염료감응 태양전지용 반도체 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지
    12.
    发明授权
    염료감응 태양전지용 반도체 전극, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지 有权
    用于透明的太阳能电池的半导体电极,其制备方法和使用其的透明的太阳能电池

    公开(公告)号:KR101190002B1

    公开(公告)日:2012-10-12

    申请号:KR1020110036325

    申请日:2011-04-19

    CPC classification number: H01G9/2031 B82Y30/00 Y02E10/542 Y02P70/521

    Abstract: PURPOSE: A semiconductor electrode for a dye-sensitized solar cell, a manufacturing method thereof, the dye-sensitized solar cell including the same are provided to improve energy conversion efficiency by preventing electron recombination between electrolytes and the surface of an electrode. CONSTITUTION: A semiconductor oxide layer(2) is formed on a conductive substrate. An organic layer(6) is coated on the surface of the semiconductor oxide layer and the surface of the conductive substrate with a core-shell structure. Dye(7) is absorbed on the surface of the organic layer. The organic layer is made of silane compound.

    Abstract translation: 目的:提供用于染料敏化太阳能电池的半导体电极及其制造方法,其包含该染料敏化太阳能电池的染料敏化太阳能电池通过防止电解质与电极表面之间的电子复合而提高能量转换效率。 构成:在导电性基板上形成半导体氧化物层(2)。 在半导体氧化物层的表面和具有核 - 壳结构的导电性基板的表面上涂布有机层(6)。 染料(7)被吸收在有机层的表面上。 有机层由硅烷化合物制成。

    대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법 및 그에 의한 전도성 집적 나노선
    13.
    发明授权
    대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법 및 그에 의한 전도성 집적 나노선 失效
    使用充电材料的1维或2维导电纳米线的高积分方法和高集成导电纳米线

    公开(公告)号:KR101029995B1

    公开(公告)日:2011-04-21

    申请号:KR1020090061816

    申请日:2009-07-07

    Abstract: 본 발명은, 기판 상에 전자빔 리소그래피를 이용하여 전자빔 레지스트층을 선형 또는 격자 형상의 나노 패턴으로 형성하고, 상기 기판 전면에 중간층을 형성한 후 상기 전자빔 레지스트층을 제거함으로써 상기 중간층의 선형 또는 격자 형상의 나노패턴을 형성하고, 이후 상기 중간층 상에 흡착층, 대전물질층 및 나노입자층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법, 상기 방법에 의하여 집적된 1 차원 또는 2 차원 고집적 전도성 나노선 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다.
    나노선, 전자빔 리소그래피, 고집적, 대전물질, DNA, 나노입자

    기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법 및 이에 의해 형성된 나노구조체를 포함하는 나노-분자 소자
    14.
    发明公开
    기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법 및 이에 의해 형성된 나노구조체를 포함하는 나노-분자 소자 失效
    在基底上组装纳米结构的方法和包含形成纳米结构的纳米分子器件

    公开(公告)号:KR1020100094090A

    公开(公告)日:2010-08-26

    申请号:KR1020090013339

    申请日:2009-02-18

    CPC classification number: B82B3/0052 B81C1/00031 B82Y30/00 B82Y40/00

    Abstract: PURPOSE: A selectively positioning method of a nanostructure on a substrate, and a nano molecular electronic device including the nanostructure are provided to use an electrostatic attraction for arranging and positioning the nanostructure. CONSTITUTION: A selectively positioning method of a nanostructure on a substrate comprises the following steps: forming a photoresist pattern(20) on the substrate(10); controlling the line width of the pattern in nano level to form a nano unit photoresist layer; forming a protective layer(30) on the portion without the nano unit photoresist layer; removing the nano unit photoresist layer form the substrate; forming an adsorption layer(40); and applying a solution containing a nano-material.

    Abstract translation: 目的:提供一种纳米结构在基片上的选择性定位方法,以及包括该纳米结构的纳米分子电子器件,以利用静电吸引来布置和定位纳米结构。 构成:在衬底上的纳米结构的选择性定位方法包括以下步骤:在衬底(10)上形成光致抗蚀剂图案(20); 控制纳米级图案的线宽以形成纳米单元光刻胶层; 在不具有纳米单元光刻胶层的部分上形成保护层(30); 去除纳米单元光致抗蚀剂层形成衬底; 形成吸附层(40); 并施加含有纳米材料的溶液。

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