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公开(公告)号：KR102000196B1
公开(公告)日：2019-07-15
申请号：KR1020180034608
申请日：2018-03-26
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01M4/58 , H01M4/36 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/054 , C01B25/08 , C01B32/05
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公开(公告)号：KR1020150088089A
公开(公告)日：2015-07-31
申请号：KR1020140008481
申请日：2014-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G06F12/0238 , G06F3/06 , G06F17/30156 , G06F17/30191 , G06F17/3033
Abstract: 본발명의일 실시예에따른저장장치는복수의참조데이터들을저장하는불휘발성메모리장치, 상기불휘발성메모리장치에저장된복수의참조데이터들각각의복수의참조해시키들을관리하는해시관리테이블을저장하는메모리, 쓰기요청된데이터에기반하여복수의해시키들을생성하는해시키 생성기, 상기복수의해시키들과상기복수의참조데이터들각각의참조해시키들을비교하고, 비교결과에응답하여상기쓰기요청된데이터를상기불휘발성메모리장치에저장할것인지의여부를결정하는메모리컨트롤러를포함하되, 상기메모리컨트롤러는상기복수의해시키들및 상기복수의참조데이터들각각의상기복수의참조해시키들간의유사도에따라상기복수의참조데이터들중 하나의참조데이터를선택하고, 상기쓰기요청된데이터와상기선택된참조데이터를상호참조하여상기불휘발성메모리장치에저장한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种存储装置及其操作方法。 根据本发明实施例的存储装置包括：存储多个参考数据的非易失性存储器件; 存储存储哈希管理表的存储器，其管理存储在所述非易失性存储器件中的所述多个参考数据中的每一个的多个参考散列键; 基于写入请求的数据生成多个散列密钥的散列密钥生成器; 以及存储器控制器，用于将所述多个散列键与所述多个参考数据中的每一个的所述参考散列键进行比较，以响应于所述比较结果来确定是否将所述写请求数据存储在所述非易失性存储器件中，其中所述存储器控制器选择 基于多个散列键和多个参考数据中的每个参考数据的多个参考散列键的多个参考数据中的一个参考数据，并将所选择的参考数据交叉参考写入请求的数据，以将所选择的参考数据存储在非易失性存储器中 存储设备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130048389A
公开(公告)日：2013-05-10
申请号：KR1020110113217
申请日：2011-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C16/349 , G06F13/1689
Abstract: PURPOSE: A method for controlling the performance of a storage and a semiconductor storage device thereof are provided to secure the lifetime of the storage by controlling the performance of the storage according to the change of a workload. CONSTITUTION: An average data throughput for one cycle of a storage is calculated when the storage is operated according to a workload applied at a current cycle(S71). The calculated average data throughput is compared with a preset reference average data throughput to secure the lifetime of the storage(S72). The performance of the storage is controlled according to the comparison result.
Abstract translation: 目的：提供一种用于控制存储器的性能的方法及其半导体存储装置，以通过根据工作量的变化来控制存储的性能来确保存储的寿命。 构成：根据当前周期中应用的工作负载来操作存储器时，计算存储器一个周期的平均数据吞吐量（S71）。 将计算的平均数据吞吐量与预设的参考平均数据吞吐量进行比较以确保存储器的寿命（S72）。 存储的性能根据比较结果进行控制。
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公开(公告)号：KR102218732B1
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：KR1020140008481
申请日：2014-01-23
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명의일 실시예에따른저장장치는복수의참조데이터들을저장하는불휘발성메모리장치, 상기불휘발성메모리장치에저장된복수의참조데이터들각각의복수의참조해시키들을관리하는해시관리테이블을저장하는메모리, 쓰기요청된데이터에기반하여복수의해시키들을생성하는해시키 생성기, 상기복수의해시키들과상기복수의참조데이터들각각의참조해시키들을비교하고, 비교결과에응답하여상기쓰기요청된데이터를상기불휘발성메모리장치에저장할것인지의여부를결정하는메모리컨트롤러를포함하되, 상기메모리컨트롤러는상기복수의해시키들및 상기복수의참조데이터들각각의상기복수의참조해시키들간의유사도에따라상기복수의참조데이터들중 하나의참조데이터를선택하고, 상기쓰기요청된데이터와상기선택된참조데이터를상호참조하여상기불휘발성메모리장치에저장한다.
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公开(公告)号：KR102163020B1
公开(公告)日：2020-10-07
申请号：KR1020180121974
申请日：2018-10-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01M4/58 , H01M4/137 , H01M4/36 , H01M4/587 , H01M10/0525 , H01M10/054 , C01B25/08
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公开(公告)号：KR101675951B1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：KR1020150034294
申请日：2015-03-12
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 주식회사 엘지화학
IPC: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/131 , H01M10/052 , H01M2/10
CPC classification number: H01M4/525 , C01G53/50 , C01G55/002 , C01P2006/40 , H01M4/131 , H01M4/364 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , H01M2220/00 , Y02T10/7011
Abstract: 본발명은하기화학식 1에서선택되는하나이상의화합물을포함하는것을특징으로하는양극활물질및 이를포함하는리튬이차전지를제공하여우수한안전성을나타내면서도수명특성및 레이트특성을향상시킬수 있다.xLiMMnOA* (1-x) LiM’OA’(1)상기식에서, M은 Ru, Mo, Nb, Te, Re, Ir, Pt, Cr, S, W, Os, 및 Po으로이루어진군에서선택되는 1종이상이고;M’는 Ni, Ti, Co, Al, Mn, Fe, Mg, B, Cr, Zr, Zn 및 2주기전이금속들로이루어진군에서선택되는 1종이상이며;A 및 A’는각각독립적으로 -1 또는 -2가의음이온이고; 0
Abstract translation: 本发明公开了一种正极活性物质，其包含选自下述通式1所示的化合物中的至少一种和包含该锂二次电池的锂二次电池，其能够提高寿命特性和速率特性，同时具有优异的安全性：xLi2MyMn（1-y） （1-x）LiM'O2-z'A'z'（1），其中M是选自Ru，Mo，Nb，Te，Re，Ir，Pt中的至少一种元素， Cr，S，W，Os和Po，M'是选自由Ni，Ti，Co，Al，Mn，Fe，Mg，B，Cr，Zr，Zn和第二行转变中的至少一种元素 金属A和A'各自独立地为负的一价或二价阴离子，0
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公开(公告)号：KR1020140145063A
公开(公告)日：2014-12-22
申请号：KR1020140007350
申请日：2014-01-21
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C16/16 , G11C16/0483 , G11C16/12 , G11C16/3445
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 블록 단위로 소거되는 불휘발성 메모리 장치의 액세스 방법은, 적어도 하나의 접근 요청을 수신하는 단계, 상기 접근 요청을 디코딩하여 선택된 메모리 블록에 대한 접근 바이어스 레벨을 정의하는 접근 모드를 결정하는 단계, 상기 결정된 접근 모드에 따라 상기 불휘발성 메모리 장치의 접근 바이어스 레벨을 조정하는 단계, 그리고 상기 조정된 접근 바이어스 레벨 조건에서 상기 접근 요청을 수행하기 위한 명령어를 상기 불휘발성 메모리 장치에 제공하는 단계를 포함하되, 상기 선택된 메모리 블록은 복수의 소거 모드에 대응하는 복수의 소거 전압 셋들 중 어느 하나에 의해서 소거된 메모리 블록이고, 상기 복수의 소거 전압 셋들 각각에 의해서 소거된 메모리 블록들은 서로 다른 소거 상태들을 가지며, 서로 다른 유효 � �모값을 할당 받는다.
Abstract translation: 通过块单元去除的非易失性存储器件的存取方法包括用于接收一个或多个访问请求的步骤; 通过解码访问请求来确定定义所选存储器块的访问偏置电平的访问模式的步骤; 用于根据确定的访问模式来控制非易失性存储器件的访问偏置电平的步骤; 以及用于向所述非易失性存储器件提供命令以在所述受控访问偏置电平条件下执行所述访问请求的步骤。 所选择的存储块在对应于多个去除模式的去除电压组中移除1。 由去除电压组移除的存储器块具有不同的去除状态并接收不同的有效消耗值。
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