-
-
2.发明公开실리콘 밀리미터파 칩용 칩상 도파관 급전기 및 급전 방법 및, 이를 이용한 다중 입출력 밀리미터파 송수신 장치 有权用于硅微米波导的芯片波导馈电器和使用给定馈线的多个输入和输出微波收发器的馈电方法
公开(公告)号：KR1020160121980A
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：KR1020150051923
申请日：2015-04-13
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01Q1/243 , G01S7/032 , G01S13/34 , G01S13/931 , G01S2007/027 , H01L23/66 , H01L2223/6627 , H01L2223/6644 , H01L2223/6677 , H01P5/107 , H01Q1/2283 , H01Q1/3233 , H01Q13/065 , H01Q21/065
Abstract: 본발명은도파관급전기를개시하고있다. 상기도파관급전기는실리콘기판, 도파관개구면에위치하여전기적신호를입력받는프로브, 도파관플랜지(waveguide flange) 면으로프로브의접지통로를형성하기위해도파관플랜지의접합면에위치하는개방스터브를포함하되, 상기프로브및 상기개방스터브는상기실리콘기판상에구성된다.
Abstract translation: 提供了一种波导馈线。 波导馈线包括：在半导体衬底的金属布线层的波导孔的中心对准的探针，用于输入和输出电信号; 以及位于半导体芯片的地表面上的波导法兰的接触表面处的开放短截线，以便在波导凸缘的表面上形成探针的接地路径。
-
公开(公告)号：KR101052116B1
公开(公告)日：2011-07-26
申请号：KR1020090069350
申请日：2009-07-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 희생층을 이용한 플렉시블 산화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 실리콘 기판상에 희생층을 형성하고 상기 희생층 상에 산화물 반도체 소자를 제조하여 전기적 특성 향상을 위한 고온에서의 열처리가 가능하고, 상기 희생층을 선택적 식각율이 높은 재료를 사용하여 산성 및 염기에 의한 산화물 반도체 막의 손상을 제거할 수 있는 플렉시블 산화물 반도체 소자 제조 방법에 관한 것이다.
플렉시블, 산화물 반도체 소자, 열처리, 전사-
公开(公告)号：KR1020100106806A
公开(公告)日：2010-10-04
申请号：KR1020090025005
申请日：2009-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A nanowire/nanodot composite and an optical device including thereof are provided to improve the optical efficiency of the optical device by forming nanodots with a large surface area using luminescent materials. CONSTITUTION: A nanowire/nanodot composite contains the following: a nanowire(110) including a conductive material; and multiple nanodots(150) including luminescent materials, formed on the surface of the nanowire. The nanowire is doped to a p-type or n-type. An optical device includes multiple nanowires including the conductive material, the nanodots, and multiple shells covering the nanowires to surround the nanodots.
Abstract translation: 目的：提供纳米线/纳米复合材料及其包括的光学器件，以通过使用发光材料形成具有大表面积的纳米点来提高光学器件的光学效率。 构成：纳米线/纳米点复合材料包含以下：纳米线（110），包括导电材料; 以及形成在纳米线表面上的包括发光材料的多个纳米点（150）。 纳米线被掺杂到p型或n型。 光学器件包括多个纳米线，包括导电材料，纳米点和覆盖纳米线以围绕纳米点的多个壳。
-
公开(公告)号：KR1020090093319A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：KR1020080018776
申请日：2008-02-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45188 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0043 , H03F1/3211 , H03F3/45183 , H03F2203/45318 , H03F2203/45386 , H03F2203/45544 , H03F2203/45608
Abstract: A differential amplifier circuit and a frequency mixer for improving linearity are provided to only output linear current component by making non-linear current component at a load. A differential amplification circuit comprises a first load(10), a second load(11), a first output node(Vout+), a second output shift(Vout-), a differential amplifier(20), and a nonlinearity cancelation circuit part(30). A differential amplifier comprises a differential stage amplifying the voltage difference between a second input shift(42), a first input node(41), and a biasing current source(IBias) biasing the differential stage. The differential stage is comprised of a pair of transistors(T3,T4) which is connected with differentially. The nonlinearity cancelation circuit part comprises the first cross circuit part(31) and the second cold rolled silicon steel circuit part(32).
Abstract translation: 提供用于提高线性度的差分放大器电路和混频器，以仅通过在负载下形成非线性电流分量来输出线性电流分量。 差分放大电路包括第一负载（10），第二负载（11），第一输出节点（Vout +），第二输出移位（Vout-），差分放大器（20）和非线性消除电路部分 30）。 差分放大器包括差分级，放大偏置差分级的第二输入移位（42），第一输入节点（41）和偏置电流源（IBias）之间的电压差。 差分级由差分连接的一对晶体管（T3，T4）组成。 非线性消除电路部分包括第一交叉电路部分（31）和第二冷轧硅钢回路部分（32）。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150026119A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：KR1020130104508
申请日：2013-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L24/45 , H01B1/04 , H01L24/43 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45186 , H01L2224/45193 , H01L2224/45663 , H01L2224/45693 , H01L2924/12041 , H01L2924/12043 , H01L2924/00 , H01L2924/01006 , H01L2924/00014
Abstract: 개시된 와이어 구조체는, 와이어 형상을 가지는 제1 와이어 코어와, 상기 제1 와이어 코어를 둘러싸는 것으로 탄소를 포함하는 제1 카본 셸을 포함하는 제1 와이어; 및 상기 제1 와이어의 길이 방향으로 연장되는 제2 와이어를 포함한다.
Abstract translation: 本发明的目的是提供一种其纵向控制掺杂的导线结构，具有该线结构的半导体器件及其制造方法。 所公开的线结构包括：第一线，其包括具有线形的第一线芯和覆盖第一线芯并包括碳的第一碳壳; 以及延长到第一线的纵向方向的第二线。
-
公开(公告)号：KR1020110057989A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：KR1020090114637
申请日：2009-11-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02639 , B82Y10/00 , H01B1/04 , H01L21/02376 , H01L21/02444 , H01L21/02521 , H01L21/02653 , H01L29/0665 , H01L29/1606
Abstract: PURPOSE: A composite structure of graphene and nanostructures, and a producing method thereof are provided to obtain a three dimensional shape of the composite structure by forming the nanostructures on the graphene with the high conductivity. CONSTITUTION: A composite structure(100) of graphene and nanostructures includes the graphene(120), and nanostructures(110) formed on the graphene with a one-dimensional shape. The nanostructures are electrically connected to the graphene. The nanostructures include a nanowire, a nanotube, or a nanorod. A producing method of the composite structure comprises a step of preparing a substrate, a step of forming the graphene on the substrate, and a step of growing the nanostructures on the graphene.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯和纳米结构的复合结构及其制备方法，以通过在具有高导电性的石墨烯上形成纳米结构来获得复合结构的三维形状。 构成：石墨烯和纳米结构的复合结构（100）包括石墨烯（120）和形成在具有一维形状的石墨烯上的纳米结构（110）。 纳米结构电连接到石墨烯。 纳米结构包括纳米线，纳米管或纳米棒。 复合结构的制造方法包括准备基板的步骤，在基板上形成石墨烯的步骤以及在石墨烯上生长纳米结构的步骤。
-
公开(公告)号：KR1020100096812A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020090015872
申请日：2009-02-25
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L21/02532 , H01L21/0242 , H01L21/02422 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , B82B3/0095 , B82Y40/00
Abstract: 나노와이어의합성방법이개시된다. 개시된합성방법은, 기판상에게르마늄을포함하는제1 산화물층을형성하는단계; 상기제1 산화물층을열처리하여핵(nuclei)을포함하는제2 산화물층을형성하는단계; 및화학기상증착법에의해상기핵으로부터게르마늄을포함하는나노와이어(nanowire)를성장시키는단계;를포함한다.
Abstract translation: 目的：提供一种纳米线的合成方法，以通过化学气相沉积方法防止金属催化剂对纳米线的污染。 构成：纳米线的合成方法包括以下步骤：在衬底（210）上形成包括锗的材料层; 在所述基板上形成包含所述锗的第一氧化物层; 热处理第一氧化物层以形成包括核的第二氧化物层（216）（215）; 并使用化学气相沉积法从核中生长包括锗的纳米线（220）。
-
公开(公告)号：KR100956000B1
公开(公告)日：2010-05-04
申请号：KR1020080018776
申请日：2008-02-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H03F3/45
CPC classification number: H03F3/45188 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H03D7/1491 , H03D2200/0043 , H03F1/3211 , H03F3/45183 , H03F2203/45318 , H03F2203/45386 , H03F2203/45544 , H03F2203/45608
Abstract: 본 발명은 선형성이 개선된 차동증폭회로 및 주파수 혼합기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 차동증폭회로는 제1 부하 및 제2 부하와; 상기 제1 부하에 대한 제1 출력단과; 상기 제2 부하에 대한 제2 출력단과; 제1 입력단 및 제2 입력단 간의 전압차를 증폭하는 차동단과, 상기 차동단을 바이어싱하는 바이어싱 전류 소스가 마련된 차동증폭부와; 상기 제1 출력단과 상기 제2 출력단을 연결하는 제1 트랜지스터를 갖는 제1 크로스 회로부와, 상기 제1 출력단과 상기 제2 출력단을 연결하는 제2 트랜지스터를 갖는 제2 크로스 회로부가 마련되어 상기 차동증폭부에서 발생하는 비선형성 신호를 제거하는 비선형성 제거회로부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 차동증폭회로의 능동소자에서 발생하는 비선형 전류성분을 부하 측에서 상쇄하여 선형 전류 성분만을 출력하여 기존의 선형성 개선을 위한 차동증폭회로에 비해 선형성이 개선될 수 있다.
-
10.发明公开
公开(公告)号：KR1020090062564A
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：KR1020070129907
申请日：2007-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: B82B3/00
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , C30B25/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , Y10S977/762 , Y10S977/89 , Y10S977/891 , Y10S977/892 , Y10S977/893
Abstract: A method for manufacturing non-catalytic single-crystal silicone nanowires and a nano device employing the nanowires produced by the same are provided to improve electrical and photonic properties by preventing the inflow of impurities caused by a metal catalyst. A method for manufacturing non-catalytic single-crystal silicone nanowires comprises the following steps of: wet-etching the surface of a silicone substrate(100) to form defect sites; exposing the silicone substrate to deionized water or the air in order to form a oxide layer(200) on the surface of the silicone substrate; and putting the silicone substrate into a furnace and heating the substrate while injecting a nanowire precursor so as to grow silicone nanowires(400) from a silicone nuclear(300) formed inside the oxide layer. The oxide layer contains SiOx(0
Abstract translation: 提供非催化性单晶硅氧烷纳米线的制造方法和使用其制造的纳米线的纳米装置，通过防止由金属催化剂引起的杂质的流入来提高电子和光子的性质。 制造非催化性单晶硅氧烷纳米线的方法包括以下步骤：湿法蚀刻硅树脂基材（100）的表面以形成缺陷部位; 将硅酮底物暴露于去离子水或空气中，以在硅树脂基材的表面上形成氧化物层（200）; 以及将硅树脂基底放入炉中并加热衬底同时注入纳米线前体，以便从形成在氧化物层内的有机硅核（300）生长硅氧烷纳米线（400）。 氧化物层含有SiO x（0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.022 seconds)
