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1.发明公开대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법 및 그에 의한 전도성 집적 나노선 失效使用充电材料的1维或2维导电性纳米管的高度整合方法，以及高度集成的导电性纳米管
公开(公告)号：KR1020110004159A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090061816
申请日：2009-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00 , H01L21/02554 , H01L21/0275 , H01L21/2236 , H01L29/0669
Abstract: PURPOSE: A high integration method of 1 dimensional or 2 dimensional conductive nanowires is provided to integrate 1 dimensional or 2 dimensional conductive nanowires by forming a electron beam resist layer patterned by nanounit of a linear or lattice form through an electron beam lithography. CONSTITUTION: A high integration method of 1 dimensional or 2 dimensional conductive nanowires comprises the steps of; forming a passivation layer on a substrate; coating an electron beam resist layer on the passivation layer and patterning the electron beam resist layer using electron beam lithography; forming an interlayer on the passivation layer exposed through an opening of the nano pattern; forming the nano pattern of the interlayer on the passivation layer by removing the electron beam resist layer of nano pattern; forming an adsorption layer on the interlayer; applying a solution including a charged material on the adsorption layer; and forming nano wires including charged materials; and forming conductive nano wires by applying nano particles charged opposite to the charged material.
Abstract translation: 目的：提供一维或二维导电纳米线的高积分方法，通过形成通过电子束光刻的线性或格子形式的纳米单元图案化的电子束抗蚀层，从而整合一维或二维导电纳米线。 构成：1维或2维导电纳米线的高集成度方法包括以下步骤： 在衬底上形成钝化层; 在钝化层上涂覆电子束抗蚀剂层，并使用电子束光刻图案化电子束抗蚀剂层; 在通过纳米图案的开口暴露的钝化层上形成中间层; 通过去除纳米图案的电子束抗蚀剂层，在钝化层上形成中间层的纳米图案; 在中间层上形成吸附层; 将包含带电材料的溶液施加到吸附层上; 并形成包含带电材料的纳米线; 并通过施加与带电材料相反的纳米颗粒形成导电纳米线。
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公开(公告)号：KR1020090095286A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：KR1020080020545
申请日：2008-03-05
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L51/0537
Abstract: An organic thin film transistor and a manufacturing method thereof for obtaining the advantage of each material characteristic by applying organic compound and inorganic material to the insulating layer are provided to minimize the leakage current and low voltage driving. A gate electrode(120) is formed on a substrate(110). An inorganic insulating layer(130) is formed on the gate electrode. An organic insulating layer(140) is formed on the inorganic insulating layer. An organic semiconductor layer(150) is formed on the organic insulating layer. Source/drain electrodes are formed on the organic semiconductor layer. The inorganic insulating layer is made of the amorphous carbon material quality containing the hydrogen. The inorganic insulating layer is made of the amorphous carbon material quality containing the hydrogen.
Abstract translation: 提供一种有机薄膜晶体管及其制造方法，用于通过将有机化合物和无机材料施加到绝缘层来获得每种材料特性的优点，以使漏电流和低电压驱动最小化。 在基板（110）上形成栅电极（120）。 在栅电极上形成无机绝缘层（130）。 在无机绝缘层上形成有机绝缘层（140）。 在有机绝缘层上形成有机半导体层（150）。 源极/漏极形成在有机半导体层上。 无机绝缘层由含有氢的无定形碳材料质量制成。 无机绝缘层由含有氢的无定形碳材料质量制成。
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公开(公告)号：KR100976113B1
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：KR1020080020545
申请日：2008-03-05
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 유기박막 트랜지스터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 절연층에 유기물 및 무기물을 복합적으로 적용함으로써 각 재질특성의 장점을 얻을 수 있는 유기박막 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기박막 트랜지스터는, 기판; 상기 기판 위에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 위에 형성된 무기 절연층; 상기 무기 절연층 위에 형성된 유기 절연층; 상기 유기 절연층 위에 형성된 유기 반도체층; 및 상기 유기 절연층 위에 형성된 소스/드레인 전극을 포함한다.
유기박막, 트랜지스터, 절연, 게이트, 소스, 드레인-
公开(公告)号：KR1020090084222A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：KR1020080010269
申请日：2008-01-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01G9/2022 , H01G9/2031 , H01G9/2059 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: A dye sensitized solar cell and a method of manufacture thereof are provided to increase the energy efficiency using a carbon electrode as a counter electrode. A dye sensitized solar cell comprises a working electrode and a counter electrode which is divided by an electrolyte layer(30). The counter electrode comprises a carbon electrode(22) formed in the first transparent substrate(21). The carbon electrode has the transparency of 85%. The film thickness of the carbon electrode is 180Œ10nm. The first transparent substrate is made of one among the glass, the silicon and the flexible material. The working electrode comprises a conductive transparent electrode(12) laminated on the one side of the second transparent substrate, a porous electrode(13) laminated on the conductive transparent electrode, and a dye layer(14) laminated on the porous electrode. The carbon electrode is formed on the surface of the first transparent substrate into the thin film type.
Abstract translation: 提供染料敏化太阳能电池及其制造方法以使用碳电极作为对电极来提高能量效率。 染料敏化太阳能电池包括由电解质层（30）分隔的工作电极和对电极。 对电极包括形成在第一透明基板（21）中的碳电极（22）。 碳电极的透明度为85％。 碳电极的膜厚为180〜10nm。 第一透明基板由玻璃，硅和柔性材料之一制成。 工作电极包括层压在第二透明基板的一侧上的导电透明电极（12），层叠在导电性透明电极上的多孔电极（13）和层叠在多孔电极上的染色层（14）。 碳电极在第一透明基板的表面上形成为薄膜型。
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5.发明授权나노결정 전도성 탄소층을 게이트 전극으로 포함하여 이루어진 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하여 이루어진 유기 반도체 소자 失效包含纳米导电碳层的栅极电极的有机薄膜晶体管，其制造方法和包含其的有机半导体器件
公开(公告)号：KR100878872B1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：KR1020070089029
申请日：2007-09-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , B82Y30/00
CPC classification number: H01L51/102 , H01L51/0541 , Y10S977/742 , Y10S977/832 , Y10S977/938 , H01L51/055
Abstract: An organic thin film transistor, manufacturing method thereof, and organic semiconductor device including the same are provided to improve device property and manufacturing process of thin film transistor by forming gate electrode of thin film transistor using nano crystalline conductive carbon layer. A flexible substrate is prepared. A nano crystalline carbon layer(310) is deposited on the flexible substrate as a gate electrode. An organic insulation layer(320) is formed on the flexible substrate on which the gate electrode is deposited. An organic active layer is activated on the organic insulation layer. Source/drain electrodes are formed on the organic active layer. The nano crystalline carbon layer is deposited using an asymmetry magnetron sputtering method. The organic insulation layer is formed by one among polyvinyl phenol and polyvinyl alcohol.
Abstract translation: 提供有机薄膜晶体管及其制造方法以及包括该有机薄膜晶体管的有机半导体器件，以通过使用纳米结晶导电碳层形成薄膜晶体管的栅电极来改善薄膜晶体管的器件特性和制造工艺。 制备柔性基底。 纳米结晶碳层（310）作为栅电极沉积在柔性基板上。 在其上沉积有栅电极的柔性基板上形成有机绝缘层（320）。 在有机绝缘层上激活有机活性层。 在有机活性层上形成源极/漏极。 使用不对称磁控溅射法沉积纳米晶体碳层。 有机绝缘层由聚乙烯苯酚和聚乙烯醇之一形成。
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Patent Agency Ranking6.发明授权
公开(公告)号：KR101039630B1
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090013339
申请日：2009-02-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0052 , B81C1/00031 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 선택적인 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법은, 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 패턴의 선폭을 나노단위로 제어하여 나노단위 포토레지스트 층을 형성하는 제1단계; 나노단위 포토레지스트 층이 형성된 기판 상의 패턴 미형성 영역에 나노물질 흡착방지용 보호층을 형성하는 제2단계; 기판 상에 형성된 포토레지스트 층을 제거하는 제3단계; 포토레지스트 층이 제거된 영역에 양 또는 음으로 대전된 흡착층을 형성하는 제4단계; 및 흡착층이 형성된 기판에 흡착층과는 반대 전하로 대전된 나노물질 포함 용액을 적용하는 제5단계; 를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따르면, 정전기적 인력을 이용함으로써 손쉽게 나노구조체를 선택적으로 정렬 및 위치시킬 수 있는 효과 및 새로운 나노구조체를 형성할 수 있는 효과가 있으며, 또한 본 발명에 의해 형성된 나노구조체 또는 복합나노구조체는 나노-분자소자에 적용할 수 있는 효과가 있다.
나노선, 나노패턴, 선택적 나노구조체 형성, 나노구조체-
7.发明授权물리적 기상 증착법에 의해 형성된 비정질 카본을 이용한 다층 레지스트 구조의 제작 및 이를 이용한 박막 패턴 형성 방법 失效使用物理蒸气沉积的非晶态碳制造多层耐蚀结构并形成使用其的薄膜图案
公开(公告)号：KR100899414B1
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020070052323
申请日：2007-05-29
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/027 , B82Y40/00
Abstract: 하부 박막에 대한 식각 선택비를 높이고 식각시 종횡비를 낮출 수 있는 아주 얇은 나노스케일 PVD 비정질 카본을 이용하여 다층 레지스트 구조를 형성하고 이를 이용하여 박막 패턴을 형성하는 방법을 제공한다.
하부 박막 상에 PVD 비정질 카본 마스크를 적층하는 단계; 상기 PVD 비정질 카본 마스크 상에 하드 마스크(hard-mask), 하부 반사방지막(bottom anti-reflective coating), 포토 레지스트 패턴을 차례로 적층하는 단계; 포토 레지스트 패턴을 식각 마스크로 하부 반사방지막과 하드마스크를 식각하는 단계; 패터닝된 하드마스크를 식각 마스크로 하여 PVD 비정질 카본층을 식각하는 단계; 및 상기 PVD 비정질 카본층을 식각 마스크로 하부 박막을 식각하는 단계를 포함하는 박막 패턴 형성 방법을 제공한다.-
公开(公告)号：KR100812504B1
公开(公告)日：2008-03-11
申请号：KR1020060085225
申请日：2006-09-05
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/203
CPC classification number: C23C14/0605 , C23C14/345 , C23C14/352 , H01L51/102 , H01L51/5203
Abstract: 본 발명은 고경도를 지닌 전도성 탄소 박막의 제조 방법 및 전극으로써 박막 전계 발광 소자에 전극에 전도성 탄소 박막을 응용에 관한 것이다. 본 발명에서는 고경도, 전도성 탄소박막 제작시 비대칭 마그네트론 스퍼터링 (Closed-field unbalanced magnetron sputtering) 방식을 제시하였으며, 제작된 탄소 박막은 높은 강도, 낮은 마찰력, 낮은 마모율, 부드러운 표면, 내부식성 및 내 산화성 등의 우수한 물리적인 특성들을 지니며, 장치 및 공정상의 특성으로 인해 어떠한 도핑 없이 낮은 비저항 (
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公开(公告)号：KR101190002B1
公开(公告)日：2012-10-12
申请号：KR1020110036325
申请日：2011-04-19
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224
CPC classification number: H01G9/2031 , B82Y30/00 , Y02E10/542 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A semiconductor electrode for a dye-sensitized solar cell, a manufacturing method thereof, the dye-sensitized solar cell including the same are provided to improve energy conversion efficiency by preventing electron recombination between electrolytes and the surface of an electrode. CONSTITUTION: A semiconductor oxide layer(2) is formed on a conductive substrate. An organic layer(6) is coated on the surface of the semiconductor oxide layer and the surface of the conductive substrate with a core-shell structure. Dye(7) is absorbed on the surface of the organic layer. The organic layer is made of silane compound.
Abstract translation: 目的：提供用于染料敏化太阳能电池的半导体电极及其制造方法，其包含该染料敏化太阳能电池的染料敏化太阳能电池通过防止电解质与电极表面之间的电子复合而提高能量转换效率。 构成：在导电性基板上形成半导体氧化物层（2）。 在半导体氧化物层的表面和具有核 - 壳结构的导电性基板的表面上涂布有机层（6）。 染料（7）被吸收在有机层的表面上。 有机层由硅烷化合物制成。
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10.发明授权
公开(公告)号：KR101029995B1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020090061816
申请日：2009-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은, 기판 상에 전자빔 리소그래피를 이용하여 전자빔 레지스트층을 선형 또는 격자 형상의 나노 패턴으로 형성하고, 상기 기판 전면에 중간층을 형성한 후 상기 전자빔 레지스트층을 제거함으로써 상기 중간층의 선형 또는 격자 형상의 나노패턴을 형성하고, 이후 상기 중간층 상에 흡착층, 대전물질층 및 나노입자층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는, 대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법, 상기 방법에 의하여 집적된 1 차원 또는 2 차원 고집적 전도성 나노선 및 이를 이용한 소자에 관한 것이다.
나노선, 전자빔 리소그래피, 고집적, 대전물질, DNA, 나노입자
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