公开(公告)号：KR102070915B1

公开(公告)日：2020-01-29

申请号：KR1020180077322

申请日：2018-07-03

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  김현영

IPC: H01B5/02 ,  H01B1/02 ,  H01L31/0352

公开(公告)号：KR1020170083848A

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：KR1020160003235

申请日：2016-01-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  박웅규

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  G03F1/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은 (a)석영기판위에차례로적층된크롬(Cr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr)의삼중층을일정한간격으로패턴화하는단계; (b)상기알루미늄(Al)의측벽을에칭하는단계; (c)상기에칭후 상기삼중층표면에원자층증착(atomic layer deposition)방법으로비정질산화알루미늄 (AlO) 박막을증착시키는단계; (d)상기증착후 패턴화된삼중층사이간격인트렌치내부및 삼중층의최상부에수직으로크롬을증착시키는단계및 (e)상기삼중층의알루미늄(Al)층을에칭하여제거(lift-off)하는단계로구성될수 있는크롬나노갭제조방법에관한것이다.

Abstract translation: （A）以规则的间隔图案化顺序地堆叠在石英衬底上的铬（Cr），铝（Al）和铬（Cr）三层; （b）蚀刻铝（Al）的侧壁; （c）通过原子层沉积法在蚀刻之后在三层的表面上沉积非晶氧化铝（AlO）薄膜; （d）在沟槽的顶部和沟槽的顶部垂直沉积铬，沟槽的顶部是沉积后图案化的三重态层之间的间距，以及（e）蚀刻铝（Al） 本发明还涉及一种制造铬纳米间隙的方法。

公开(公告)号：KR101069607B1

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：KR1020080107948

申请日：2008-10-31

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  박형렬 ,  서민아

IPC: B82B3/00 ,  B82Y35/00

CPC classification number: H01Q15/0086

Abstract: 본발명에의하면전자기파의전기장집속을위한나노갭디바이스로서, 전기적으로전도성의물질로이루어진필름;및상기필름상에형성되고, 상기전자기파및 상기전도성물질에따라결정되는토마스페르미차폐길이와표피깊이사이의폭을갖는나노갭을포함하는것을특징으로하는전자기파의전기장집속을위한나노갭디바이스및 이를이용한나노입자검출을위한시스템이제공된다.

公开(公告)号：KR102210700B1

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：KR1020190009908

申请日：2019-01-25

Applicant: 주식회사 툴젠 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식

IPC: C12Q1/6869 ,  C12Q1/34 ,  C12N9/22 ,  C12N9/78 ,  C12N9/96

Abstract: 디아미나아제및 표적특이적뉴클레아제를포함하는염기교정용조성물, 및상기염기교정용조성물을이용한염기교정방법및 유전자변형동물제조방법이제공된다.

公开(公告)号：KR101935444B1

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：KR1020160168906

申请日：2016-12-12

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 정지윤 ,  이지예 ,  김대식

IPC: B82B3/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/12 ,  C23G1/14

公开(公告)号：KR101791052B1

公开(公告)日：2017-10-27

申请号：KR1020160003235

申请日：2016-01-11

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  박웅규

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  G03F1/00 ,  H01L29/06 ,  H01L21/02

Abstract: 본발명은 (a)석영기판위에차례로적층된크롬(Cr), 알루미늄(Al), 크롬(Cr)의삼중층을일정한간격으로패턴화하는단계; (b)상기알루미늄(Al)의측벽을에칭하는단계; (c)상기에칭후 상기삼중층표면에원자층증착(atomic layer deposition)방법으로비정질산화알루미늄 (AlO) 박막을증착시키는단계; (d)상기증착후 패턴화된삼중층사이간격인트렌치내부및 삼중층의최상부에수직으로크롬을증착시키는단계및 (e)상기삼중층의알루미늄(Al)층을에칭하여제거(lift-off)하는단계로구성될수 있는크롬나노갭제조방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR1020170076559A

公开(公告)日：2017-07-04

申请号：KR1020160168906

申请日：2016-12-12

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 정지윤 ,  이지예 ,  김대식

IPC: B82B3/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/12 ,  C23G1/14

Abstract: 본발명은본 발명은 (a)사파이어기판위에크롬(Cr) 및금(Au)층이차례로적층된기저층을준비하는단계; (b)상기기저층위에크롬(Cr); 및알루미늄(Al) 또는산화알루미늄(AlO)층으로적층된복수의직사각형층을일정한간격으로평행하게패턴화하는단계;(c)상기패턴화된직사각형층과동일한패턴으로기저층의크롬(Cr) 및금(Au)을이온밀링으로제거하는단계; (d)상기제거단계후 원자층증착(ALD)방법으로산화알루미늄(AlO)을코팅하는단계; (e)상기코팅단계후 크롬(Cr), 금(Au)을순서대로증착하는단계및 (f)상기증착단계후 기저층위에패턴화된직사각형층을에칭으로제거하는단계로구성된이온밀링과에칭을이용한나노갭제조방법에관한것이다.

Abstract translation: （A）准备在蓝宝石基板上依次层叠有铬（Cr）金（Au）层的基底层; （b）基层上的铬（Cr）; 包括：化学和铝（Al）或平行于所述图案的多个以规则的间隔氧化铝（AlO）层的层叠体的矩形层;（c）所述图案化的矩形层和基极层中的相同的图案的铬（Cr）mitgeum （Au）; （d）在去除步骤之后通过原子层沉积（ALD）法涂覆氧化铝（AlO）; （e）在涂覆步骤之后依次沉积铬（Cr）和金（Au），以及（f）在蚀刻之后蚀刻并去除基层上的图案化的矩形层。 以及使用纳米间隙制造纳米间隙的方法。

公开(公告)号：KR101324523B1

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：KR1020110060872

申请日：2011-06-22

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  박형렬 ,  경지수 ,  김용협 ,  장의윤

IPC: G02B5/30 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06

CPC classification number: G02B5/30 ,  B82Y20/00 ,  G02B2207/101 ,  Y10T428/30

Abstract: 본 발명은 기재와; 탄소나노튜브 포레스트로부터 유도되어 상기 기재에 권취되는 탄소나노튜브층를 포함하되, 상기 탄소나노튜브는 5층 이상으로 이루어진 탄소나노튜브 시트 및 이를 이용한 편광자를 제공한다.

公开(公告)号：KR1020130000275A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：KR1020110060872

申请日：2011-06-22

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  박형렬 ,  경지수 ,  김용협 ,  장의윤

IPC: G02B5/30 ,  B32B9/04 ,  B32B27/06

CPC classification number: G02B5/30 ,  B82Y20/00 ,  G02B2207/101 ,  Y10T428/30

Abstract: PURPOSE: Carbon nano tube sheet and polarizer using the sheet are provided to control carbon nano tube layer, thereby express polarization property in terahertz band. CONSTITUTION: Carbon nano tube layer is induced from carbon nano tube photoresist(300), and is reeled in base(200). Carbon nano tube(100) is comprised in more than 5 layers.

Abstract translation: 目的：提供碳纳米管片和偏光片，以控制碳纳米管层，从而表现出太赫兹带中的极化特性。 构成：碳纳米管层由碳纳米管光致抗蚀剂（300）引发，并被卷绕在基体（200）中。 碳纳米管（100）包含超过5层。

公开(公告)号：KR1020100048677A

公开(公告)日：2010-05-11

申请号：KR1020080107948

申请日：2008-10-31

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김대식 ,  박형렬 ,  서민아

IPC: B82B3/00 ,  B82Y35/00

CPC classification number: H01Q15/0086

Abstract: PURPOSE: A nanogap device for focusing electric field of electromagnetic wave and a system for detecting nanoparticles are provided to focus electric field from teraherz to far infrared ray area and to detect nanoparticle having a particle size of 10nm or less. CONSTITUTION: A nanogap device(100) for focusing electric field g of an electromagnetic wave comprises: a film(110) consisting of an electrically conductive material; and a nanogap(120) having a width (a) between a skin depth and a Thomas fermi occlusion length which is decided according to an electromagnetic wave(10) and conductive material. The electromagnetic wave has a wavelength of teraherz to far infrared ray range. The conductive is a material metal or carbon nanotube. The metal is a gold. The shape of nanogap is rectangular or slip-shape.

Abstract translation: 目的：提供用于聚焦电磁波电场的纳米胶片装置和用于检测纳米颗粒的系统，以将电场从太赫兹聚焦到远红外线区域，并检测粒径为10nm以下的纳米粒子。 构成：用于聚焦电磁波的电场g的纳米隙装置（100）包括：由导电材料构成的膜（110）; 和具有根据电磁波（10）和导电材料决定的皮肤深度和托马斯费米遮挡长度之间的宽度（a）的纳米凹口（120）。 电磁波的波长为太赫兹至远红外线范围。 导电是材料金属或碳纳米管。 金属是金子。 纳米胶的形状为矩形或滑状。