公开(公告)号：KR101318326B1

公开(公告)日：2013-10-15

申请号：KR1020110122524

申请日：2011-11-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  신종훈 ,  안시현 ,  박진주 ,  조재현 ,  장주연 ,  박형식

IPC: H01L31/072 ,  H01L31/04 ,  H01L31/075

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 표면에 텍스처가 다수 형성된 결정질 실리콘 기판 상기 결정질 실리콘 기판의 상면에 형성된 에미터층 상기 에미터층의 상면에 형성된 패시베이션층 상기 패시베이션층의 상면에 형성된 비정질 박막 적층체 상기 비정질 박막 적층체의 상면에 형성된 전면전극 및 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따른 이종접합 실리콘 태양전지는 표면 텍스처링된 결정질 실리콘 기판 상에 비정질 박막 적층체를 형성함으로써 기존의 평면구조의 태양전지에 비해 면적을 향상시키고 단락전류의 일치를 통해 초고효율을 나타낼 수 있다.

公开(公告)号：KR101303594B1

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：KR1020110121890

申请日：2011-11-21

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  장주연 ,  신종훈 ,  안시현 ,  박형식 ,  박진주 ,  조재현 ,  김영국 ,  장경수

IPC: H01L31/0445 ,  H01L31/075 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101289277B1

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：KR1020100116147

申请日：2010-11-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  김영국 ,  박형식 ,  신종훈 ,  안시현 ,  조재현 ,  장주연

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: 본 발명은 표면 텍스처링된 실리콘 웨이퍼를 이용하여 표면 텍스처링되고 PN 접합이 형성된 3차원 형상의 실리콘 기판을 제조한 후, 그 위에 광대역의 박막 적층체를 형성하여 텐덤형의 실리콘 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막 실리콘 태양전지에 비해 단면적을 증가시켜 높은 전류를 생성하여 초고효율을 나타내는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1020120054828A

公开(公告)日：2012-05-31

申请号：KR1020100116147

申请日：2010-11-22

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 이준신 ,  박진주 ,  김영국 ,  박형식 ,  신종훈 ,  안시현 ,  조재현 ,  장주연

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/04 ,  H01L31/0236

CPC classification number: Y02E10/50 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/04

Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell which has super high efficiency and a manufacturing method thereof are provided to improve energy conversion efficiency by laminating a thin film laminated body on the upper surface of a silicon substrate. CONSTITUTION: A surface texturing process is performed on a silicon substrate(100). The silicon substrate forms a P-N junction. A rear electrode(110) is formed on the rear side of the silicon substrate. A thin film laminated body(120) is formed on the upper surface of the silicon substrate. A front electrode(130) is formed on the upper surface of the thin film laminated body.

Abstract translation: 目的：提供一种具有超高效率的硅太阳能电池及其制造方法，其通过在硅基板的上表面层叠薄膜层叠体来提高能量转换效率。 构成：在硅衬底（100）上执行表面纹理化处理。 硅衬底形成P-N结。 背面电极（110）形成在硅衬底的后侧。 在硅衬底的上表面上形成薄膜叠层体（120）。 在薄膜层叠体的上表面上形成前电极（130）。

公开(公告)号：KR101030780B1

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：KR1020080055227

申请日：2008-06-12

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 정덕영 ,  한재억 ,  장주연

IPC: B82B3/00 ,  C30B30/06 ,  B01J19/08

CPC classification number: C01G15/006 ,  B82Y30/00 ,  C01B17/20 ,  C01B19/002 ,  C01B19/007 ,  C01G3/006 ,  C01G15/00 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/82 ,  C01P2002/85 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C23C18/1204 ,  C30B7/08 ,  C30B29/48 ,  C30B29/60 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/813

Abstract: 본 발명은 I-III-VI
2 나노입자의 제조방법 및 다결정 광흡수층 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 I-III-VI
2 나노입자의 제조방법은, (a1) I족 원료, III족 원료 및 VI족 원료를 용매와 함께 혼합하여 혼합 용액을 제조하는 단계; (a2) 상기 혼합 용액을 초음파 처리하는 단계; (a3) 상기 초음파 처리된 혼합 용액으로부터 용매를 분리하는 단계; 및 (a4) 상기 (a3) 단계로부터 얻어진 결과물을 건조하여 나노입자를 수득하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 초음파를
이용한 파쇄분산을 통해 균일한 크기의 I-III-VI
2 나노입자 전구체를 합성하고 박막을 제조한 후 열처리 공정 등을 통하여 쉽게 원하는 조성의 다결정 광흡수층 박막을 얻을 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 기존의 산소 제거 공정이 불필요하기 때문에 종래의 제조공정을 간소화 할 수 있어 제조단가를 크게 절감할 수 있을 것으로 기대된다.
CIS, 찰코파이라이트, 나노입자, 광흡수층, 박막형 태양전지, 초음파

公开(公告)号：KR1020090110090A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：KR1020080035691

申请日：2008-04-17

Applicant: 엘지전자 주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 이영희 ,  정덕영 ,  장주연 ,  한재억

IPC: B82B3/00

Abstract: PURPOSE: A synthesis method for indium selenide nanoparticles using ultrasonic waves is provided to secure high quality of indium selenide nanoparticles at reduced production costs. CONSTITUTION: A synthesis method for indium selenide nanoparticles using ultrasonic waves comprises the following steps of: mixing indium precursors and selenium precursors in a solvent; and treating the mixed solution with ultrasonic wave so as to synthesize the indium precursors and selenium precursors. The indium precursors and selenium precursors are mixed at a molar ratio of 2:2.5 ~ 2:3.5.

Abstract translation: 目的：提供使用超声波的硒化铟纳米粒子的合成方法，以降低生产成本确保高品质的硒化铟纳米颗粒。 构成：使用超声波的硒化铟纳米粒子的合成方法包括以下步骤：将铟前体和硒前体混合在溶剂中; 并用超声波处理混合溶液，以合成铟前体和硒前体。 铟前体和硒前体以2：2.5〜2：3.5的摩尔比混合。