公开(公告)号：WO2013015559A2

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/KR2012/005747

申请日：2012-07-19

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  염근영 ,  임웅선 ,  민경석 ,  김이연

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  민경석 ,  김이연

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  C01B32/05

Abstract: 그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및 상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 吸附石墨烯表面上的反应性基团; 以及一种蚀刻石墨烯原子层的方法，其包括将能量源照射到反应性吸附有石墨烯的石墨烯。

公开(公告)号：WO2011105855A2

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：PCT/KR2011/001348

申请日：2011-02-25

Applicant: 성균관대학교산학협력단 ,  염근영 ,  박병재 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연 ,  강세구

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연 ,  강세구

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/36

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J27/024

Abstract: 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF의 온 및 오프 구간에서 각각 양이온 및 음이온을 추출하여 이온을 전기적으로 중성화시킬 수 있고, 이를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있다.

Abstract translation: 公开了一种用于使高频电压和直流偏置电压同步的装置。 电源单元，电压调节单元和电压转换单元产生具有四个通道的第一电网电压和第二电网电压，并向输出驱动单元提供所产生的电压。 控制单元根据RF开/关周期向输出驱动单元提供控制脉冲信号。 输出驱动单元根据控制脉冲信号切换输出，以在RF接通时间段内将第一电网电压输出为高电平，将第二电网电压输出为低电平，并将第一电网电压输出低电平 电平和第二电网电压处于高电平关闭期。 因此，阳离子和阴离子从相应的RF开/关时段提取并电中和，从而消除了使用中性光束的常规装置中使用的反射板的必要性。

公开(公告)号：KR1020110097193A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100016899

申请日：2010-02-25

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  김이연 ,  박병재 ,  연제관

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/3266

Abstract: 본 발명은 플라즈마의 포텐셜을 조절하여 원자층 식각을 수행할 수 있는 중성빔을 이용한 원자층 식각 장치에 관한 것으로, 본 발명의 원자층 식각 장치는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 외부를 감싸며 전기장을 발생시켜 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 유도하는 유도 코일; 상기 유도 코일의 외곽에서 상기 플라즈마 챔버 내부에 자기장을 인가하는 자장 인가 수단; 상기 플라즈마 챔버 하부에서 이온빔을 추출하도록 하는 그리드 어셈블리; 및 상기 그리드 어셈블리 하부에서 이온빔에 전자를 공급하여 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020110092485A

公开(公告)日：2011-08-18

申请号：KR1020100011929

申请日：2010-02-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  박상덕 ,  김이연 ,  박병재 ,  연제관

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32422 ,  H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for etching an atomic layer are provided to etch the atomic layer with various material films by simultaneously removing reactive radical and surface materials of an etched layer using neutral beams. CONSTITUTION: A stage(50) which receives an etched substrate(51) is formed in a reactive chamber(80). A purge gas supply tube(70) is installed on one side of the reactive chamber to supply purge gas. A plasma generator(10) generates neutral beams and reactive radical. A shutter(20) controls the supply of the neutral beam and radical to the reactive chamber. A controller(40) controls the supply of the source gas and purge gas.

Abstract translation: 目的：提供用于蚀刻原子层的装置和方法，以通过使用中性光束同时去除蚀刻层的反应性基团和表面材料来蚀刻具有各种材料膜的原子层。 构成：在反应室（80）中形成接受蚀刻的基板（51）的台（50）。 吹扫气体供给管（70）安装在反应室的一侧以供应净化气体。 等离子体发生器（10）产生中性束和反应基。 快门（20）控制向反应室供应中性束和自由基。 控制器（40）控制源气体和净化气体的供应。

公开(公告)号：KR101380835B1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020120074309

申请日：2012-07-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  김이연 ,  민경석

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08 ,  B01J19/12

CPC classification number: H01L21/042 ,  H01L21/0405 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66037

Abstract: 그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및 상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020110098355A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100017932

申请日：2010-02-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  김이연 ,  박병재 ,  연제관

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명은 BCl
3 가스 및 첨가 가스를 사용하여 고유전 물질의 원자층 식각을 수행하는 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명의 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법은 피식각층이 노출된 피식각 기판을 반응 챔버 내의 스테이지 상에 안착시키는 단계; 상기 반응 챔버 내부의 샤워링을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 BCl
3 로 이루어지는 식각 가스를 공급하여 고유전 물질로 이루어지는 피식각층에 흡착시키는 단계; 상기 반응 챔버 일측에 설치된 퍼지 가스 공급관을 통하여 퍼지 가스를 공급하고, 상기 흡착되고 남은 과잉의 식각 가스를 퍼지하는 단계; 상기 식각 가스가 흡착된 피식각층 상으로 중성빔을 조사하는 단계; 및 퍼지 가스를 공급하여 상기 중성빔 조사에 의하여 발생된 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020130011922A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：KR1020120074309

申请日：2012-07-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  김이연 ,  민경석

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08 ,  B01J19/12

CPC classification number: H01L21/042 ,  H01L21/0405 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66037 ,  C01B32/194 ,  B01J19/084 ,  B01J19/12 ,  C01B32/19 ,  C01B2204/04

Abstract: PURPOSE: An atomic layer etching method is provided to control graphene etching with an atom as a unit, to selectively control the etching depth of graphene, to be processed uncomplicatedly, and to be commercialized. CONSTITUTION: An atomic layer etching method includes the following steps: absorbing a reactive radical on the surface of graphene; irradiating an energy source in graphene absorbed in the reactive radical; the two steps are repeated over two times; the graphene includes the thin film of overlapped multi-layer graphene; a singular layer of the thin film of graphene is etched by performing the atomic layer etching method one time; the reactive radical is generated with plasma.

Abstract translation: 目的：提供原子层蚀刻方法，以原子为单位控制石墨烯蚀刻，选择性地控制石墨烯的蚀刻深度，不需要复杂处理，并进行商业化处理。 构成：原子层蚀刻方法包括以下步骤：在石墨烯的表面上吸收反应性基团; 在吸收在反应性基团中的石墨烯中照射能量源; 两步重复两次; 石墨烯包括重叠的多层石墨烯薄膜; 通过一次执行原子层蚀刻方法蚀刻石墨烯薄膜的单层; 用等离子体产生反应性基团。

公开(公告)号：KR1020110098693A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020110018138

申请日：2011-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  강세구 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/67167

Abstract: 본 발명은 저손상 공정을 위한 차세대 나노소자용 식각 장비에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 차세대 나노소자 제작시 나노소자의 저손상 공정이 가능하거나, 고유전 물질을 게이트 절연막으로 이용함으로써 발생되는 게이트 리세스를 발생시키지 않거나, 차세대 나노소자 공정에 발생될 수 있는 물리적 전기적 손상을 크게 개선시키거나, 정확한 식각 조절이 가능하고, 딥 식각, 중성빔 식각 및 중성빔 원자층 식각이 인시투(in-situ)로 이루어질 수 있는 식각 장비가 제공된다.

公开(公告)号：KR101188506B1

公开(公告)日：2012-10-08

申请号：KR1020110018142

申请日：2011-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  강세구 ,  박재범 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연

IPC: H01L21/3065

Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020110098276A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100017816

申请日：2010-02-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연 ,  강세구

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/36

CPC classification number: H01J37/32174 ,  H01J27/024

Abstract: 반사체를 사용하지 않고 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화를 통해 중성빔 효과를 얻을 수 있는 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF가 온 상태인 구간에서는 양이온을 추출하고, RF가 오프 상태인 구간에서는 음이온을 추출하여 이온이 전기적으로 중성화되는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상술한 중성화 효과를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있고 이로 인해 중성화 반응에서 반사판으로 인해 발생할 수 있는 오염 등을 사전에 방지할 수 있다.