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公开(公告)号：KR101052698B1
公开(公告)日：2011-07-28
申请号：KR1020080108118
申请日：2008-10-31
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 물질의 자기적 성질 중 미세 시료의 포화자화값과 수직자기이방성을 측정함에 있어서, 자기저항 측정을 통한 토크마그네토미터의 포화자기값과 자기이방성상수의 측정방법에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 자기장의 세기를 고정한 상태에서 시료를 회전하며 저항을 측정하는 단계; 와 자기자의 세기를 증가시키면서 저항의 측정을 반복함으로써 특정 자기장의 세기를 넘어설 경우 일정한 형태의 자기저항곡선을 구하는 단계; 와 상기 일정한 형태의 자기저항 곡선으로부터
R
0 와 Δ
R 를 구하는 단계; 와 상기
R
0 와 Δ
R 값을 이용해 자기장의 세기가 포화자화값 보다 작은 경우의 자기저항 곡선을 정규화 하는 단계; 와 상기 정규화된 자기저항 곡선을 통해 외부자기장의 세기에 따른 시료의 자화방향을 판독하는 단계; 와 포화자기값 Ms와 자기이방성 상수 K를 계산하는 단계를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 자기저항 측정을 통한 토크마그네토미터의 포화자기값과 자기이방성상수의 측정방법을 제시한다.
본 발명에 의할 경우, 다양한 구조를 가지는 시료, 즉 수 마이크로, 나노미터 크기의 시료의 측정이 가능한 토크마그네토미터의 측정방법을 제시할 수 있음은 물론 외부진동의 문제와 함께 마찰의 문제등 다양한 물리적인 문제에 대응 가능한 측정방법을 제시한다.
자기저항, 토크마그네토미터, 포화자기값, 자기이방성상수Abstract translation: 本发明涉及一种测量饱和磁化强度和垂直的材料的磁特性的精细样品的磁各向异性，测量磁矩磁计的磁饱和值与测量电阻和磁各向异性常数的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100048803A
公开(公告)日：2010-05-11
申请号：KR1020080108118
申请日：2008-10-31
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01R33/096 , B82Y25/00 , G01R33/0023
Abstract: PURPOSE: By deciphering the magnetization direction of sample according to the intensity of the external magnetism by using the magnetic reluctance curve the method for measuring the saturation magnetization value and magnetic anisotropy constant can measure the sample of the nano size. CONSTITUTION: In the state where the intensity of the magnetic field is fixed, resistance is measured at while sample is rotated. The measurement of resistance repeats while multiplying the intensity of the magnetic field. The fixed magnetic reluctance(MR) curve of form obtains. R0 and ΔR obtain from the magnetic reluctance curve. The magnetic reluctance curve is normalized. The magnetization direction of the sample according to the intensity of the external magnetism is read. The saturation magnetization value and magnetic anisotropy constant are calculated.
Abstract translation: 目的：通过使用磁阻曲线根据外磁场强度对样品的磁化方向进行解密，测量饱和磁化值和磁各向异性常数的方法可以测量纳米尺寸的样品。 构成：在磁场强度固定的状态下，在样品旋转时测量电阻。 电阻的测量在乘以磁场的强度时重复。 形式的固定磁阻（MR）曲线得到。 R0和ΔR从磁阻曲线获得。 磁阻曲线被归一化。 读取根据外部磁场强度的样品的磁化方向。 计算饱和磁化值和磁各向异性常数。
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公开(公告)号：KR101844128B1
公开(公告)日：2018-04-02
申请号：KR1020160011612
申请日：2016-01-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
Inventor： 최석봉
CPC classification number: G11C19/0841 , B82Y10/00 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 본발명은자구벽이동소자를제공한다. 이자구벽이동소자는수직자기이방성을가진강자성층; 및상기강자성층과접촉하여나란히연장되는비자성금속층을포함한다. 상기강자성층은상기강자성층의연장방향을따라배치된제1 강자성영역들및 인접한한 쌍의제1 강자성영역들사이에배치된제2 강자성영역을포함하고, 상기제1 강자성영역의스핀토크계수와상기제2 강자성영역의스핀토크계수는서로반대부호이고, 상기제1 강자성영역과제2 강자성영역의경계면에생성된자구벽은상기비자성금속층의면내전류에의하여이동한다.
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公开(公告)号：KR1020170090807A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160011612
申请日：2016-01-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
Inventor： 최석봉
CPC classification number: G11C19/0841 , B82Y10/00 , H01L27/22 , H01L43/02 , H01L43/08
Abstract: 본발명은자구벽이동소자를제공한다. 이자구벽이동소자는수직자기이방성을가진강자성층; 및상기강자성층과접촉하여나란히연장되는비자성금속층을포함한다. 상기강자성층은상기강자성층의연장방향을따라배치된제1 강자성영역들및 인접한한 쌍의제1 강자성영역들사이에배치된제2 강자성영역을포함하고, 상기제1 강자성영역의스핀토크계수와상기제2 강자성영역의스핀토크계수는서로반대부호이고, 상기제1 강자성영역과제2 강자성영역의경계면에생성된자구벽은상기비자성금속층의면내전류에의하여이동한다.
Abstract translation: 本发明提供一种磁畴壁移动装置。 外壁移动元件包括具有垂直磁各向异性的铁磁层; 以及与铁磁层接触并与其接触的非磁性金属层。 其中，铁磁层包括沿着铁磁层的延伸方向设置的第一铁磁区域和设置在相邻的一对第一铁磁区域之间的第二铁磁区域，并且第一铁磁区域的自旋转矩系数 第二铁磁区域的自旋扭矩系数彼此相反，并且第一铁磁区域的第一畴壁被非磁性金属层的面内电流移动。
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公开(公告)号：KR101161930B1
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：KR1020090096795
申请日：2009-10-12
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/8239
Abstract: 본 발명은 자구벽 메모리의 핵심 기술 중 하나인 자구벽을 고정시키는 기술에 관한 것으로, 보다 상세하게는 홈구조와 나노구조에서 발생하는 스트레이필드를 이용하여 자구벽 메모리 소자에서 자구벽을 고정시키는 것에 관한 것이다.
본 발명에 의할 경우 자성나노선의 홈구조의 제작에 있어 현실적으로 존재하는 불균일성에 기인하는 여러개의 고정점으로 인한 자구벽의 불균일과 그로 인한 저장매체로서의 신뢰성 저하를 해결할 수 있다.
자구벽 소자, 자구벽 메모리, 자구벽 피닝, 자구벽 디피닝, 스트레이 필드-
公开(公告)号：KR1020100104413A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：KR1020090022811
申请日：2009-03-17
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G11C11/15 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/15 , H01L27/228 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A magnetic memory device is provided to improve magnetic domain moving efficiency by a current by maintaining vertical magnetism in a thick magnetic layer. CONSTITUTION: A magnetic memory device includes a non-magnetic layer(100a,100b), a first magnetic layer(110a,110b), and a second magnetic layer(120). A first magnetic layer is formed between nonmagnetic layers. A second magnetic layer is formed between the first magnetic layers. A saturated magnetization value of the second magnetic layer is below the saturated magnetization value of the first magnetic layer.
Abstract translation: 目的：提供一种磁存储器件，通过在厚磁层中维持垂直磁场，通过电流提高磁畴移动效率。 构成：磁存储器件包括非磁性层（100a，100b），第一磁性层（110a，110b）和第二磁性层（120）。 在非磁性层之间形成第一磁性层。 在第一磁性层之间形成第二磁性层。 第二磁性层的饱和磁化值低于第一磁性层的饱和磁化值。
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