公开(公告)号：KR1020110098693A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020110018138

申请日：2011-02-28

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  박병재 ,  강세구 ,  연제관 ,  임웅선 ,  김이연

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/67069 ,  H01J37/32082 ,  H01L21/67167

Abstract: 본 발명은 저손상 공정을 위한 차세대 나노소자용 식각 장비에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 차세대 나노소자 제작시 나노소자의 저손상 공정이 가능하거나, 고유전 물질을 게이트 절연막으로 이용함으로써 발생되는 게이트 리세스를 발생시키지 않거나, 차세대 나노소자 공정에 발생될 수 있는 물리적 전기적 손상을 크게 개선시키거나, 정확한 식각 조절이 가능하고, 딥 식각, 중성빔 식각 및 중성빔 원자층 식각이 인시투(in-situ)로 이루어질 수 있는 식각 장비가 제공된다.

公开(公告)号：KR101380835B1

公开(公告)日：2014-04-04

申请号：KR1020120074309

申请日：2012-07-09

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  김이연 ,  민경석

IPC: C01B31/02 ,  B01J19/08 ,  B01J19/12

CPC classification number: H01L21/042 ,  H01L21/0405 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66037

Abstract: 그래핀 표면에 반응성 라디칼(reactive radical)을 흡착시키는 것; 및 상기 반응성 라디칼이 흡착된 그래핀에 에너지원을 조사하는 것을 포함하는, 그래핀의 원자층 식각 방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020130011593A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：KR1020110072851

申请日：2011-07-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/45

Abstract: PURPOSE: A field effect transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce the constant resistance of a field effect transistor by forming an electrode and a channel with a graphene layer. CONSTITUTION: A source and a drain electrodes(20,30) are respectively formed on a substrate. A channel layer(40) is electrically connected to the source and the drain electrode. The source, the drain electrode and the channel layer include a graphene layer. The graphene layer is formed on a metallic catalyst thin film by a CVD(Chemical Vapor Deposition) method.

Abstract translation: 目的：提供场效应晶体管及其制造方法，以通过形成具有石墨烯层的电极和沟道来减小场效应晶体管的恒定电阻。 构成：在衬底上分别形成源极和漏极（20,30）。 沟道层（40）电连接到源极和漏极。 源极，漏极和沟道层包括石墨烯层。 通过CVD（化学气相沉积）法在金属催化剂薄膜上形成石墨烯层。

公开(公告)号：KR1020110098355A

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：KR1020100017932

申请日：2010-02-26

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 염근영 ,  임웅선 ,  김이연 ,  박병재 ,  연제관

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/67069

Abstract: 본 발명은 BCl
3 가스 및 첨가 가스를 사용하여 고유전 물질의 원자층 식각을 수행하는 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법에 관한 것으로, 본 발명의 중성빔 식각 장치를 이용한 식각 방법은 피식각층이 노출된 피식각 기판을 반응 챔버 내의 스테이지 상에 안착시키는 단계; 상기 반응 챔버 내부의 샤워링을 통하여 상기 반응 챔버 내부로 BCl
3 로 이루어지는 식각 가스를 공급하여 고유전 물질로 이루어지는 피식각층에 흡착시키는 단계; 상기 반응 챔버 일측에 설치된 퍼지 가스 공급관을 통하여 퍼지 가스를 공급하고, 상기 흡착되고 남은 과잉의 식각 가스를 퍼지하는 단계; 상기 식각 가스가 흡착된 피식각층 상으로 중성빔을 조사하는 단계; 및 퍼지 가스를 공급하여 상기 중성빔 조사에 의하여 발생된 식각 부산물을 제거하는 단계를 포함한다.