하는 면에, 전극층과의 사이에 전압을 온, 오프 함으로써 매체와 팁 간의 접촉력을 조절하는 정전력 형성 전극부가 구비된 캔티레버;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 또 개시된 기록재생방법은 본 발명에 의한 반도체 탐침을 이용하는 기록재생방법으로서, 매체의 전극층과 반도체 탐침의 정전력 형성 전극부간에 전압을 인가하여 매체와 팁간의 접촉력에 정전력을 포함되게 하는 기록단계;와 전극층과 정전력 형성 전극부간에 전압을 인가하지 않아 매체와 팁간의 접촉력에 정전력이 포함되지 않게 하는 재생단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体探针和使用其的记录/再现方法。 所公开的半导体探针是用于再现被记录在所述电极层或记录上设置铁电体介质的信息到下表面，电阻性尖端的信息的半导体探针;可以通过和一个面在面对介质介质，在电极层之间的电压，该关 并且具有用于调节尖端和尖端之间的接触力的静电力产生电极部分的悬臂。 还公开了记录和再现使用半导体探针被包含在记录和再现方法之间的接触力的静电力方法记录步骤，将电压施加在静电电极形成根据本发明的介质层的一部分和所述半导体探针介质和尖端之间施加 ;不将电压施加在电极层和所述静电电极形成用于再生步骤不包括恒定功率到介质和尖端之间的接触力部之间施加; [0015]
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公开(公告)号：KR100624434B1
公开(公告)日：2006-09-19
申请号：KR1020040071221
申请日：2004-09-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G11B9/1409 , G01Q60/30 , Y10S977/875 , Y10S977/878 , Y10S977/879
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법이 개시된다. 개시된 제조방법은 제1불순물을 도핑한 기판의 상면에 스트라이프형의 마스크막을 형성하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판의 영역에 제2불순물을 고농도로 도핑하여 제1 및 제2반도체 전극영역을 형성하는 단계와, 상기 기판을 열처리하여 상기 제1 및 제2 반도체 전극영역의 외곽에 상기 제2분순물이 저농도로 도핑된 저항영역을 형성하는 단계와, 상기 마스크막과 직교하는 방향으로 스트라이프 형상의 제1감광제를 형성하고, 식각공정을 수행하여 상기 마스크막을 사각형상으로 형성하는 단계와, 상기 제1감광제의 일부를 덮으며 캔티레버 영역을 한정하는 제2감광제를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제외한 영역을 식각하여 상기 캔티레버 영역을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2감광제를 제거하고, 상기 마스크막을 제외한 상기 기판을 식각하여 반사각뿔 형상의 저항성 팁을 형성하는 단계를 구비한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100612884B1
公开(公告)日：2006-08-14
申请号：KR1020040117010
申请日：2004-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L27/105
Abstract: 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법이 개시되어 있다. 개시된 본 발명은 제1 배선 상에 적층되어 자기 분극 방향이 주어진 방향으로 고정된 하부 자성막과, 상기 하부 자성막 상에 적층된 비자성막과, 상기 비자성막 상에 적층되어 자기 분극 방향이 상기 하부 자성막의 자기 분극 방향과 동일하거나 반대인 상부 자성막과, 상기 상부 자성막 상에 형성된 제2 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 자기 논리 소자와 그 제조 및 동작 방법을 제공한다. 상기 제1 배선의 일단과 상기 제2 배선의 일단사이에 제1 전류원이 구비되고, 상기 제1 배선의 타단과 상기 제2 배선의 타단사이에 제2 전류원이 구비될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060037937A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087040
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/02
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/02 , G11B9/1409 , G11B9/1472
Abstract: 이방성 전도층을 구비하는 강유전체 기록 매체, 그것이 구비되는 기록 장치 및 그 기록 방법이 개시된다.
강유전체 기록 매체는 강유전체 기록층과 상기 강유전체 기록층을 덮는 보호층을 구비하는 것으로서, 상기 강유전체 기록층은 극성 반전(polarization reversal)되는 강유전성 물질(ferroelectric material)로 형성되고, 상기 보호층은 외부 에너지에 의해 도체, 부도체로 전이되는 전기적 이방성 전도층(anisotropic conduction layer)인 것을 특징으로 한다.
개시된 강유전체 기록 매체에 의하면, 헤드 팁과 강유전체 기록층 사이에 작은 전압을 인가하면서 읽기/쓰기 작업을 수행할 수 있고, 강유전체 기록층이 긁히거나 헤드 팁이 손상/파손되는 것을 방지할 수 있는 장점이 있다.-
公开(公告)号：KR1020060019365A
公开(公告)日：2006-03-03
申请号：KR1020040068007
申请日：2004-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법이 개시된다. 개시된 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침의 제조방법은, 제1 및 제2마스크막을 기판의 상면에 사각형상으로 형성하고, 상기 기판의 상면을 1차적으로 식각한 다음, 상기 제1마스크막을 식각하여 팁 네크의 폭에 해당하는 제3마스크막을 형성한다. 상기 제3마스크막으로 상기 기판을 2차적으로 식각하여 팁 네크의 폭이 소정의 폭으로 되게 한다. 상기 제3마스크막을 제거한 후 상기 기판을 열처리하여 팁의 첨두부를 형성한다. 이에 따르면, 팁 네크의 폭이 일정해지고 따라서 팁의 높이가 일정한 반도체 탐침을 제조할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050070949A
公开(公告)日：2005-07-07
申请号：KR1020030101578
申请日：2003-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B5/62
CPC classification number: G11B5/66 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/746 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B9/04 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1472 , G11B2005/0002 , G11B2005/0005 , G11C11/15 , Y10T428/12465
Abstract: 정보저장매체 및 이를 적용한 장치에 관해 개시된다. 개시된 매체는: 기판과; 기판 상에 형성되는 하부 자성층과; 상기 자성층 상에 형성되는 것을 공공부를 가지는 알루미나층과, 상기 알루미나층의 공공부에 형성되는 것으로 상기 하부 자성층에 접촉되는 자성물질층을 포함하는 상부 자성층;을 구비한다. 본 발명은 MR 효과를 이용함에 있어서, 기판의 전면에 하부 자성층을 형성하고, 이 위의 알루미나에 형성된 공공부에 상부자성물질을 채워넣음으로써 매우 작은 크기의 물질접촉이 발생시킨다. 이러한 상하 자성물질의 미소한 접촉은 전자가 이 부분에서 산란이 없이 통과하는 영역을 형성하게 되어 수 100% 이상의 극히 큰 저항 차이를 나타내 보이게 된다.
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20.发明公开
公开(公告)号：KR1020040004832A
公开(公告)日：2004-01-16
申请号：KR1020020038881
申请日：2002-07-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11B9/12
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B9/08 , G11B9/14 , G11B9/1409 , G11B9/1472 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11B13/06
Abstract: PURPOSE: An HD information storing medium is provided to easily emit photo electrons by forming protrusions of several nm in a desired pattern and store information in the high density by stacking a dielectric layer for storing the photo electrons on a top surface. CONSTITUTION: An HD information storing medium includes a lower electrode(11), an insulating layer(13) stacked on the lower electrode, a photo electron emitting layer(15) stacked on the insulating layer and arranged with a plurality of protrusions(19), and a dielectric layer(17) stacked on the photo electron emitting layer. The lower electrode and the photo electron emitting layer are formed of metal, wherein the photo electron emitting layer is formed of a metal having a low work function such as aluminium. The photo electron emitting layer emits the photo electrons as a predetermined electric charge is applied to the layer, and the emitted photo electrons are stored to the dielectric layer. The dielectric layer is formed of Al2O3 or Si3N4 for trapping the photo electrons in structural defect portions, thereby preventing the emitting of the photo electrons into the atmosphere.
Abstract translation: 目的：提供HD信息存储介质，通过以期望的图案形成几nm的突起，容易地发射光电子，并且通过在顶表面堆叠用于存储光电子的介电层，以高密度存储信息。 构成：HD信息存储介质包括下电极（11），层叠在下电极上的绝缘层（13），层叠在绝缘层上并配置有多个突起（19）的光电子发射层（15） ，以及层叠在光电子发射层上的电介质层（17）。 下电极和光电子发射层由金属形成，其中光电子发射层由具有低功函数的金属形成，例如铝。 当向该层施加预定的电荷时，光电子发射层发射光电子，并且所发射的光电子被存储到电介质层。 电介质层由Al 2 O 3或Si 3 N 4形成，用于捕获结构缺陷部分中的光电子，从而防止光电子发射到大气中。
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