Abstract:
개시된 본 발명에 따른 내부식성 및 항균성을 갖는 마그네슘 합금의 산화 코팅층은, 마그네슘 합금의 표면에 형성되는 산화 코팅층에 있어서, 상기 산화 코팅층은 표면의 다공질층과 내부의 조밀층으로 구성되며, 상기 다공질층 또는 조밀층에는 은(Ag)이 0.1~2.0 atomic% 포함되는 것을 특징으로 한다. 또한, 개시된 본 발명에 따른 내부식성 및 항균성이 우수한 마그네슘 합금의 산화 코팅층 제조방법은, (a) 규산나트륨(sodium silicate, Na2SiO3) 또는 알루미늄산 나트륨(sodium aluminate, NaAlO2) 중에서 선택된 하나와, 플루오르화칼륨(KF)이나 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화나트륨(NaOH) 중에서 선택된 하나 및 질산은(silver nitrate, AgNO3)을 포함하는 전해질 용액을 준비하는 단계, 및 (b) 상기 전해질 용액에 상기 마그네슘 합금을 침지하고 마이크로 아크 산화(MAO)에 의해 마그네슘 산화 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 마그네슘 합금, 마이크로 아크 산화(MAO), 질산은, 은, 내부식성, 항균성
Abstract:
PURPOSE: A thin film for detecting gas, a gas sensor including the same, and a method for manufacturing a gas sensor and a thin film for detecting gas are provided to manufacture a porous crystalline tin oxide thin film having improved reaction with certain gas, since a thin tin film is anodized and heat-treated. CONSTITUTION: A method for forming a thin film for detecting gas comprises following steps. A thin tin film is formed on a substrate. A thin tin film is anodized, so that a porous amorphous tin oxide film may be formed. The porous amorphous tin oxide film is heat-treated, so that the porous crystalline tin oxide thin film may be formed.
Abstract:
개시된본 발명에따른금속의부식저항성향상을위한세라믹코팅층제조방법은, a) 금속기판을준비하는단계, b) 세라믹분말을일정온도에서열처리하는단계, 및 c) 상기금속기판표면에상기세라믹분말을에어로졸증착법으로증착하여세라믹코팅층을형성하는단계를포함한다. 여기서금속기판은마그네슘또는마그네슘합금, 탄소강, 스테인리스스틸중 어느하나가선택되고, 세라믹분말은이트리아안정화지르코니아(YSZ), 산화세륨(CeO) 중어느하나가선택된다. 본발명에의하면상기금속표면에상기세라믹분말을에어로졸증착법을이용하여증착하여세라믹코팅층을형성함으로써부식저항성이매우우수해지는효과가있다.
Abstract:
PURPOSE: A method for manufacturing an oxide semiconductor for sensing a chemical weapon gas and a method for manufacturing a sensor having the same are provided to for a tin oxide semiconductor by a flame spray pyrolysis, thereby efficiently sensing a DDMP(Dimethyl methylphosphonate) through a responsive effect of the tin oxide semiconductor. CONSTITUTION: A method for manufacturing an oxide semiconductor for sensing a chemical weapon gas is as follows. A precursor solution of a tin chloride is prepared(110). The tin oxide semiconductor having a porous structure of a crystalline nano particle is formed by performing a flame spray pyrolysis with respect to a droplet of the precursor solution(120). The crystalline nano particle of the tin oxide semiconductor reacts to a chemical weapon gas, thereby changing the conductivity of the tin oxide. [Reference numerals] (110) Preparing a precursor solution of a tin chloride; (120) Forming crystalline nano particles of tin chloride by performing a flame spray pyrolysis to a droplet of the precursor solution; (AA) Start; (BB) Finish
Abstract:
PURPOSE: An oxide coating on magnesium alloy and a manufacturing method thereof are provided to ensure high anti-microbial property and to widen applications of a magnesium material. CONSTITUTION: An oxide coating on magnesium alloy formed on the surface of magnesium alloy comprises a porous layer(1) and a dense layer(3). The porous layer is the surface of the oxide coating layer. The dense layer is the inside of the oxide coating layer. The porous layer or dense layer comprises silver 0.1-2.0 atomic%. The thickness of the oxide coating layer is 10-20μm.
Abstract:
본 발명은 발광특성을 가지는 금속플레이트의 제조방법 및 그 플레이트를 개시한다. 본 발명에 따르는 발광특성을 가지는 금속플레이트의 제조방법은 희토류금속 전구체를 함유한 전해질 용액에 상대전극과 일전극으로 금속플레이트를 담지하는 S1단계와, 상기 상대전극와 일전극과의 사이를 이격하여 상기 금속플레이트의 표면에 산화층과 복수개의 기공을 형성하도록 전기를 인가하는 S2단계 및 상기 산화층과 기공으로 희토류 금속이 환원되어 함유되는 S3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 이에 의하면, 금속재료의 부식저항성이나 마찰저항성을 향상시키고, 우수한 발광성을 가지는 효과가 있다.
Abstract:
일 실시 예에 따르는 전극활물질의 제조방법에 있어서, 먼저, 집전체 상에 주석을 포함하는 금속층을 전착(electrodeposition)한다. 상기 금속층에 탄소를 전착한다. 이때, 상기 주석을 포함하는 금속층을 전착하는 과정과 상기 금속층에 탄소를 전착하는 과정은 순차적으로 진행한다.
Abstract:
PURPOSE: A manufacturing method of an electrode active material is provided to control a carbon layer formed on a metal layer, to have a uniform distribution, and to control the amount of carbon deposited on the metal layer. CONSTITUTION: A manufacturing method of an electrode active material comprises: a step of electrodepositing a tin-containing material layer on a current collector(110); and a step of electrodepositing carbon on the metal layer(120). The first step includes a step of forming a tin metal layer with a porous structure and a step of additionally injecting at least one of iron, nickel, copper, and cobalt. [Reference numerals] (110) Electroplate a metal layer on a current collector; (120) Electroplate carbon on the metal layer; (AA) Start; (BB) End
Abstract:
나노 질화규소 분말과 소결조제를 포함하는 혼합물에 합성수지 및 상기 합성수지를 용해시키는 유기용매를 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계, 상기 슬러리를 건조하여 원료 분말을 얻는 단계, 상기 원료 분말을 탄소환원처리하는 단계, 및 상기 탄소환원처리된 원료 분말을 소결하여 소결체를 얻는 단계를 포함하는 나노 질화규소계 세라믹스의 제조방법이 제공된다.