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公开(公告)号：KR102234650B1
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020190078523A
申请日：2019-07-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H02N1/04
CPC classification number: H02N1/04
Abstract: 본 발명은 마찰전기 발전 소자에 있어서 마찰전기 발전 소자의 전극들에 복수의 인출선을 연결함으로써 마찰전기 발전 소자의 출력을 향상시키는 내용에 관한 것이다.
본 발명은 간단한 전극 구성의 변형을 통해 비효율적인 전하이동을 개선하고 마찰전기 발전소자의 출력을 증가시킬 수 있는 방법을 제시한다.
이러한 방법은 모든 마찰전기 발전소자에 쉽게 적용될 수 있으며 전류 흐름에 대한 이해를 통해 마찰전기 발전소자의 실질적 산업화에 기여할 수 있을 것이다.-
公开(公告)号：WO2023277499A1
公开(公告)日：2023-01-05
申请号：PCT/KR2022/009178
申请日：2022-06-28
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/09 , H01L31/032 , H01L31/0352
Abstract: 본 발명은, 전이금속 디칼코게나이드 박막 및 상기 전이금속 디칼코게나이드 박막 상부에 적층되어 상기 전이금속 디칼코게나이드 박막과 이종접합을 형성하는 그래핀층을 구비하는 채널층; 상기 그래핀층 상부에 위치하는 금속 나노입자; 및 상기 그래핀층과 접촉하는 제1 전극 및 상기 전이금속 디칼코게나이드 박막과 접촉하는 제2 전극을 포함하는, 적외선 감지 소자를 개시한다. 본 발명의 적외선 감지 소자는, 금속 나노입자의 플라즈몬 공명 현상 및 그래핀/TMD 이종접합 구조에 의한 쇼트키 장벽 가변 효과가 발생하여, 높은 감도 및 낮은 소모전력을 가질 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110014258A
公开(公告)日：2011-02-10
申请号：KR1020110008340
申请日：2011-01-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02601 , B82B3/0038 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A formation method of a nano device is provided to perform an ion implantation process and an etching process in a nano scale while not applying an exposure process. CONSTITUTION: A formation method of a nano device comprises the steps of: forming a nanoscale self-assembly material layer(23) on a substrate(21) which has at least one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface treatment process on the substrate; and removing the self-assembly material layer. The surface treatment process is an etching process or ion injection process.
Abstract translation: 目的：提供纳米器件的形成方法，以在不施加曝光工艺的情况下进行纳米级的离子注入工艺和蚀刻工艺。 构成：纳米器件的形成方法包括以下步骤：在具有至少一层的衬底（21）上形成纳米级自组装材料层（23）; 在所述自组装材料层上形成掩模层（25）; 在基板上进行表面处理工艺; 并移除自组装材料层。 表面处理工艺是蚀刻工艺或离子注入工艺。
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公开(公告)号：KR1020100039978A
公开(公告)日：2010-04-19
申请号：KR1020080098992
申请日：2008-10-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/32139 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , H01L21/0332 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78
Abstract: PURPOSE: A nano device forming method is provided to pattern a substrate in a nano scale without using a light source, to improve the degree of integration of the device while reducing the fabrication cost, and to improve the yield of the device production. CONSTITUTION: A nano device forming method comprises the following steps: forming a self-assembly material layer(23) in a nano scale on a substrate(21) formed with more than one layer; forming a mask layer(25) on the self-assembly material layer; performing a surface processing on the substrate using the mask layer as a mask; and removing the self-assembly material layer. The surface processing is either an etching or an ion inserting. The mask layer contains a substance selected from the group consisting of gold, silver, silicon, silicon oxide, silicon nitride, iron, cadmium selenide, carbon nano tube, bucky ball and grapheme.
Abstract translation: 目的：提供一种纳米器件形成方法，用于在不使用光源的情况下以纳米尺度对衬底进行图案化，从而提高器件的集成度，同时降低制造成本，并提高器件生产的产量。 构成：纳米器件形成方法包括以下步骤：在形成有多于一层的衬底（21）上形成纳米尺度的自组装材料层（23）; 在所述自组装材料层上形成掩模层（25）; 使用掩模层作为掩模在基板上进行表面处理; 并移除自组装材料层。 表面处理是蚀刻或离子插入。 掩模层包含选自金，银，硅，氧化硅，氮化硅，铁，硒化镉，碳纳米管，巴基球和图形的物质。
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公开(公告)号：KR100813113B1
公开(公告)日：2008-03-17
申请号：KR1020070019062
申请日：2007-02-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0038 , B22F5/12 , B22F2304/054 , B82Y40/00
Abstract: Manufacturing methods of gold nano wire are provided to mass-produce gold nano wire in a simple process and to carry out accurate accumulation of semiconductor device efficiently by arranging nano wire in a line. A manufacturing method of gold nano wire comprises a step of painting a DNA solution comprising gold nano particle on a substrate. Optionally, the DNA solution is adhered to the substrate by liquid coating method or vacuum evaporation method. The prepared substrate is painted with a solution comprising gold nano particle and reducing agent. The adhered DNA on the substrate is optionally arranged in a line or in a cross stripe. An additional manufacturing method of gold nano wire comprises steps of: forming adhesion layer to improve adherence of a solution on a substrate by the liquid coating method or the vacuum evaporation method; preparing a primary admixture solution by mixing reducing agent and gold nano particle; and preparing a secondary admixture solution by mixing the primary admixture solution and DNA, followed by painting the secondary admixture solution on the substrate. The DNA in the secondary admixture solution is optionally arranged in a line or in a cross stripe on the substrate.
Abstract translation: 提供金纳米线的制造方法，以简单的方法批量生产金纳米线，并通过在线上排列纳米线，有效地进行半导体器件的精确积累。 金纳米线的制造方法包括在基材上涂覆包含金纳米颗粒的DNA溶液的步骤。 任选地，DNA溶液通过液体涂布法或真空蒸发法粘合到基底上。 将制备的基材涂上包含金纳米颗粒和还原剂的溶液。 衬底上粘附的DNA任选地排列成一行或十字条。 金纳米线的附加制造方法包括以下步骤：通过液体涂布法或真空蒸发法形成粘合层以改善溶液在基底上的粘附性; 通过还原剂和金纳米颗粒混合制备初级混合溶液; 并通过混合初级混合溶液和DNA制备二次混合溶液，然后将二次混合溶液涂布在基材上。 第二混合溶液中的DNA任选地在基底上排列成一条或一条交叉条纹。
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Patent Agency Ranking6.发明公开대전된 물질을 이용한 1 차원 또는 2 차원 전도성 나노선의 고집적 방법 및 그에 의한 전도성 집적 나노선 失效使用充电材料的1维或2维导电性纳米管的高度整合方法，以及高度集成的导电性纳米管
公开(公告)号：KR1020110004159A
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020090061816
申请日：2009-07-07
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/02603 , B82Y40/00 , H01L21/02554 , H01L21/0275 , H01L21/2236 , H01L29/0669
Abstract: PURPOSE: A high integration method of 1 dimensional or 2 dimensional conductive nanowires is provided to integrate 1 dimensional or 2 dimensional conductive nanowires by forming a electron beam resist layer patterned by nanounit of a linear or lattice form through an electron beam lithography. CONSTITUTION: A high integration method of 1 dimensional or 2 dimensional conductive nanowires comprises the steps of; forming a passivation layer on a substrate; coating an electron beam resist layer on the passivation layer and patterning the electron beam resist layer using electron beam lithography; forming an interlayer on the passivation layer exposed through an opening of the nano pattern; forming the nano pattern of the interlayer on the passivation layer by removing the electron beam resist layer of nano pattern; forming an adsorption layer on the interlayer; applying a solution including a charged material on the adsorption layer; and forming nano wires including charged materials; and forming conductive nano wires by applying nano particles charged opposite to the charged material.
Abstract translation: 目的：提供一维或二维导电纳米线的高积分方法，通过形成通过电子束光刻的线性或格子形式的纳米单元图案化的电子束抗蚀层，从而整合一维或二维导电纳米线。 构成：1维或2维导电纳米线的高集成度方法包括以下步骤： 在衬底上形成钝化层; 在钝化层上涂覆电子束抗蚀剂层，并使用电子束光刻图案化电子束抗蚀剂层; 在通过纳米图案的开口暴露的钝化层上形成中间层; 通过去除纳米图案的电子束抗蚀剂层，在钝化层上形成中间层的纳米图案; 在中间层上形成吸附层; 将包含带电材料的溶液施加到吸附层上; 并形成包含带电材料的纳米线; 并通过施加与带电材料相反的纳米颗粒形成导电纳米线。
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公开(公告)号：KR102234650B1
公开(公告)日：2021-03-31
申请号：KR1020190078523
申请日：2019-07-01
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H02N1/04
Abstract: 본발명은마찰전기발전소자에있어서마찰전기발전소자의전극들에복수의인출선을연결함으로써마찰전기발전소자의출력을향상시키는내용에관한것이다. 본발명은간단한전극구성의변형을통해비효율적인전하이동을개선하고마찰전기발전소자의출력을증가시킬수 있는방법을제시한다. 이러한방법은모든마찰전기발전소자에쉽게적용될수 있으며전류흐름에대한이해를통해마찰전기발전소자의실질적산업화에기여할수 있을것이다.
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8.发明授权
公开(公告)号：KR101039630B1
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：KR1020090013339
申请日：2009-02-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82B3/0052 , B81C1/00031 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 선택적인 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 기판 상에 나노구조체를 선택적으로 위치시키는 방법은, 기판 상에 포토레지스트 패턴을 형성한 후 패턴의 선폭을 나노단위로 제어하여 나노단위 포토레지스트 층을 형성하는 제1단계; 나노단위 포토레지스트 층이 형성된 기판 상의 패턴 미형성 영역에 나노물질 흡착방지용 보호층을 형성하는 제2단계; 기판 상에 형성된 포토레지스트 층을 제거하는 제3단계; 포토레지스트 층이 제거된 영역에 양 또는 음으로 대전된 흡착층을 형성하는 제4단계; 및 흡착층이 형성된 기판에 흡착층과는 반대 전하로 대전된 나노물질 포함 용액을 적용하는 제5단계; 를 포함하여 이루어진다.
본 발명에 따르면, 정전기적 인력을 이용함으로써 손쉽게 나노구조체를 선택적으로 정렬 및 위치시킬 수 있는 효과 및 새로운 나노구조체를 형성할 수 있는 효과가 있으며, 또한 본 발명에 의해 형성된 나노구조체 또는 복합나노구조체는 나노-분자소자에 적용할 수 있는 효과가 있다.
나노선, 나노패턴, 선택적 나노구조체 형성, 나노구조체-
公开(公告)号：KR101094738B1
公开(公告)日：2011-12-16
申请号：KR1020110008340
申请日：2011-01-27
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다.-
公开(公告)号：KR101062416B1
公开(公告)日：2011-09-06
申请号：KR1020080098992
申请日：2008-10-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L21/32139 , B81C1/00396 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , H01L21/0332 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78
Abstract: 본 발명은 나노 소자의 형성방법에 관한 것으로, 적어도 하나의 층으로 된 기판 상에 나노 스케일의 자기조립 물질층을 형성하는 단계, 상기 자기조립 물질층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층을 마스크로 하여 상기 기판 상에 표면처리 공정을 수행하는 단계 및 상기 자기조립 물질층을 제거하는 단계를 포함하는 구성을 마련한다.
상기와 같은 나노 소자의 형성방법에 의해, 광원을 이용하지 않고 나노 스케일로 기판을 패터닝하고, 이온주입 공정 및 식각 공정을 수행하여 나노 소자를 제조할 수 있다.
자기조립, 나노구조체, 마스크, 식각, 이온 주입
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