公开(公告)号：KR100687481B1

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：KR1020060026720

申请日：2006-03-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  민경석

IPC: H01L21/306

Abstract: A chemically assisted neutral beam etching system and an etching method are provided to easily obtain a neutral beam by installing a reflector between an ion source and a substrate to be etched. A chemically assisted neutral beam etching system comprises a neutral beam generating device and a reaction chamber(707). The neutral beam generating device has a ion beam generating gas inlet port(705) introducing a gas to generate an ion beam, an ion source(703) for generating the ion beam having polarity from the gas introduced from the ion beam generating gas inlet port, a grid assembly provided on the ion source, and a reflector(704) converting the ion beam into a neutral beam. The reaction chamber has a reactive gas inlet port(701), a stage(708) for positioning a substrate(702), and a reactive gas supply member.

Abstract translation: 提供化学辅助的中性束蚀刻系统和蚀刻方法以通过在离子源和待蚀刻的衬底之间安装反射器来容易地获得中性束。 化学辅助的中性束蚀刻系统包括中性束产生装置和反应室（707）。 中性束产生装置具有：引入气体以产生离子束的离子束产生气体入口端口（705）;用于从由离子束产生气体入口端口引入的气体产生具有极性的离子束的离子源（703） ，设置在离子源上的栅格组件以及将离子束转换成中性束的反射器（704）。 反应室具有反应气体入口端口（701），用于定位衬底（702）的台（708）以及反应气体供应部件。

公开(公告)号：KR102154060B1

公开(公告)日：2020-09-09

申请号：KR1020130034417

申请日：2013-03-29

Applicant: 엘지이노텍 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 민경석 ,  김병숙 ,  김득중 ,  이은주

IPC: C01B32/956

公开(公告)号：KR101466487B1

公开(公告)日：2014-12-02

申请号：KR1020130065517

申请日：2013-06-07

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  민경석 ,  강승현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32136

Abstract: 산화 베릴륨(BeO)에 대한 원자층 식각 방법이 개시된다. 본 발명에 따른 산화 베릴륨 원자층 식각 방법은, 반응챔버 내부에 식각가스를 주입하여 상기 피식각층에 흡착시키는 제1 단계; 상기 식각가스 중 상기 피식각층에 흡착되지 않고 남은 가스를 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제2 단계; 상기 식각가스가 흡착된 피식각층과 제1 서브 Be-O 층과의 결합 에너지보다 크고 상기 제1 서브 Be-O 층과 제2 서브 Be-O 층과의 결합 에너지보다 작은 에너지를 식각가스가 흡착된 피식각층 표면에 조사하여 상기 식각가스가 흡착된 피식각층을 탈착시키는 제3 단계; 및 탈착된 혼합물을 상기 반응챔버 외부로 배출하는 제4 단계; 를 포함한다.

Abstract translation: 公开了氧化铍（BeO）的原子层蚀刻方法。 根据本发明，BeO原子层蚀刻方法包括：将蚀刻气体注入反应室以将气体粘附到待蚀刻层的第一步骤; 将未附着于被蚀刻层的残留气体排出到反应室外部的第二工序; 通过发射能量大于被蚀刻层的组合能量和第一子Be-O层并且小于所述蚀刻气体的组合能量的第三步骤， 第一子Be-O层和第二子Be-O层，到待蚀刻层的表面; 以及将解吸附的混合物排出到反应室的外部的第四步骤。

公开(公告)号：KR101380835B1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020120074309

申请日：2012-07-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  김이연 ,  민경석

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08 ,  B01J19/12

CPC classification number: H01L21/042 ,  H01L21/0405 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66037

Abstract: 그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및 상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR100698387B1

公开(公告)日：2007-03-23

申请号：KR1020060014569

申请日：2006-02-15

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  민경석

IPC: H01L33/22

Abstract: A GaN-based semiconductor light emitting device using a neutral beam etching apparatus and a method for manufacturing the same are provided to form a photonic crystal on a p type nitride semiconductor layer by reducing damage of an active layer and the p type nitride semiconductor layer in a rough etch process. An n type nitride semiconductor layer(20), an active layer(30), and a p type semiconductor layer(40) are sequentially grown on a substrate(10). The active layer and the p nitride semiconductor layer are partially etched to expose a part of the n type nitride semiconductor layer. A hole having a predetermined pattern is formed on the p type semiconductor layer which is not etched in the etch process. An n type electrode and a p type electrode are formed on the n type nitride semiconductor layer and the p type nitride semiconductor layer, respectively. The predetermined pattern is formed by using a neutral beam etching apparatus.

Abstract translation: 提供一种使用中性光束蚀刻装置的GaN基半导体发光器件及其制造方法，通过减少有源层和p型氮化物半导体层的损伤，在p型氮化物半导体层上形成光子晶体 粗蚀刻工艺。 在衬底（10）上依次生长n型氮化物半导体层（20），有源层（30）和p型半导体层（40）。 部分蚀刻有源层和p氮化物半导体层以暴露n型氮化物半导体层的一部分。 在蚀刻工艺中未被蚀刻的p型半导体层上形成具有预定图案的孔。 n型电极和p型电极分别形成在n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层上。 通过使用中性光束蚀刻装置形成预定图案。