公开(公告)号：KR101080604B1

公开(公告)日：2011-11-04

申请号：KR1020100011929

申请日：2010-02-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  박상덕 ,  김이연 ,  박병재 ,  연제관

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/3065

Abstract: 본발명은반응성라디칼및 중성빔을이용하는원자층식각장치및 이를이용한식각방법에관한것으로, 본발명의원자층식각장치는내부에피식각기판을안착할수 있는스테이지를구비하는반응챔버; 상기반응챔버로반응성라디칼및 중성빔을공급하며, 소스가스를공급받아플라즈마를발생시키는플라즈마챔버와, 상기플라즈마챔버외부를감싸면전기장을발생시키는유도코일과, 상기플라즈마챔버하부에위치하여이온빔을추출하는제 1, 제 2, 제 3 그리드로이루어지는그리드어셈블리와, 상기그리드어셈블리하부에서이온빔에전자를공급하여중성빔으로전환시키는반사체를포함하는플라즈마발생부; 상기플라즈마발생부와반응챔버의사이에설치되며, 상기반응챔버내로의중성빔의공급을조절하는셔터; 상기반응챔버내에퍼지가스를공급하는퍼지가스공급부; 및상기소스가스, 식각가스및 퍼지가스의공급을제어하며, 상기셔터의개폐를제어하는제어부를포함한다.

公开(公告)号：KR1020110098694A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020110018142

申请日：2011-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  강세구 ,  박재범 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/31122

Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.

Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 所述蚀刻方法可以包括：使用等离子体蚀刻的干法蚀刻步骤，所述蚀刻方法包括：使用等离子体蚀刻的干法蚀刻步骤; 使用中性束蚀刻的中性束蚀刻步骤; 以及使用中性束原子层蚀刻的中性束原子层蚀刻步骤。 根据本发明，可以使坩埚的电和物理损坏最小化。