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公开(公告)号：KR100703595B1
公开(公告)日：2007-04-06
申请号：KR1020050097536
申请日：2005-10-17
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Inventor： 김병성
Abstract: 본 발명은 캐스코드형 증폭기의 선형성 개선방법과 이를 적용한 증폭기 및 주파수 혼합기의 구현 방법에 대한 것이다. 더욱 상세하게는 캐스코드 증폭기의 공통 소오스(또는 공통 소오스)단자에 접지된 능동소자의 출력단에서 발생하는 비선형 전류성분을 선택적으로 상쇄시켜 공통 게이트(또는 공통 게이트)단자와 접지된 캐스코드 단으로 선형화된 전류만을 전달하는 보조회로의 구현에 관한 것이다.이를 위하여 본 발명은, 제 1 단자, 제 2 단자, 제 3 단자를 갖는 제 3 능동소자의 상기 제 2 단자를 상기 제 2 능동소자의 상기 제 2 단자에 공통으로 접속하여 상기 제 1 능동소자의 상기 제 3 단자에서 출력되는 전류 성분 중 비선형 전류 성분을 상기 제 3 능동소자의 상기 제 2 단자로 흡수하게 하고, 선형화된 전류는 상기 제 2 능동소자의 상기 제 2 단자로 유입되게 하여, 최종적으로 선형화된 전류는 상기 제 2 능동소자의 상기 제 3 단자로 출력되게 하는 방법을 제시한다.
선형성, 증폭기, 캐스코드Abstract translation: 本发明涉及共射共基放大器的线性改善方法和使用该方法的放大器和混频器的实现方法。 更具体地，共源共栅放大器的共源极（或共源）选择性地偏移，在接地到终端共栅极（或共栅）有源元件的输出端产生的非线性电流分量线性端和接地共源共栅级 具有第一端子，第二端子和第三端子的第三有源元件的第二端子连接到第二有源元件的第二端子， 和共同连接到所述第二端的第一和吸收从所述第一有源元件的第三端子输出到第三有源元件的第二端的电流分量的非线性电流的部件，并且线性化的电流在第二有源 向器件的第二端子，使得最终线性化的电流输出到第二有源元件的第三端子。
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13.发明授权실리콘 밀리미터파 칩용 칩상 도파관 급전기 및 급전 방법 및, 이를 이용한 다중 입출력 밀리미터파 송수신 장치 有权硅毫米波芯片的芯片相位波导电源和馈电方法以及使用该芯片的多输入/输出毫米波发送/接收装置
公开(公告)号：KR101689353B1
公开(公告)日：2016-12-23
申请号：KR1020150051923
申请日：2015-04-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01Q1/243 , G01S7/032 , G01S13/34 , G01S13/931 , G01S2007/027 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2223/6677 , H01P5/107 , H01Q1/2283 , H01Q1/3233 , H01Q13/065 , H01Q21/065
Abstract: 본발명은도파관급전기를개시하고있다. 상기도파관급전기는실리콘기판, 도파관개구면에위치하여전기적신호를입력받는프로브, 도파관플랜지(waveguide flange) 면으로프로브의접지통로를형성하기위해도파관플랜지의접합면에위치하는개방스터브를포함하되, 상기프로브및 상기개방스터브는상기실리콘기판상에구성된다.
Abstract translation: 本发明公开了一种波导馈线。 波导馈给群包括位于所述管法兰的接合表面上，以形成所述探针的接地路径作为探针开路短截线，波导凸缘（波导凸缘）侧接收在硅衬底的位置，波导开口面的输入电信号， 探针和开路短截线配置在硅衬底上。
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公开(公告)号：KR101611422B1
公开(公告)日：2016-04-12
申请号：KR1020090110922
申请日：2009-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/413 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/194 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02527 , H01L21/02554 , H01L21/02639 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/1606 , H01L51/0048
Abstract: 그래핀과나노구조체의복합구조체및 그제조방법이개시된다. 개시된복합구조체는적어도하나의그래핀(graphene)과, 이그래핀을관통하도록형성되는것으로, 1차원형상을가지는적어도하나의나노구조체;를포함한다.
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公开(公告)号：KR101538742B1
公开(公告)日：2015-07-30
申请号：KR1020090015872
申请日：2009-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639
Abstract: 나노와이어의합성방법이개시된다. 개시된합성방법은, 기판상에게르마늄을포함하는제1 산화물층을형성하는단계; 상기제1 산화물층을열처리하여핵(nuclei)을포함하는제2 산화물층을형성하는단계; 및화학기상증착법에의해상기핵으로부터게르마늄을포함하는나노와이어(nanowire)를성장시키는단계;를포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140009790A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：KR1020120076579
申请日：2012-07-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H03D7/12
Abstract: Disclosed in the present invention is a frequency mixer having a high conversion gain even under low LO power. The frequency mixer comprises a frequency mixing part including a first switching device pair and a second switching device pair for receiving an LO frequency signal and an RF signal and generating an IF band signal. Therefore, the present invention makes possible designing a receiver with a high conversion gain even under low LO power in a millimeter wave band where a phase assignment system is widely used, and does not require additional circuits for amplifying the low LO power, so can reduce power consumption while being operated as compared with a case using an existing circuit.
Abstract translation: 在本发明中公开了即使在低LO功率下也具有高转换增益的混频器。 混频器包括：混频部分，包括第一开关器件对和第二开关器件对，用于接收LO频率信号和RF信号并产生IF频带信号。 因此，本发明即使在相位分配系统被广泛使用的毫米波段中的低LO功率下也可以设计具有高转换增益的接收机，并且不需要用于放大低LO功率的附加电路，因此可以减少 与使用现有电路的情况相比，在操作时的功耗。
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17.发明授权
公开(公告)号：KR101345432B1
公开(公告)日：2013-12-27
申请号：KR1020070129907
申请日：2007-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , Y10S977/762 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/892 , Y10S977/893
Abstract: 본발명은무촉매단결정실리콘나노와이어의제조방법, 그에의해형성된나노와이어및 이를포함하는나노소자에관한것으로, 이러한나노와이어는제조시 금속촉매를사용하지않음으로써합성이간편하고경제적일뿐 아니라, 금속촉매에의한불순물함입을방지하여나노와이어의전기및 광특성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号：KR101385636B1
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：KR1020120076579
申请日：2012-07-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H03D7/12
Abstract: 본 발명은 낮은 LO 전력 하에서도 높은 변환 이득을 가지는 주파수 혼합기를 개시하고 있다. 주파수 혼합기는 제 1 스위칭 소자 쌍 및 제 2 스위칭 소자 쌍을 포함하여 LO 주파수 신호 및 RF 주파수 신호를 입력으로 받아 IF 주파수 대역의 신호를 생성하는 주파수 혼합부를 포함하되, 상기 제 1 스위칭 소자 쌍의 전류 전극과 상기 제 2 스위칭 소자 쌍의 제어 전극이 크로스 커플드(cross-coupled) 연결되도록 구성된다. 따라서, 위상 배열시스템이 많이 사용되어지고 있는 밀리미터파 대역에서, 낮은 LO 전력에서도 높은 변환 이득을 가지는 수신기 설계가 가능하여, 종래 회로를 사용하는 경우에 비해 LO 전력을 증폭시키기 위한 추가적인 회로가 요구되어지지 않아, 적은 전력소모에서 동작을 가능하게 한다.
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公开(公告)号：KR1020110054317A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：KR1020090110922
申请日：2009-11-17
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/413 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/194 , H01L21/02381 , H01L21/02422 , H01L21/02521 , H01L21/02527 , H01L21/02554 , H01L21/02639 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/0676 , H01L29/1606 , H01L51/0048
Abstract: PURPOSE: The composite structure of graphene and nanostructure and a method for manufacturing the same are provided to obtain three dimensional composite structure by passing one dimensional nanostructure through two dimensional graphene with the high electric conductivity. CONSTITUTION: The composite structure(100) of graphene and nanostructure includes at least one graphene(120) and at least one nanostructure(110) passing through the graphene. The nanostructure includes one dimensional shape and includes nanowires, nanotubes, or nanorods. The nanostructure is one selected from a group including IV-family semiconductor, III-V-family semiconductor, II-VI-family semiconductor, IV-VI-family semiconductor, IV-V-VI-family semiconductor, oxide semiconductor, nitride semiconductor, and metal.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯和纳米结构的复合结构及其制造方法，通过使一维纳米结构通过具有高导电性的二维石墨烯来获得三维复合结构。 构成：石墨烯和纳米结构的复合结构（100）包括通过石墨烯的至少一个石墨烯（120）和至少一个纳米结构（110）。 纳米结构包括一维形状并且包括纳米线，纳米管或纳米棒。 纳米结构是选自IV族族半导体，III-V族半导体，II-VI族半导体，IV-VI族半导体，IV-V-VI族半导体，氧化物半导体，氮化物半导体， 和金属。
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公开(公告)号：KR1020110011889A
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：KR1020090069350
申请日：2009-07-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1266 , H01L29/78603
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a flexible oxide semiconductor device is provided to improve the electrical property of the device by implementing a thermal process at high temperature without the deformation of a substrate. CONSTITUTION: A sacrificial layer is formed on a substrate(S110). A buffer layer is formed on the sacrificial layer(S120). An oxide semiconductor device is formed on the buffer layer(S130). A crack preventive protection layer is formed on the oxide semiconductor device(S140). The oxide semiconductor device is thermally processed at high temperature(S150). The sacrificial layer is eliminated to separate the oxide semiconductor device from the substrate(S160). The separated oxide semiconductor device is transferred to a flexible substrate(S170).
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造柔性氧化物半导体器件的方法，以通过在高温下实施热处理而不使衬底变形来改善器件的电性能。 构成：在基板上形成牺牲层（S110）。 在牺牲层上形成缓冲层（S120）。 在缓冲层上形成氧化物半导体器件（S130）。 在氧化物半导体器件上形成防裂保护层（S140）。 氧化物半导体器件在高温下进行热处理（S150）。 去除牺牲层以将氧化物半导体器件与衬底分离（S160）。 分离的氧化物半导体器件被转移到柔性衬底（S170）。
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