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公开(公告)号：WO2013015559A2
公开(公告)日：2013-01-31
申请号：PCT/KR2012/005747
申请日：2012-07-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 염근영 , 임웅선 , 민경석 , 김이연
IPC: C01B31/02 , B01J19/08 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/3065 , C01B32/05
Abstract: 그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및 상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법에 관한 것이다.
Abstract translation: 吸附石墨烯表面上的反应性基团; 以及一种蚀刻石墨烯原子层的方法，其包括将能量源照射到反应性吸附有石墨烯的石墨烯。
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公开(公告)号：WO2011105855A2
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：PCT/KR2011/001348
申请日：2011-02-25
IPC: H01L21/3065 , H05H1/36
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J27/024
Abstract: 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF의 온 및 오프 구간에서 각각 양이온 및 음이온을 추출하여 이온을 전기적으로 중성화시킬 수 있고, 이를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있다.
Abstract translation: 公开了一种用于使高频电压和直流偏置电压同步的装置。 电源单元，电压调节单元和电压转换单元产生具有四个通道的第一电网电压和第二电网电压，并向输出驱动单元提供所产生的电压。 控制单元根据RF开/关周期向输出驱动单元提供控制脉冲信号。 输出驱动单元根据控制脉冲信号切换输出，以在RF接通时间段内将第一电网电压输出为高电平，将第二电网电压输出为低电平，并将第一电网电压输出低电平 电平和第二电网电压处于高电平关闭期。 因此，阳离子和阴离子从相应的RF开/关时段提取并电中和，从而消除了使用中性光束的常规装置中使用的反射板的必要性。
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公开(公告)号：KR101188506B1
公开(公告)日：2012-10-08
申请号：KR1020110018142
申请日：2011-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110098276A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020100017816
申请日：2010-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065 , H05H1/36
CPC classification number: H01J37/32174 , H01J27/024
Abstract: 반사체를 사용하지 않고 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화를 통해 중성빔 효과를 얻을 수 있는 고주파 전압과 직류 바이어스 전압의 동기화 장치가 개시된다. 전원 공급부, 전압 조정부, 전압 변환부를 통해 4개 채널의 제1 그리드 전압 및 제2 그리드 전압을 생성하여 출력 구동부에 제공하고, 제어부가 RF의 온 및 오프 구간 각각에 따라 제어 펄스 신호를 출력 구동부에 제공하고, 출력 구동부는 상기 제어 펄스 신호에 상응하여 출력을 스위칭함으로써 RF의 온 구간에서는 하이 레벨의 제1 그리드 전압 및 로우 레벨의 제2 그리드 전압을 출력하고, RF의 오프 구간에서는 로우 레벨의 제1 그리드 전압 및 하이 레벨의 제2 그리드 전압을 출력한다. 따라서, RF가 온 상태인 구간에서는 양이온을 추출하고, RF가 오프 상태인 구간에서는 음이온을 추출하여 이온이 전기적으로 중성화되는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 상술한 중성화 효과를 통해 종래의 중성빔 장치에서 사용되었던 반사판을 제거할 수 있고 이로 인해 중성화 반응에서 반사판으로 인해 발생할 수 있는 오염 등을 사전에 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110097193A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：KR1020100016899
申请日：2010-02-25
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/321 , H01J37/3266
Abstract: 본 발명은 플라즈마의 포텐셜을 조절하여 원자층 식각을 수행할 수 있는 중성빔을 이용한 원자층 식각 장치에 관한 것으로, 본 발명의 원자층 식각 장치는 플라즈마 챔버; 상기 플라즈마 챔버 외부를 감싸며 전기장을 발생시켜 플라즈마 챔버 내부에 플라즈마를 유도하는 유도 코일; 상기 유도 코일의 외곽에서 상기 플라즈마 챔버 내부에 자기장을 인가하는 자장 인가 수단; 상기 플라즈마 챔버 하부에서 이온빔을 추출하도록 하는 그리드 어셈블리; 및 상기 그리드 어셈블리 하부에서 이온빔에 전자를 공급하여 중성빔으로 전환시키는 반사체를 포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110092485A
公开(公告)日：2011-08-18
申请号：KR1020100011929
申请日：2010-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for etching an atomic layer are provided to etch the atomic layer with various material films by simultaneously removing reactive radical and surface materials of an etched layer using neutral beams. CONSTITUTION: A stage(50) which receives an etched substrate(51) is formed in a reactive chamber(80). A purge gas supply tube(70) is installed on one side of the reactive chamber to supply purge gas. A plasma generator(10) generates neutral beams and reactive radical. A shutter(20) controls the supply of the neutral beam and radical to the reactive chamber. A controller(40) controls the supply of the source gas and purge gas.
Abstract translation: 目的：提供用于蚀刻原子层的装置和方法，以通过使用中性光束同时去除蚀刻层的反应性基团和表面材料来蚀刻具有各种材料膜的原子层。 构成：在反应室（80）中形成接受蚀刻的基板（51）的台（50）。 吹扫气体供给管（70）安装在反应室的一侧以供应净化气体。 等离子体发生器（10）产生中性束和反应基。 快门（20）控制向反应室供应中性束和自由基。 控制器（40）控制源气体和净化气体的供应。
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公开(公告)号：KR101080604B1
公开(公告)日：2011-11-04
申请号：KR1020100011929
申请日：2010-02-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/32137 , H01J37/32009 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01L21/3065
Abstract: 본발명은반응성라디칼및 중성빔을이용하는원자층식각장치및 이를이용한식각방법에관한것으로, 본발명의원자층식각장치는내부에피식각기판을안착할수 있는스테이지를구비하는반응챔버; 상기반응챔버로반응성라디칼및 중성빔을공급하며, 소스가스를공급받아플라즈마를발생시키는플라즈마챔버와, 상기플라즈마챔버외부를감싸면전기장을발생시키는유도코일과, 상기플라즈마챔버하부에위치하여이온빔을추출하는제 1, 제 2, 제 3 그리드로이루어지는그리드어셈블리와, 상기그리드어셈블리하부에서이온빔에전자를공급하여중성빔으로전환시키는반사체를포함하는플라즈마발생부; 상기플라즈마발생부와반응챔버의사이에설치되며, 상기반응챔버내로의중성빔의공급을조절하는셔터; 상기반응챔버내에퍼지가스를공급하는퍼지가스공급부; 및상기소스가스, 식각가스및 퍼지가스의공급을제어하며, 상기셔터의개폐를제어하는제어부를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020110098694A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：KR1020110018142
申请日：2011-02-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31122
Abstract: 본 발명은 식각 방법에 관한 것이다. 상기 식각 방법은 2 이상의 박막의 적층구조를 포함하는 피식각물의 식각 방법에 있어서, 플라즈마 식각을 이용하는 건식 식각 단계; 중성빔 식각을 이용하는 중성빔 식각 단계; 및 중성빔 원자층 식각을 이용하는 중성빔 원자층 식각 단계 중에서 선택되는 2 이상의 식각 단계의 조합에 의해 수행할 수 있다. 본 발명에 따르면, 피식각물에 전기적 및 물리적 손상을 최소화할 수 있다.
Abstract translation: 蚀刻方法技术领域本发明涉及蚀刻方法。 所述蚀刻方法可以包括：使用等离子体蚀刻的干法蚀刻步骤，所述蚀刻方法包括：使用等离子体蚀刻的干法蚀刻步骤; 使用中性束蚀刻的中性束蚀刻步骤; 以及使用中性束原子层蚀刻的中性束原子层蚀刻步骤。 根据本发明，可以使坩埚的电和物理损坏最小化。
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公开(公告)号：KR1020130011922A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020120074309
申请日：2012-07-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/042 , H01L21/0405 , H01L29/1606 , H01L29/66037 , C01B32/194 , B01J19/084 , B01J19/12 , C01B32/19 , C01B2204/04
Abstract: PURPOSE: An atomic layer etching method is provided to control graphene etching with an atom as a unit, to selectively control the etching depth of graphene, to be processed uncomplicatedly, and to be commercialized. CONSTITUTION: An atomic layer etching method includes the following steps: absorbing a reactive radical on the surface of graphene; irradiating an energy source in graphene absorbed in the reactive radical; the two steps are repeated over two times; the graphene includes the thin film of overlapped multi-layer graphene; a singular layer of the thin film of graphene is etched by performing the atomic layer etching method one time; the reactive radical is generated with plasma.
Abstract translation: 目的：提供原子层蚀刻方法，以原子为单位控制石墨烯蚀刻，选择性地控制石墨烯的蚀刻深度，不需要复杂处理，并进行商业化处理。 构成：原子层蚀刻方法包括以下步骤：在石墨烯的表面上吸收反应性基团; 在吸收在反应性基团中的石墨烯中照射能量源; 两步重复两次; 石墨烯包括重叠的多层石墨烯薄膜; 通过一次执行原子层蚀刻方法蚀刻石墨烯薄膜的单层; 用等离子体产生反应性基团。
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公开(公告)号：KR1020130011648A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：KR1020110072953
申请日：2011-07-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B32/194 , B01J19/28
Abstract: PURPOSE: A graphene etching device and a graphene etching method using the same are provided to prevent additional etching by performing discharging without remaining reactive gas. CONSTITUTION: A graphene etching device is composed of a buffer chamber(200), an adsorption chamber(100), and a desorption chamber(300). A graphene substrate(500) is loaded in the buffer chamber. An adsorption process is performed in the adsorption chamber for the graphene substrate. A desorption process is performed in the desorption chamber for the graphene substrate. The buffer chamber is placed between the adsorption chamber and the desorption chamber. The buffer chamber includes a transfer device(210), and the transfer device transfers the graphene substrate to the inside of the adsorption chamber or the desorption chamber. The graphene substrate adsorbed in the adsorption chamber is transferred to the buffer chamber, in standby for a previously set time, and transferred to the desorption chamber. [Reference numerals] (AA) Exhaust
Abstract translation: 目的：提供石墨烯蚀刻装置和使用其的石墨烯蚀刻方法，以通过在没有残留的反应气体的情况下进行放电来防止附加蚀刻。 构成：石墨烯蚀刻装置由缓冲室（200），吸附室（100）和解吸室（300）构成。 石墨烯衬底（500）装载在缓冲室中。 在用于石墨烯衬底的吸附室中进行吸附过程。 在用于石墨烯衬底的解吸室中进行解吸处理。 缓冲室被放置在吸附室和解吸室之间。 缓冲室包括转移装置（210），并且转移装置将石墨烯衬底转移到吸附室或解吸室的内部。 吸附在吸附室中的石墨烯衬底被转移到缓冲室中，待机预先设定的时间，并转移到解吸室。 （附图标记）（AA）排气
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